KR970022700A - 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법 - Google Patents
비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR970022700A KR970022700A KR1019950036823A KR19950036823A KR970022700A KR 970022700 A KR970022700 A KR 970022700A KR 1019950036823 A KR1019950036823 A KR 1019950036823A KR 19950036823 A KR19950036823 A KR 19950036823A KR 970022700 A KR970022700 A KR 970022700A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data
- nonvolatile memory
- address
- memory unit
- unit
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F9/00—Arrangements for program control, e.g. control units
- G06F9/06—Arrangements for program control, e.g. control units using stored programs, i.e. using an internal store of processing equipment to receive or retain programs
- G06F9/44—Arrangements for executing specific programs
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/30—Monitoring
- G06F11/34—Recording or statistical evaluation of computer activity, e.g. of down time, of input/output operation ; Recording or statistical evaluation of user activity, e.g. usability assessment
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Software Systems (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법에 관한 것으로, 프로그램 시간을 단축하고 라이트(Write)동작시 불필요한 반복동작을 감소시키고 고가의 테스트 장비가 한번 프로그램 할 때만 쓰이므로 비용이 절감되는 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.
이를 위한 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치는 복수개의 어드레스 라인 및 데이터 라인과, 제어 입력을 위한 OE(Output Enable)가 인가되어 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리부와, 상기 비휘발성 메모리의 각각의 어드레스에 입력될 데이터와 쓰여진 데이터를 비교하는 데이터 비교회로부와, 상기 데이터 비교회로부의 비교결과에 의한 에러데이터를 저장하는 메모리부(RAM)와, 상기 비교회로부의 신호를 받아 상기 메모리부의 어드레스를 카운트하는 카운터부를 포함하여 구성되며 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 방법은 비휘발성 메모리의 처음 어드레스에서부터 마지막 어드레스까지 데이터를 라이트(Write)하는 제1단계, 상기 비휘발성 메모리에 쓰여진 데이터를 리드(Redd)히는 제2단계, 상기 리드(Redd)한 데이터를 데이터 비교회로부에서 비교하여 입력될 데이터와 쓰여진 데이터가 같으면 라이트(Write)동작을 끝내고 서로 다르면 해당 데이터를 메모리부(RAM)에 저장하는 제3단계, 상기 메모리부에 저장된 데이터를 다시 비휘발성 메모리부에 라이트(Write)한 다음 상기 제3단계 동작을 반복하는 제4단계, 상기 제4단계 동작이 일정횟수(Limit)만큼 반복하여 일정횟수가 되면 불량(fail)처리하는 제5단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치의 구성블럭도.
제5도는 제3도의 비휘발성 메모리의 프로그램 장치의 상세도.
Claims (2)
- 복수개의 어드레스 라인 및 데이터 라인과, 제어입력을 위한 OE(Output Enable)가 인가되어 데이터를 저장하는 비휘발성 메모리부와, 상기 비휘발성 메모리의 각각의 어드레스에 입력될 데이터와 쓰여진 데이터를 비교하는 데이터 비교회로부와, 상기 데이터 비교회로부의 비교결과에 의한 에러데이터를 저장하는 메모리부(RAM)와, 상기 비교회로부의 신호를 받아 상기 메모리부의 어드레스를 카운트하는 카운터부를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 프로그램 장치.
- 비휘발성 메모리의 처음 어드레스에서부터 마지막 어드레스까지 데이터를 라이트(Write)하는 제1단계, 상기 비휘발성 메모리에 쓰여진 데이터를 리드(Redd)하는 제2단계, 상기 리드(Redd)한 데이터를 데이터 비교회로부에서 비교하여 입력될 데이터와 쓰여진 데이터가 같으면 라이트(Write)동작을 끝내고 서로 다르면 해당데이터를 메모리부(RAM)에 저장하는 제3단계, 상기 메모리부에 저장된 데이터를 다시 비휘발성 메모리부에 라이트(Write)한 다음 상기 제3단계 동작을 반속하는 제4단계, 상기 제4단계 동작이 일정횟수(Limit)만큼 반족하여 일정횟수가 되면 불량(fail)처리하는 제5단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 비휘발성 메모리의 프로그램 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950036823A KR0186192B1 (ko) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950036823A KR0186192B1 (ko) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970022700A true KR970022700A (ko) | 1997-05-30 |
KR0186192B1 KR0186192B1 (ko) | 1999-05-15 |
Family
ID=19431079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950036823A KR0186192B1 (ko) | 1995-10-24 | 1995-10-24 | 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0186192B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100319870B1 (ko) * | 1999-08-23 | 2002-01-10 | 윤종용 | 비휘발성 메모리에 저장된 데이터의 안전 처리방법 |
-
1995
- 1995-10-24 KR KR1019950036823A patent/KR0186192B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100319870B1 (ko) * | 1999-08-23 | 2002-01-10 | 윤종용 | 비휘발성 메모리에 저장된 데이터의 안전 처리방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR0186192B1 (ko) | 1999-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69430598D1 (de) | Prüfverfahren für programmierbare nicht flüchtige Halbleiterspeichervorrichtung | |
KR950006865A (ko) | 반도체 불휘발성 메모리장치 | |
KR970072488A (ko) | 기억 시스템 | |
KR930020467A (ko) | 불휘발성 반도체 기억장치 | |
KR930004859A (ko) | 에러 조정 및 테스트 기능을 가진 프로그램 가능 메모리 제어 방법 및 장치 | |
KR970051455A (ko) | 리던던트셀 테스트 제어회로를 구비하는 반도체 메모리장치 | |
KR940022578A (ko) | 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치 | |
US6188603B1 (en) | Nonvolatile memory device | |
KR100305679B1 (ko) | 반도체 메모리 장치의 테스터의 테스터 방법 및 그 장치 | |
KR880014761A (ko) | 직접 메모리 억세스용 데이타 전송 제어장치 | |
KR100200481B1 (ko) | 테스트 회로 | |
KR900008517A (ko) | 다이나믹형 반도체기억장치와 그 기능 테스트장치 및 테스트 방법 | |
KR970022700A (ko) | 비휘발성 메모리의 프로그램 장치 및 방법 | |
KR950006876A (ko) | 롤콜 회로 | |
US20020176294A1 (en) | Multi-bit parallel testing for memory devices | |
KR970051437A (ko) | 반도체 메모리 장치의 고속 디스터브 테스트 방법 및 워드라인 디코더 | |
JPS5769599A (en) | Checking method of memory device | |
JPS6132756B2 (ko) | ||
JPS585681A (ja) | 半導体メモリ試験装置 | |
CN101425287B (zh) | 对显示器功能编程的装置与方法 | |
JPH06236681A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100313086B1 (ko) | 메모리장치의 뱅크 억세스 카운터 | |
KR970029013A (ko) | 듀얼 리드포트 레지스터 화일 뱅크회로 및 방법 | |
US20040057307A1 (en) | Self-test circuit and a method for testing a memory with the self-test circuit | |
SU329578A1 (ru) | Магнитное запоминающее устройство |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20081125 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |