KR970051249A - 모오스(mos) 캐패시터의 누설전압 감지회로 - Google Patents

모오스(mos) 캐패시터의 누설전압 감지회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970051249A
KR970051249A KR1019950058901A KR19950058901A KR970051249A KR 970051249 A KR970051249 A KR 970051249A KR 1019950058901 A KR1019950058901 A KR 1019950058901A KR 19950058901 A KR19950058901 A KR 19950058901A KR 970051249 A KR970051249 A KR 970051249A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
voltage
capacitor
inverter
monitoring
leakage
Prior art date
Application number
KR1019950058901A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100198617B1 (ko
Inventor
왕성호
김대정
Original Assignee
문정환
Lg 반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 문정환, Lg 반도체 주식회사 filed Critical 문정환
Priority to KR1019950058901A priority Critical patent/KR100198617B1/ko
Priority to DE19610555A priority patent/DE19610555C2/de
Priority to JP8355801A priority patent/JP2838696B2/ja
Priority to US08/780,183 priority patent/US5818268A/en
Publication of KR970051249A publication Critical patent/KR970051249A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100198617B1 publication Critical patent/KR100198617B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30—Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3004—Current or voltage test
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C2029/5004—Voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 MOS 캐패시터의 누설전압 감지회로에 관한 것으로, 누설전압을 모니터하는 모니터링 캐패시터를 구비하여 MOS캐패시터의 누설전압을 감지하고, 공정변이에도 덜 민감한 동작이 일어나도록 하며 정밀측정을 할 수 있도록 하는데 있다. 이를 위한 본 발명의 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로는 소정의 타이밍 제어신호를 발생하기 위한 타이밍 제어신호발생부와, 상기 타이밍제어신호발생부의 출력에 의해 스위칭되는 스위칭수단과 MOS 캐패시터를 구비하여 제1전압을 샘플/홀드하는 샘플/홀드부의 MOS 캐패시터의 누설전압을 모니터하는 모니터링 캐패시터와, 상기 모니터링 캐패시터에 제2전압으로 충전하여 홀드하는 모니터링 캐패시터 충전부와 상기 모니터링 캐패시터의 누설전압이 설정값 이하로 되면 이를 감지하여 검출하는 누설전압검출부를 구비하여서 됨을 특징으로 한다.

Description

모오스(MOS) 캐패시터의 누설전압 감지회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로의 상세회로도.

Claims (6)

  1. 소정의 타이밍 제어신호를 발생하기 위한 타이밍 제어신호발생부와, 상기 타이밍제어신호발생부의 출력에 의해 스위칭되는 스위칭수단과 MOS 캐패시터를 구비하여 제1전압을 샘플/홀드하는 샘플/홀드부와, 상기 샘플/홀드부의 MOS 캐패시터의 누설전압을 모니터하는 모니터링 캐패시터와, 상기 모니터링 캐패시터에 제2 전압으로 충전하여 홀드하는 모니터링 캐패시터 충전부와, 상기 모니터링 캐패시터의 누설전압이 설정값 이하로 되면 이를 감지하여 검출하는 누설전압검출부를 구비하여서 됨을 특징으로 하는 MOS 캐패시터의 누설전압 감지회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모니터링 캐패시터 충전부는 상기 모니터링 캐패시터를 제2전압으로 충전하기 위한 제1인버터 및 인버터의 입출력양단에 접속되는 제1스위칭수단과, 상기 제1인버터의 출력단에 접속되어 상기 모니터 캐패시터에 상기 제2전압으로 샘플하여 홀드시키기 위한 제2스위칭수단과, 상기 제1및 제2스위칭수단에 트리거링제어신호를 지연시키기 위한 지연수단을 구비하는 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로.
  3. 제2항에 있어서, 제1 및 제2스위칭수단은 동일 도전형의 채널을 갖는 MOSFET이고, 또 제2전압은 상기 제1인버터의 로직 드레쉬홀드전압임을 특징으로 하는 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 모니터링 캐패시터 및 상기 샘플/홀드부의 캐패시터는 동일 타입의 MOS 캐패시터이고, 상기 모니터링 캐패시터의 게이트전극과 이에 접속되는 스위칭 소자와의 정크션의 크기는 상기 샘플/홀드부의 캐패시터의 게이트전극과 이에 접속되는 스위칭 소자와의 정크션의 크기와 동일하도록 구성됨을 특징으로 하는 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 모니터링 캐패시터의 용량은 상기 샘플/홀드부 MOS 캐패시터의 용량의 1/N배(단 N〉1)이며, 상기 제1전압과 상기 제2전압은 실질적으로 동일하게 설정됨을 특징으로 하는 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 누설전압검출부는 상기 제2전압보다 작은 제3전압의 로직 드레쉬홀드전압을 가지는 제2인버터를 구비하고, 상기 모니터링 캐패시터에 감지되어 검출되는 누설전압을 상기 제1인버터의 로직 드레쉬홀드전압인 제2전압과, 상기 제2인버터의 로직 드레쉬홀드전압인 제2전압과의 차에 의하여 결정되도록 함을 특징으로 하는 MOS 캐패시터의 누설전압감지회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950058901A 1995-12-27 1995-12-27 모오스 캐패시터의 누설전압감지회로 KR100198617B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950058901A KR100198617B1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 모오스 캐패시터의 누설전압감지회로
DE19610555A DE19610555C2 (de) 1995-12-27 1996-03-18 Leckspannungs-Detektorschaltung für einen MOS Kondensator
JP8355801A JP2838696B2 (ja) 1995-12-27 1996-12-25 Ｍｏｓキャパシタの漏洩電圧感知回路
US08/780,183 US5818268A (en) 1995-12-27 1996-12-26 Circuit for detecting leakage voltage of MOS capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950058901A KR100198617B1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 모오스 캐패시터의 누설전압감지회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970051249A true KR970051249A (ko) 1997-07-29
KR100198617B1 KR100198617B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=19445122

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950058901A KR100198617B1 (ko) 1995-12-27 1995-12-27 모오스 캐패시터의 누설전압감지회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5818268A (ko)
JP (1) JP2838696B2 (ko)
KR (1) KR100198617B1 (ko)
DE (1) DE19610555C2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100911379B1 (ko) * 2007-06-14 2009-08-10 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로의 해킹 검출기 및 그것의 검출 방법

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3535963B2 (ja) * 1997-02-17 2004-06-07 シャープ株式会社 半導体記憶装置
JP3157791B2 (ja) 1998-11-27 2001-04-16 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 可変遅延回路およびその遅延時間設定方法
US6330697B1 (en) * 1999-04-20 2001-12-11 International Business Machines Corporation Apparatus and method for performing a defect leakage screen test for memory devices
US6594606B2 (en) * 2001-05-09 2003-07-15 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Matrix element voltage sensing for precharge
US7079130B2 (en) * 2001-05-09 2006-07-18 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Method for periodic element voltage sensing to control precharge
US7079131B2 (en) * 2001-05-09 2006-07-18 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Apparatus for periodic element voltage sensing to control precharge
US20030169241A1 (en) * 2001-10-19 2003-09-11 Lechevalier Robert E. Method and system for ramp control of precharge voltage
AU2002343544A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-28 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Method and clamping apparatus for securing a minimum reference voltage in a video display boost regulator
WO2003034390A2 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Clare Micronix Integrated Systems, Inc. Precharge circuit and method for passive matrix oled display
EP1635183B1 (en) * 2002-07-03 2007-11-21 Q-Star Test N.V. Device for monitoring quiescent current of an electronic device
US7782090B2 (en) * 2004-08-02 2010-08-24 Panasonic Corporation Semiconductor device
US7564274B2 (en) * 2005-02-24 2009-07-21 Icera, Inc. Detecting excess current leakage of a CMOS device
US7397261B2 (en) 2006-04-27 2008-07-08 International Business Machines Corporation Monitoring system for detecting and characterizing classes of leakage in CMOS devices
US20090020151A1 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Pvi Solutions, Inc. Method and apparatus for converting a direct current to alternating current utilizing a plurality of inverters
US7916505B2 (en) * 2008-03-06 2011-03-29 Enphase Energy, Inc. Method and apparatus for a leakage energy recovery circuit
US8009398B2 (en) * 2009-06-04 2011-08-30 International Business Machines Corporation Isolating faulty decoupling capacitors
TWI383590B (zh) * 2010-04-02 2013-01-21 Univ Nat Taiwan 正反器電路與漏電流抑制電路
US9267980B2 (en) 2011-08-15 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Capacitance evaluation apparatuses and methods
FR3014266B1 (fr) * 2013-12-03 2017-07-21 Stmicroelectronics Rousset Procede et dispositif de commande d'un echantillonneur bloqueur.
JP2016111677A (ja) * 2014-09-26 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、無線センサ、及び電子機器
US9455723B2 (en) 2015-02-27 2016-09-27 Qualcomm Incorporated Leakage compensation circuit for phase-locked loop (PLL) large thin oxide capacitors
CN108492840B (zh) * 2018-03-12 2020-11-13 武汉新芯集成电路制造有限公司 灵敏放大器
CN116405015B (zh) * 2023-06-05 2023-08-18 上海灵动微电子股份有限公司 Mos电容的漏电流补偿电路、应用电路及集成电路

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6150287A (ja) * 1984-08-20 1986-03-12 Toshiba Corp ダイナミツクメモリの自動リフレツシユ制御回路
US5117426A (en) * 1990-03-26 1992-05-26 Texas Instruments Incorporated Circuit, device, and method to detect voltage leakage
JPH05225777A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Sharp Corp 半導体メモリ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100911379B1 (ko) * 2007-06-14 2009-08-10 삼성전자주식회사 반도체 집적 회로의 해킹 검출기 및 그것의 검출 방법
US7932725B2 (en) 2007-06-14 2011-04-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Hacking detector circuit for semiconductor integrated circuit and detecting method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2838696B2 (ja) 1998-12-16
DE19610555A1 (de) 1997-07-17
KR100198617B1 (ko) 1999-06-15
JPH09180491A (ja) 1997-07-11
DE19610555C2 (de) 1998-06-04
US5818268A (en) 1998-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970051249A (ko) 모오스(mos) 캐패시터의 누설전압 감지회로
KR970075934A (ko) 최대 전력점 검출회로
US6344959B1 (en) Method for sensing the output voltage of a charge pump circuit without applying a load to the output stage
TW352437B (en) Multiple level voltage generator for semiconductor memory device
KR960032486A (ko) 반도체집적회로장치 및 리프레시타이머 주기조정방법
US4885476A (en) Power-on reset circuit
KR960037430A (ko) 콘덴서 용량진단회로
KR940010363A (ko) 광전변환 시스템
JPH04134271A (ja) 出力回路
US5386152A (en) Power-on reset circuit responsive to a clock signal
US6137287A (en) Physical parameter sensor having a self-testing circuit which recognizes an abnormal sensor state
KR860009420A (ko) 내부회로의 동작모드 스위칭 기능을 갖는 반도체 집적회로
KR950003946A (ko) 전력 연산장치
JP2915928B2 (ja) ピーク検出器
AU2316402A (en) A method for non-destructive readout and apparatus for use with the method
US5912562A (en) Quiescent current monitor circuit for wafer level integrated circuit testing
EP4339628A1 (en) Measurement system, related integrated circuit and method
US4496855A (en) High voltage level detector and method
KR840002109A (ko) 전류 탈침 신호처리 회로
JP2764984B2 (ja) 電流センス回路
KR970051248A (ko) 모오스 캐패시터의 누설전압감지회로
KR0151493B1 (ko) 충전기의 -△v 검출회로
KR930005022A (ko) 메모리 셀의 리키지 센싱장치
KR940019073A (ko) 플로우팅 감지 회로
JPH0193176A (ja) 光検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120222

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee