KR970024160A - 반도체 장치의 휴즈회로(A fuse circuit of a semiconductor device) - Google Patents

반도체 장치의 휴즈회로(A fuse circuit of a semiconductor device) Download PDF

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KR970024160A
KR970024160A KR1019950035600A KR19950035600A KR970024160A KR 970024160 A KR970024160 A KR 970024160A KR 1019950035600 A KR1019950035600 A KR 1019950035600A KR 19950035600 A KR19950035600 A KR 19950035600A KR 970024160 A KR970024160 A KR 970024160A
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fuse
efn
circuit
lfn
laser
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KR1019950035600A
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Inventor
최정혁
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 일부 또는 모든 레이저 휴즈에 전기적 휴즈를 추가하여 리페어 휴즈로 패키지 이전에 레이저 휴즈를 사용하고 패키지 이후에 전기적 휴즈를 사용할 수 있도록 하여 리던던시 블럭(Redundancy Block)의 사용효율을 증가시킬 수 있도록 하는 반도체 장치의 휴즈 회로에 관한 것으로, 복수의 휴즈를 직렬 연결하여 구성된다.
즉 본 발명은 기준 전원서(Vcc)과 입력 전원선 사이에 연결되어 리던던시 회로의 사용시 휴즈를 선택하기 위해 스위칭되는 휴즈 선택용 스위칭소자, 상기 휴즈 선택용 스위칭 소자에 일단이 연결되어 휴즈 컷팅시 전류의 흐름을 이용하는 전기적 휴즈, 상기 전기적 휴즈의 타단에 일단이 연결되어 휴즈 컷팅시 레이저를 이용하는 레이저 휴즈, 및 상기 전기적 휴즈의 타단에 연결되어 상기 전기적 휴즈의 컷팅시 스위칭되는 프로그램용 스위칭 소자를 포함하여 구성되어, 휴즈 리페어 효율을 증가시키는 효과가 있다.

Description

반도체 장치의 휴즈회로(A fuse circuit of a semiconductor device)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 휴즈 회로의 구성도.

Claims (13)

  1. 전기적 단락에 의해 정보를 저장하는 반도체 장치의 휴즈 회로에 있어서, 복수의 휴즈(EF1-EFn, LF1-LFn)를 직렬 연결하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 휴즈(EF1-EFn, LF1-LFn)는 휴징 메카니즘이 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 복수의 휴즈(EF1-EFn, LF1-LFn)는 전류 흐름을 이용하는 전기적 휴즈(EF1-EFn)와 레이저를 이용하는 레이저 휴즈(LF1-LFn)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 휴즈(EF1-EFn, LF1-LFn)는 폴리실리콘(Polysilicon)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 휴즈(EF1-EFn, LF1-LFn)는 폴리사이드(polycide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  6. 제3항에 있어서, 상기 레이저 휴즈(LF1-LFn)의 길이는 상기 전기적 휴즈(EF1-EFn)의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  7. 전기적 단락에 의해 정보를 저장하는 반도체 장치의 휴즈 회로에 있어서, 기준 전원서(Vcc)과 입력 전원선 사이에 연결되어 리던던시 회로의 사용시 휴즈를 선택하기 위해 스위칭되는 휴즈 선택용 스위칭 소자, 상기 휴즈 선택용 스위칭 소자에 일단이 연결되어 휴즈 컷팅시 전류의 흐름을 이용하는 전기적 휴즈(EF1-EFn), 상기 전기적 휴즈(EF1-EFn)의 타단에 일단이 연결되어 휴즈 컷팅시 레이저를 이용하는 레이저 휴즈(LF1-LFn), 및 상기 전기적 휴즈(EF1-EFn)의 타단에 연결되어 상기 전기적 휴즈(EF1-EFn)의 컷팅시 스위칭되는 프로그램용 스위칭 소자를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 레이저 휴즈(LF1-LFn)의 타단과 접지선 사이에 연결되어 읽기시 스위칭되어 읽기 경로를 형성하기 위한 읽기용 스위칭 소자를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  9. 제7항에 있어서, 상기 휴즈 선택용 스위칭 소자는 MOS 트랜지스터(60)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  10. 제7항에 있어서, 프로그램용 스위칭 소자는 MOS 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  11. 제7항에 있어서, 상기 프로그램용 스위칭 소자는 상기 전기적 휴즈(EF1-EFn)의 타단과 접지선에 사이에 연결된 휴즈 컷팅용 바이폴라(Trc1-Trcn), 및 상기 휴즈 컷팅용 바이폴라(Trc1-Trcn)의 베이스와 접지선 사이에 연결되어 프로그램시 프로그램 경로를 형성하는 MOS 트랜지스터(Trp1-Trpn)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  12. 제7항에 있어서, 상기 휴즈 선택용 스위칭 소자의 구동 능력은 상기 프로그램용 스위칭 소자의 구동 능력 보다 적은 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
  13. 제7항에 있어서, 상기 레이저 휴즈(LF1-LFn)는 페키지 이전에 리페어가 가능하고 상기 전기적 휴즈(EF1-EFn)는 페키지 이후에 리페어가 가능한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 휴즈 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035600A 1995-10-16 1995-10-16 반도체 장치의 휴즈회로(A fuse circuit of a semiconductor device) KR970024160A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100498456B1 (ko) * 2001-12-28 2005-07-01 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 포스트 리페어 회로 및 방법
KR100728952B1 (ko) * 2004-07-21 2007-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 전기적 퓨즈 형성방법
KR101502384B1 (ko) * 2013-11-19 2015-03-13 동아하이테크 주식회사 팬모터 제어용 레지스터 장치

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