KR970051237A - 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치 - Google Patents
반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치 Download PDFInfo
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Abstract
메모리 장치의 억세스 시간과 데이터 출력 홀드 시간과의 시간 차이를 최소화시키기 위한 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치를 개시한다. 반도체 메모리 장치에 있어서, 데이터 출력 홀드 시간 보상을 하기 위해 입력 신호 변화를 감지하여 펄스를 생성하는 ATD 회로; 상기 ATD회로의 출력으로 입력으로 하여 센스 앰프를 제어하는 센스 앰프 제어 로직; 및 상기 센스 앰프 제어 로직의 제어에 의해 데이터를 저장할 수 있는 레지스터를 구비하는 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치를 제공한다. 상기 ATD회로는 메모리 셀의 지정을 위한 어드레스 신호와, 메모리 장치의 칩 인에이블 또는 디져브를 제어하는신호, 그리고 리드 또는 라이트를 제어하는신호인 제어신호를 조합하여 감지하도록 구성된다.
따라서, 본 발명에 의하면, 반도체 메모리 장치에서 데이터 출력시 일정한 시간동안 데이터 출력을 유지시켜줌과 동시에 엑세스 시간과의 시간 차이를 최소화 시켜줌으로써 메모리 장치를 사용하는 사용자로 하여금 효율적으로 시스템 응용할 수 있는 반도체 메모리 장치를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명의 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 제어 방법을 나타낸 블럭도, 회로도 및 타이밍도이다.
Claims (2)
- 반도체 메모리 장치에 있어서, 데이터 출력 홀드 시간 보상을 하기 위해 입력 신호 변화를 감지하여 펄스를 생성하는 ATD회로; 상기 ATD회로의 출력으로 입력으로 하여 센스 앰프를 제어하는 센스 앰프 제어 로직; 및 상기 센스 앰프 제어 로직의 제어에 의해 데이터를 저장할 수 있는 레지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 ATD회로는 메모리 셀의 지정을 위한 어드레스 신호와, 메모리 장치의 칩 인에이블 또는 디져블을 제어하는신호, 그리고 리드 또는 라이트를 제어하는신호인 제어신호를 조합하여 감지하도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950057019A KR970051237A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950057019A KR970051237A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970051237A true KR970051237A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66618274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950057019A KR970051237A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 반도체 메모리 장치의 출력 제어 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR970051237A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057019A patent/KR970051237A/ko not_active Application Discontinuation
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