KR970076085A - 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지에 관한 것이다. 감광도가 크고 노광 전, 후의 용해도 차이가 큰 본 발명의 수지를 주성분으로 하는 화학 증폭형 레지스트는 고해상도의 패턴을 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지는 고집적의 반도체 칩을 제조하기 위한 리소그래픽 공정에 이용하는데 적합하다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (1)
- 하기식(I)로 표시되며 중량 평균 분자량이 5,000 내지 20.000인 것을 특징으로 하는 화학증폭형 레지스트용 베이스 수지.여기에서, R은 t-부틸기 또는 테트라히드로피라닐기이고, m/(m+n)=0.1∼0.9임.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015594A KR970076085A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960015594A KR970076085A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970076085A true KR970076085A (ko) | 1997-12-10 |
Family
ID=66220059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960015594A KR970076085A (ko) | 1996-05-11 | 1996-05-11 | 화학 증폭형 레지스트용 베이스 수지 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970076085A (ko) |
-
1996
- 1996-05-11 KR KR1019960015594A patent/KR970076085A/ko not_active Application Discontinuation
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