KR970008517A - 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지 - Google Patents

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심성민
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김광호
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Abstract

메탈 쿼드 패키지에 있어서, 상층의 도전층의 다이패드 패턴이 상층의 도전층의 전원용(또는 접지용) 리이드 패턴에 일체로 연결되고, 접지용(또는 전원용) 리이드 패턴이 비아 홀에 의해 하층의 금속층에 전기적으로 연결되어 반도체 칩 패키지 자체가 감결합 캐패시터를 갖고 있음으로써 별도의 감결합 캐패시터가 별도로 설치되지 않고도 노이즈의 감소가 이루어지고 또한 실장밀도가 증가되는 효과가 있다.

Description

노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 (A)는 본 발명의 실시예에 의한 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지의 구조를 나타낸 평면도, 제3도 (B)는 제3도 B-B선에 따른 단면도.

Claims (8)

  1. 메탈 쿼드 패키지에 있어서, 하층의 도전층과; 그 하층의 도전층상에 형성되는 유전층과; 그 유전층상에 형성된, 다이패드 패턴과 리이드 패턴들 및 그 다이패드 패턴에 전기적으로 연결되어 있는 그 리이드 패턴들중 제1전압용 리이드 패턴을 갖는 상층의 도전층과; 그 하층의 도전층에 그 리이드 패턴들중 제2전압용 리이드 패턴을 전기적으로 연결하는 연결부를 포함하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전압용 리이드 패턴이 접지용 리이드 패턴이 고 상기 제2전압용 리이드 패턴이 전원용 리이드 패턴인 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1전압용 리이드 패턴이 전원용 리이드 패턴이 고 상기 제2전압을 리이드 패턴이 접지용 리이드 패턴인 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1전압용 리이드 패턴이 그 다이패드 패턴에 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 연결부가 상기 제2전압용 리이드 패턴과 유전층을 관통하는 비아홀(via hole)과 그 비아 홀내의 도전층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  6. 제5항에 있어서, 상기 비아홀이 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  7. 제3항에 있어서, 상기 연결부가 상기 유전층의 소정의 영역이 제거된 창과 상기 창내의 노출된 하층의 도전층을 상기 제2전압용 리이드 패턴에 전기적으로 연결하는 본딩와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 반도체 칩이 상기 다이패드 패턴상에 접착되고, 그 반도체 칩의 본딩패드들에 리이드 패턴들이 각각 대응하여 전기적으로 연결되어 자체적으로 감결합 캐패시터를 갖는 것을 특징으로 하는 노이즈를 감소하기 위한 반도체 칩 패키지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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