KR970030854A - 불휘발성 메모리장치의 제조방법 - Google Patents

불휘발성 메모리장치의 제조방법 Download PDF

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김상수
박종훈
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

불휘발성 메모리장치의 제조방법에 대해 기재되어 있다.
플로팅 게이트, 유전체층 및 컨트롤 게이트로 구성되는 게이트전극을 구비하는 불휘발성 메모리장치의 제조방법에 있어서, 게이트전극을 패터닝하기 위한 사진식각공정 진행 후, 결과물 전면에 보호막을 형성하여 주는 것을 특징으로 한다.
따라서, 터널산화막의 손상을 방지하여 소자의 신뢰성을 확보할 수 있다.

Description

불휘발성 메모리장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3e도는 본 발명에 의한 불휘발성 메모리장치의 제조방법을 위한 단면도이다.

Claims (2)

  1. 플로팅 게이트, 유전체층 및 컨트롤 게이트로 구성되는 게이트전극을 구비하는 불휘발성 메모리장치의 제조 방법에 있어서, 상기 게이트전극을 패터닝하기 위한 사진식각공정 진행 후, 결과물 전면에 보호막을 형성하여 주는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리장치의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호막은 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 메모리장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950042792A 1995-11-22 1995-11-22 불휘발성 메모리장치의 제조방법 KR970030854A (ko)

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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01171229A (ja) * 1987-12-25 1989-07-06 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置
JPH05304300A (ja) * 1992-04-28 1993-11-16 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置
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JPH06163916A (ja) * 1992-11-25 1994-06-10 Rohm Co Ltd 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

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