KR970016766A - 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 180°/0° 위상경계부의 패턴 에러 현상을 막기 위해 유기질 감광제의 열적 변형과 CMP(화학적 물리적 연마) 기술을 이용 천이층(shifet)를 형성하는 마스크 및 그 제조 방법이다.
본 발명의 마스크 및 그 제조 방법은 기판 ; 기판 상에 형성된 투광성 전도층 ; 상기 투광성 전도층 상에 복수개의 일정 간격으로 형성된 불수물 도핑된 감광제층 ; 상기 불순물 도핑된 감광제층쌍들 사이에 형성된 반구형 위상반전층 ; 그리고 반구형 위상반전층의 상부를 평탄화 시키는 것을 특징으로 하는 마스크와, 기판 ; 기판 상부에 임의층을 형성하는 공정 ; 임의층의 소정 영역에 불순물을 확산시켜 차폐막을 형성하는 공정 ; 불순물이 확산되지 않은 임의층을 제거하는 공정 ; 기판과 차폐막상의 위상반전 영역에 반구형 위상반전층을 형성하는 공정 ; 반구형 위상반전층의 상부를 연마하여 평탄화 시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법이다.
또한 또 다른 마스크 및 제조 방법은 기판 ; 상기 기판 상에 형성된 투광성 전도층 ; 상기 투광성 전도층 상에 일정 간격으로 형성된 복수개의 반구형 위상반전층 ; 상기 반구형 위상반전층 양측 면에 이웃과 닿지 않을 정도의 두께로 형성된 불순물 도핑된 감광체 ; 그리고 상기 반구형 위상반전층과 불순물 도핑된 감광제들 상부를 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 마스크와 기판 ; 그 기판의 위상반전 영역에 반구형 위상반전층을 형성하는 공정 ; 그 기판과 그 반구형 위상반전층에 임의층을 형성하는 공정 ; 그 반구형 위상반전층의 최소한 일측면의 임의층에 불순물을 확산시켜 차폐막을 형성하는 공정 ; 위상반전층 상부가 노출되도록 차폐막과 임의층을 연마하는 공정 ; 그리고 불순물이 확산되지 않은 임의층을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법이다.

Description

마스크 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 4도는 본 발명의 제 1실시예 공정 단면도들,
제 5도는 전사장치의 구조도.

Claims (38)

  1. 기판 ; 기판상에 형성된 투광성 전도층 ; 상기 투광성 전도층 상에 복수개의 일정 간격으로 형성된 불순물 도핑된 감광제층 ; 상기 불순물 도핑된 감광제층쌍들 사이에 형성된 반구형 위상반전층 ; 그리고 반구형 위상반전층의 상부를 평탄화 시키는 것을 특징으로 하는 마스크.
  2. 제 1항에 있어서, 불순물 도핑된 감광제층은 일정 간격으로의 전자빔 전사에 의해 불순물이 도핑되어 형성됨을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제 1항에 있어서, 반구형 위상반전층은 반구형 위상반전층 사이에 하나씩 존재하게 되도록 형성된 투광부를 가지는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 제 3항에 있어서, 투광부는 빛의 감량 없이 투광하는 부위임을 특징으로 하는 마스크.
  5. 제 1항에 있어서, 반구형 위상반전층 상부를 평탄화시켜 투광되는 빛이 상부에 수직으로 입사되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  6. 기판 ; 기판 상부에 임의층을 형성하는 공정 ; 임의층의 소정 영역에 불순물을 확산시켜 차폐막을 형성하는 공정 ; 불순물이 확산되지 않은 임의층을 제거하는 공정 ; 기판과 차폐막 상의 위상반전 영역에 반구형 위상반전층을 형성하는 공정 ; 반구형 위상반전층의 상부를 연마하여 평탄화시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조방법.
  7. 제 6항에 있어서, 기판은 투광성 기판으로 하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  8. 제 6항에 있어서, 기판과 임의층 사이에 전도성 투광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  9. 제 8항에 있어서, 전도성 투광층은 산화주석(SnO2)으로 하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  10. 제 6항에 있어서, 임의층은 무기질 감광층이며 전자빔과 자외선에 감광되며, GexSe1-x의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  11. 제 10항에 있어서, 무기질 감광층은 Ge10Se90을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  12. 제 6항에 있어서, 임의층에 불순물을 확산시키는 공정을 상부에서 일정 간격으로 전자빔을 선택적으로 전사하여 일정 간격으로 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  13. 제 6항에 있어서, 불순물은 은(Ag)을 함유하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  14. 제 6항에 있어서, 불순물이 확산되지 않은 임의층을 제거하는 것을 산으로 제거가 가능하며, HCl-HNO3-H2O 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  15. 제 6항에 있어서, 위상반전층은 유기질 감광제로 사용하고, 물질을 PMMA(Poly Methyl Metha Crylate)이며, 두께는(n : 굴절률, λ : 광원의 파장)임을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  16. 제 6항에 있어서, 위상반전층 상에는 보호막으로 덮히게 함을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  17. 제 16항에 있어서, 보호막은 무기질 감광제(GexSe1-x)이며, 화학기상증착 스퍼터링(CVD Sputtering)으로 함을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  18. 제 16항에 있어서, 보호막은 Novolack 레지스트임을특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  19. 제 6항에 있어서, 반구형 위상반전층은 열처리 한 후에는 측벽이 그 기판에 수직되지 않는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 측벽 각도는 기판에 대해 30°~80°가 되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  21. 기판 ; 상기 기판 상에 형성된 투광성 전도층 ; 상기 투광성 전도층 상에 일정 간격으로 형성된 복수개의 반구형 위상반전층 ; 상기 반구형 위상반전층 양측 면에 이웃과 닿지 않을 정도의 두께로 형성된 불순물 도핑된 감광체 ; 그리고 상기 반구형 위상반전층과 불순물 도핑된 감광제들 상부를 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 마스크.
  22. 제 21항에 있어서, 반구형 위상반전층은 일정 간격의 전자빔 전사로 형성됨을 특징으로 하는 마스크.
  23. 제 21항에 있어서, 불순물 도핑된 감광층은 선택적으로 전자빔 전사에 의해 반구형 위상반전층 양측면에 기둥 모양으로 형성됨을 특징으로 하는 마스크.
  24. 제 21항에 있어서, 불순물 도핑된 감광체들과 반구형 위상반전층 상부가 평탄화시켜 투광된 빛이 상부에 수직으로 입사되는 것을 특징으로 하는 마스크.
  25. 기판 ; 그 기판의 위상반전 영역에 반구형 위상반전층을 형성하는 공정 ; 그 기판과 그 반구형 위상반전층에 임의층을 형성하는 공정 ; 그 반구형 위상반전층의 최소한 일측면의 임의층에 불순물을 확산시켜 차폐막을 형성하는공정 ; 위상반전층 상부가 노출되도록 차폐막과 임의층을 연마하는 공정 ; 그리고 불순물이 확산되지 않은 임의층을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  26. 제 25항에 있어서, 기판은 투광성 기판임을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  27. 제 25항에 있어서, 기판과 반구형 위상반전층 사이에 전도성 투광층을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  28. 제 27항에 있어서, 전도성 투광층은 산화주석(SnO2)으로 하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  29. 제 25항에 있어서, 반구형 위상반전층은 위상반전층에 선택적으로 전자빔 조사를 하여 패터닝하고, 이를 열처리함을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  30. 제 29항에 있어서, 위상반전층은 유기질 감광제를 사용하고, 물질은 PMMA(Poly Methyl Metha Crylate)이며, 두께는(n : 굴절률, λ : 광원의 파장)임을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  31. 제 25항에 있어서, 반구형 위상반전층은 위상반전층을 열처리 한 후에는 측벽이 그 기판에 수직되지 않는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  32. 제 31항에 있어서, 측벽 각도는 기판에 대해 30°~80°가 되는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  33. 제 25항에 있어서, 임의층은 무기질 감광층이며 전자빔과 자외선에 감광되며, GexSe1-x의 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  34. 제 33항에 있어서, 무기질 감광층은 Ge10Se90을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  35. 제 25항에 있어서, 불순물은 은(Ag)을 함유하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  36. 제 25항에 있어서, 차폐막은 은(Ag) 도핑된 무기질 감광제로 이루어짐을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  37. 제 25항에 있어서, 연마는 화학적 기계적 연마(Chemical Mechenical Polishing)을 사용하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
  38. 제 25항에 있어서, 불순물이 확산되지 않은 임의층을 제거하는 공정은 산으로 제거가 가능하며, HCl-HNO3-H2O 용액을 사요하는 것을 특징으로 하는 마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2962272B2 (ja) * 1997-04-18 1999-10-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP2000206671A (ja) * 1999-01-13 2000-07-28 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法
US6534225B2 (en) 2001-06-27 2003-03-18 International Business Machines Corporation Tapered ion implantation with femtosecond laser ablation to remove printable alternating phase shift features
US6757971B2 (en) * 2001-08-30 2004-07-06 Micron Technology, Inc. Filling plugs through chemical mechanical polish
JP6443321B2 (ja) 2015-12-24 2018-12-26 株式会社オートネットワーク技術研究所 電線保護部材及びワイヤーハーネス
JP6315033B2 (ja) * 2016-07-09 2018-04-25 大日本印刷株式会社 フォトマスク

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53129637A (en) * 1977-04-19 1978-11-11 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Mask for photoetching
JPS5451831A (en) * 1977-09-30 1979-04-24 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photomask material
JPS56148829A (en) * 1980-04-21 1981-11-18 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Forming method for pattern
JPS57105739A (en) * 1980-12-24 1982-07-01 Fujitsu Ltd Production of mask
JP2624354B2 (ja) * 1990-03-26 1997-06-25 松下電子工業株式会社 ホトマスク製造方法
US5254418A (en) * 1990-10-22 1993-10-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing photomask
JPH05158214A (ja) * 1991-03-13 1993-06-25 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 位相シフトマスクおよびその製造方法
KR940005606B1 (ko) * 1991-05-09 1994-06-21 금성일렉트론 주식회사 측벽 식각을 이용한 위상 반전 마스크 제조방법
US5281500A (en) * 1991-09-04 1994-01-25 Micron Technology, Inc. Method of preventing null formation in phase shifted photomasks
JP2759582B2 (ja) * 1991-09-05 1998-05-28 三菱電機株式会社 フォトマスクおよびその製造方法
JPH05303190A (ja) * 1992-04-24 1993-11-16 Hitachi Ltd 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法
JP2781322B2 (ja) * 1992-04-27 1998-07-30 三菱電機株式会社 ホトマスクの製造方法
US5268244A (en) * 1992-08-13 1993-12-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Self-aligned phase shifter formation
JP3222637B2 (ja) * 1993-06-30 2001-10-29 株式会社東芝 位相シフトマスク
US5532089A (en) * 1993-12-23 1996-07-02 International Business Machines Corporation Simplified fabrication methods for rim phase-shift masks
US5470681A (en) * 1993-12-23 1995-11-28 International Business Machines Corporation Phase shift mask using liquid phase oxide deposition

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Publication number Publication date
JP2816833B2 (ja) 1998-10-27
JPH0990602A (ja) 1997-04-04
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