KR970049017A - 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 - Google Patents
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Abstract
리소그패피 공정에서 노광 전,후의 용해도 차이가 커서 우수한 콘트라스트를 얻을 수 있으며, 형성된 패턴의 변형이 적어 높은 해상도를 얻을 수 있는 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지가 개시되어 있다. 본 발명에 따라, 노광 전에는 용해 억제 그룹으로서 작용하며, 노광공정에서 고리 열림 반응에 의해 현상액에 용해될수 있는 치환기를 갖는 고분자를 레지스트의 베이스 수지로서 채용하여 리소그래피 공정을 수행할 경우, 노광전,후의 용해도 차이가 커서 우수한 콘트라스트를 얻을 수 있으며, 형성된 패턴의 변형이 적어 높은 해상도를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 하기식(I)로 표시되는 반복 단위와 하기식 (Ⅱ) 및 (Ⅲ) 중의 어느 하나로 표시되는 반복 단위를 구비하는 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트용 베이스 수지.여기서, R1=H, CH3임.
- 제1항에 있어서, 상기 식 (I)이 차지하는 부분이 전체 수지의 60-90%인 것을 특징으로 하는 베이스 수지.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057105A KR970049017A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950057105A KR970049017A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970049017A true KR970049017A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66619025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950057105A KR970049017A (ko) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970049017A (ko) |
-
1995
- 1995-12-26 KR KR1019950057105A patent/KR970049017A/ko not_active Application Discontinuation
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Legal Events
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| WITN | Withdrawal due to no request for examination |