KR970013028A - 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 반도체 소자의 제조 방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제 반도체 소자가 고집적화되면서 점차로 게이트 전극파 소자 분리막의 간격도 감소하게 되어 게이트 전극 형성을 위한 포트레지스트 패턴 형성 수행시 게이트 전극에 인접하는 소자 분리막에 의한 빛의 난반사 현상이 증가하므로써 게이트 전극 형성을 위한 포트레지스트 패턴의 포로파일이 나빠지는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지 반도체 소자의 확산 영역은 가려지고, 확산 영역과 인접하는 소자 분리막의 일부는 오픈되도록 하는 포트레지스트 패턴을 형성한 후 상기 포트레지스트 패턴을 식각배리어로 이용하여 상기 소자 분리막의 일부를 식각함으로써 게이트 전극을 형성하기 위한 포트레지스트 패턴 형성 수행시 빛의 난반사를 감소 시켜 양호한 게이트 전극을 형성할 수 있는 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법을 제공하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도 반도체 소자의 제조, 특히 반도체 소자의 게이트 전극 형성에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2D도는 본 발명의 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 따른 제조 공정도
Claims (1)
- 소자 분리막이 형성된 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법에 있어서, 전체 구조 상부에 포트레지스트를 도포한 후 확산 영역은 가려지고, 상기 소자 분리막의 확산 영역과 인접하는 부분의 일부는 오픈되도록 하는 제1 포트레지스트 패턴을 형성하는 단계과; 상기 제1 포트레지스트 패턴을 식각베리어로 이용하여 상기 소자 분리막의 일부를 식각하는 단계와, 상기 제1포트레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 전체 구조 상부에 게이트 산화막, 게이트 전극용 폴리실리콘을 차례로 형성하는 단계와, 게이트 전극을 형성하기 위한 제2 포트레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2 포트레지스트 패턴을 식각 베리어 이용하여 상기 게이트 전극용 폴리실리콘, 게이트 전극을 차례로 식각하여 게이트 전극을 형성하는 단계 및, 상기 제2 포트레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함해서 이루어진 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025423A KR970013028A (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950025423A KR970013028A (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970013028A true KR970013028A (ko) | 1997-03-29 |
Family
ID=66595338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950025423A KR970013028A (ko) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970013028A (ko) |
-
1995
- 1995-08-18 KR KR1019950025423A patent/KR970013028A/ko not_active Application Discontinuation
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