KR970007298A - 광학적 막 두께 측정 방법, 막 형성 방법 및 반도체 레이저 장치의 제조 방법 - Google Patents

광학적 막 두께 측정 방법, 막 형성 방법 및 반도체 레이저 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970007298A
KR970007298A KR1019960027173A KR19960027173A KR970007298A KR 970007298 A KR970007298 A KR 970007298A KR 1019960027173 A KR1019960027173 A KR 1019960027173A KR 19960027173 A KR19960027173 A KR 19960027173A KR 970007298 A KR970007298 A KR 970007298A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
predetermined wavelength
monitor light
wavelength band
substrate
Prior art date
Application number
KR1019960027173A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100203229B1 (ko
Inventor
다카유키 곤도
가쭈미 모리
타케오 가네코
Original Assignee
야스카와 히데아키
세코 에푸손 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 야스카와 히데아키, 세코 에푸손 가부시끼가이샤 filed Critical 야스카와 히데아키
Publication of KR970007298A publication Critical patent/KR970007298A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100203229B1 publication Critical patent/KR100203229B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
    • G01B11/0616—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating
    • G01B11/0625—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material of coating with measurement of absorption or reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
    • H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H01S5/0042—On wafer testing, e.g. lasers are tested before separating wafer into chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18341—Intra-cavity contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
    • H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

광학적 막 두께 측정 방법 및 막 형성 방법은, 기판상에 복수의 막을 적층할 때에, 기판을 향하여 모니터광을 조사하여, 그 반사 강도의 극치에서 막의 두께를 측정한다. 적층되는 복수의 막은 소정의 파장 대역에서 98% 이상의 반사율을 갖는 제1의 막과, 이 제1의 막위에 형성되며, 상기 소정의 파장 대역에서 1000cm-1이하의 흡수 계수를 갖는 제2의 막을 포함한다. 그리고, 상기 제1의 막은, 소정 파장을 갖는 제1의 모니터광에 의해 측정되고, 상기 제2의 막은 상기 소정의 파장 대역과 다른 파장을 갖는 제2의 모터니광에 의해 측정된다.

Description

광학적 막 두께 측정 방법, 막 형성 방법 및 반도체 레이저 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제조 방법을 적용한 면발광형 반도체 레이저 장치의 단면을 모식적으로 나타내는 사시도, 제2도는 제1도에 도시한 면발광형 반도체 레이저 장치 피복층의 잔여 막 두께(t)와 외부 미분 양자 효율(슬로프 효율)값과의 관계를 나타내는 도면, 제3A도 내지 제3C도는 제1도에 나타내는 면발광형 반도체 레이저 장치의 제조 프로세서를 모식적으로 나타내는 단면도, 제4A도 내지 제4C도는 제3도에 나타내는 프로세스에 이어서 이루어지는, 제1도에 나타내는 면발광형 반도체 레이저장치의 제조 프로세스를 모식적으로 나타내는 단면도, 제5도는 제1도에 나타내는 면발광형 반도체 레이저 장치의 반도체층을 형성할 때 쓰이는 MOVPE 장치를 모식적으로 나타내는 도면.

Claims (12)

  1. 기판상에 복수의 막을 적층할 때에, 기판을 향하여 모니터광을 조사하여, 그 반사 강도의 극치에서 광학적 막 두께를 측정하는 광학적 막 두께 측정 방법에 있어서, 적층되는 복수의 막은 소정의 파장 대역에서 98% 이상의 반사율을 갖는 제1의 막과, 이 제1의 막 위에 형성되며 상기 소정의 파장 대역에서 1000cm-1이하의 흡수 계수를 갖는 제2의 막을 포함하며, 상기 제1의 막은 소정 파장을 갖는 제1의 모니터광에 의해 측정되고, 상기 제2의 막은 상기 소정의 파장 대역과 다른 파장을 갖는 제2의 모니터광에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 광학적 막 두께 측정 방법.
  2. 제1항에 있어서 상기 제2의 모니터광은 소정의 파장 대역에서 짧은 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 광학적 막 두께 측정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1의 모니터광은 소정의 파장 대역에 포함되는 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 광학적 막 두께 측정 방법.
  4. 기판상에 복수의 막을 적층하는 막 형성 방법에 있어서, 적층되는 복수의 막은 소정의 파장 대역에서 98% 이상의 반사율을 갖는 제1의 막과, 이 제1의 막 위에 형성되며 상기 소정의 파장 대역에서 1000cm-1이하의 흡수 계수를 갖는 제2의 막을 포함하며, 상기 제1의 막은 소정 파장을 갖는 제1의 모니터광을 기판을 향하여 조사하고, 그 반사 강도의 극치에서 광학적 막 두께를 모니터하면서 형성되고, 상기 제2의 막은 상기 소정의 파장 대역과 다른 파장을 갖는 제2의 모니터광을 기판을 향하여 조사하고, 그 반사 강도의 극치에서 광학적 막 두께를 모니터하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제2의 모니터광은 소정의 파장 대역에서 짧은 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
  6. 제4항 또는 5항에 있어서, 상기 제1의 모니터광은 소정의 파장 대역에 포함되는 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 막 형성 방법.
  7. 제1도전형의 화합물 반도체로 이루어지는 기판상에, 적어도 제1도전형의 분포 반사형 다층막 미러, 제1도전형의 제1피복층, 활성층, 제2도전형의 제2피복층 및 제2도전형의 콘택층을 포함하는 반도체층을 에피택시얼 성장에 의해 형성하는 공정을 포함하고, 상기 분포 반사형 다층막 미러는 성막시에 소정 파장의 제1의 모니터광을 기판을 향하여 조사하여 그 반사 강도를 측정하고, 이 반사 강도의 극치에서 굴절율이 다른 한쪽의 반도체층의 퇴적에서 다른쪽 반도체층의 퇴적으로 전환함으로써, 저굴절율의 반도체층과 고굴절율의 반도체층을 교대로 적층하여 형성되며, 소정의 파장 대역에서 98% 이상의 반사율을 가지며, 상기 제1피복층은, 상기 분포 반사형 다층막 미러에서의 상기 소정의 파장 대역과 다른 파장을 갖는 제2의 모니터광을 기판을 향하여 조사하고, 그 반사 강도의 극치를 모니터함으로써 광학적 막두께를 제어하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 분포 반사형 다층막 미러는 소정의 파장 대역에서 99% 이상의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조 방법.
  9. 제7항 또는 8항에 있어서, 상기 제1의 피복층은 1000cm-1이하의 흡수 계수를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제2의 모니터광은 소정의 파장 대역보다 작은 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조 방법.
  11. 제7항 또는 10항에 있어서, 상기 제1의 모니터광은 설계 발진 파장과 동등한 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 활성층 제2피복층 및 상기 콘택층은 상기 제1의 모니터 광에 의해 광학적 막 두께를 제어하면서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960027173A 1995-07-17 1996-07-05 광학적 막 두께 측정 방법, 막 형성 방법 및 반도체 레이저 장치의 제조방법 KR100203229B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20287295A JP3624476B2 (ja) 1995-07-17 1995-07-17 半導体レーザ装置の製造方法
JP95-202872 1995-07-17

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970007298A true KR970007298A (ko) 1997-02-21
KR100203229B1 KR100203229B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=16464602

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960027173A KR100203229B1 (ko) 1995-07-17 1996-07-05 광학적 막 두께 측정 방법, 막 형성 방법 및 반도체 레이저 장치의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5724145A (ko)
EP (1) EP0754932B1 (ko)
JP (1) JP3624476B2 (ko)
KR (1) KR100203229B1 (ko)
CN (1) CN1065046C (ko)
DE (1) DE69622943T2 (ko)
TW (1) TW368713B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101045226B1 (ko) * 2003-09-30 2011-06-30 사이머 인코포레이티드 가스 방전 ｍｏｐａ 레이저의 스펙트럼 분석 모듈

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5883720A (en) * 1996-06-26 1999-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of measuring a film thickness of multilayer thin film
JP3764794B2 (ja) * 1997-03-06 2006-04-12 松下電器産業株式会社 多層薄膜の膜厚測定方法と光学情報記録媒体の製造方法及び製造装置
JP3357596B2 (ja) * 1998-03-05 2002-12-16 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 成膜工程においてｉｎ−ｓｉｔｕに膜厚を測定する膜付着装置及びその方法
KR100315599B1 (ko) * 1998-11-19 2002-02-19 오길록 실시간레이저반사율측정장치를이용한표면방출형레이저용에피택시성장시스템및그를이용한표면방출형레이저제조방법
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
US6381021B1 (en) * 2000-06-22 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring reflectivity of deposited films
WO2002006902A2 (en) * 2000-07-17 2002-01-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
US8016277B2 (en) * 2000-08-21 2011-09-13 Board Of Regents, The University Of Texas System Flexure based macro motion translation stage
US20060005657A1 (en) * 2004-06-01 2006-01-12 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
US20050274219A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing
KR101031528B1 (ko) 2000-10-12 2011-04-27 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿
US6964793B2 (en) * 2002-05-16 2005-11-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
DE10204943B4 (de) * 2002-02-07 2005-04-21 Leica Microsystems Jena Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Schichtdicken
US6646752B2 (en) * 2002-02-22 2003-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd Method and apparatus for measuring thickness of a thin oxide layer
DE10227376B4 (de) * 2002-06-20 2005-03-31 Leica Microsystems Jena Gmbh Verfahren zur Bestimmung von Schichtdickenbereichen
US7077992B2 (en) * 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6932934B2 (en) * 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US7071088B2 (en) * 2002-08-23 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Method for fabricating bulbous-shaped vias
EP1398948B1 (en) * 2002-09-13 2013-11-06 Ricoh Company, Ltd. Image forming apparatus, methods used therein and a computer readable storage medium
US8349241B2 (en) * 2002-10-04 2013-01-08 Molecular Imprints, Inc. Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability
US20040065252A1 (en) * 2002-10-04 2004-04-08 Sreenivasan Sidlgata V. Method of forming a layer on a substrate to facilitate fabrication of metrology standards
US6929762B2 (en) * 2002-11-13 2005-08-16 Molecular Imprints, Inc. Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes
JP3795007B2 (ja) 2002-11-27 2006-07-12 松下電器産業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US6871558B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-29 Molecular Imprints, Inc. Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries
US7452574B2 (en) * 2003-02-27 2008-11-18 Molecular Imprints, Inc. Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer
US20040168613A1 (en) * 2003-02-27 2004-09-02 Molecular Imprints, Inc. Composition and method to form a release layer
US7815862B2 (en) * 2003-03-14 2010-10-19 Alliance For Sustainable Energy, Llc Wafer characteristics via reflectometry
US7122079B2 (en) * 2004-02-27 2006-10-17 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US20050160934A1 (en) * 2004-01-23 2005-07-28 Molecular Imprints, Inc. Materials and methods for imprint lithography
US7157036B2 (en) * 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7136150B2 (en) * 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US8076386B2 (en) * 2004-02-23 2011-12-13 Molecular Imprints, Inc. Materials for imprint lithography
US7906180B2 (en) * 2004-02-27 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
JP4542807B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置、ならびにゲート絶縁膜の形成方法
US20050276919A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Method for dispensing a fluid on a substrate
US20050275311A1 (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Molecular Imprints, Inc. Compliant device for nano-scale manufacturing
US20050286386A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Edwards Jathan D Dichroic coating for holographic data storage media
US7785526B2 (en) * 2004-07-20 2010-08-31 Molecular Imprints, Inc. Imprint alignment method, system, and template
EP1789752A4 (en) * 2004-09-13 2009-11-04 Univ South Carolina THIN-FILTER INTERFERENTIAL FILTER AND BOOTSTRAP METHOD OF CONTROLLING THE THIN FILM INTERFERENTIAL FILTER DEPOSITION PROCESS
US7630067B2 (en) * 2004-11-30 2009-12-08 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices
US20070231421A1 (en) * 2006-04-03 2007-10-04 Molecular Imprints, Inc. Enhanced Multi Channel Alignment
US20060145398A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Board Of Regents, The University Of Texas System Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks
JP4830358B2 (ja) * 2005-06-14 2011-12-07 富士ゼロックス株式会社 面発光レーザの製造方法
KR101178908B1 (ko) * 2005-07-29 2012-09-03 삼성디스플레이 주식회사 화소전극 두께 모니터링 방법
JP4492553B2 (ja) * 2006-01-30 2010-06-30 富士ゼロックス株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
JP5024923B2 (ja) * 2006-04-28 2012-09-12 株式会社リコー 薄膜製造装置、薄膜製造方法および膜厚制御方法
JP4269180B2 (ja) 2006-07-14 2009-05-27 セイコーエプソン株式会社 光素子の製造方法
KR100853788B1 (ko) * 2006-11-27 2008-08-25 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서에서의 층 두께 측정 방법 및 이를 위한 이미지센서의 두께 측정 패턴
JP5074800B2 (ja) * 2007-03-29 2012-11-14 古河電気工業株式会社 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子の製造方法
JP2010192056A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Showa Denko Kk インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
CN102005401A (zh) * 2010-09-10 2011-04-06 上海宏力半导体制造有限公司 外延薄膜厚度测量方法
JP5126909B2 (ja) * 2010-10-08 2013-01-23 株式会社シンクロン 薄膜形成方法及び薄膜形成装置
JP5681452B2 (ja) * 2010-11-08 2015-03-11 株式会社ディスコ 測定方法および測定装置
JP5681453B2 (ja) * 2010-11-08 2015-03-11 株式会社ディスコ 測定方法および測定装置
DE102010061950A1 (de) 2010-11-25 2012-05-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren sowie Anordnung zum Bestimmen des Erwärmungszustandes eines Spiegels in einem optischen System
GB2489722B (en) 2011-04-06 2017-01-18 Precitec Optronik Gmbh Apparatus and method for determining a depth of a region having a high aspect ratio that protrudes into a surface of a semiconductor wafer
DE102011051146B3 (de) 2011-06-17 2012-10-04 Precitec Optronik Gmbh Prüfverfahren zum Prüfen einer Verbindungsschicht zwischen waferförmigen Proben
US9335262B2 (en) 2011-08-25 2016-05-10 Palo Alto Research Center Incorporated Gap distributed Bragg reflectors
JP5660026B2 (ja) 2011-12-28 2015-01-28 信越半導体株式会社 膜厚分布測定方法
DE102012111008B4 (de) 2012-11-15 2014-05-22 Precitec Optronik Gmbh Optisches Messverfahren und optische Messvorrichtung zum Erfassen einer Oberflächentopographie
DE102014008584B4 (de) 2013-06-17 2021-05-27 Precitec Optronik Gmbh Optische Messvorrichtung zum Erfassen von Abstandsdifferenzen und optisches Messverfahren
CN103726019B (zh) * 2013-12-13 2015-10-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 改善球面光学元件镀膜均匀性的挡板的设计方法
CN105067529A (zh) * 2015-08-24 2015-11-18 中国科学院国家空间科学中心 一种用于半导体器件材料吸收系数的光学测量方法
WO2017061333A1 (ja) * 2015-10-08 2017-04-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長速度測定装置、気相成長装置および成長速度検出方法
US10234265B2 (en) 2016-12-12 2019-03-19 Precitec Optronik Gmbh Distance measuring device and method for measuring distances
JP6800800B2 (ja) 2017-04-06 2020-12-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 成長速度測定装置および成長速度検出方法
CN107218896B (zh) * 2017-07-26 2019-06-25 大连理工大学 测量真空离子镀和等离子体喷涂镀膜膜厚与均匀性的方法
JP2019047058A (ja) * 2017-09-06 2019-03-22 株式会社ブイ・テクノロジー 結晶化モニタ方法、レーザアニール装置、およびレーザアニール方法
US10551166B2 (en) * 2017-10-11 2020-02-04 Kla-Tencor Corporation Optical measurement of a highly absorbing film layer over highly reflective film stacks
DE102017126310A1 (de) 2017-11-09 2019-05-09 Precitec Optronik Gmbh Abstandsmessvorrichtung
JP6487579B1 (ja) * 2018-01-09 2019-03-20 浜松ホトニクス株式会社 膜厚計測装置、膜厚計測方法、膜厚計測プログラム、及び膜厚計測プログラムを記録する記録媒体
US10656405B2 (en) * 2018-01-20 2020-05-19 International Business Machines Corporation Color image capture under controlled environment for mobile devices
CN110081849B (zh) * 2018-04-24 2021-01-29 广东聚华印刷显示技术有限公司 墨水材料的膜厚测量方法
DE102018130901A1 (de) 2018-12-04 2020-06-04 Precitec Optronik Gmbh Optische Messeinrichtung
US11022428B2 (en) 2019-03-14 2021-06-01 Nuflare Technology, Inc. Growth rate detection apparatus, vapor deposition apparatus, and vapor deposition rate detection method
CN111174716B (zh) * 2019-11-13 2021-11-02 西安奕斯伟材料科技有限公司 外延层厚度测试装置和方法
CN115863200B (zh) * 2022-12-30 2023-10-20 瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司 一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01320408A (ja) * 1988-06-23 1989-12-26 Nippon Steel Corp レーザーを使った膜厚モニター及び膜厚測定方法
JPH0252205A (ja) * 1988-08-17 1990-02-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 膜厚測定方法
US5410411A (en) * 1992-01-17 1995-04-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of and apparatus for forming multi-layer film

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101045226B1 (ko) * 2003-09-30 2011-06-30 사이머 인코포레이티드 가스 방전 ｍｏｐａ 레이저의 스펙트럼 분석 모듈

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0933223A (ja) 1997-02-07
CN1140832A (zh) 1997-01-22
KR100203229B1 (ko) 1999-06-15
DE69622943D1 (de) 2002-09-19
TW368713B (en) 1999-09-01
EP0754932A2 (en) 1997-01-22
JP3624476B2 (ja) 2005-03-02
EP0754932A3 (en) 1998-01-28
EP0754932B1 (en) 2002-08-14
DE69622943T2 (de) 2003-03-27
US5724145A (en) 1998-03-03
CN1065046C (zh) 2001-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970007298A (ko) 광학적 막 두께 측정 방법, 막 형성 방법 및 반도체 레이저 장치의 제조 방법
US4317086A (en) Passivation and reflector structure for electroluminescent devices
KR960024453A (ko) 광 센싱 장치
FR2655461A1 (fr) Source optique miniature et procede de realisation.
KR960701496A (ko) 표면 방출형 반도체 레이저와 그 제조 방법, 막 형성 장치 및 에칭 장치(Surface emission type semiconductor laser, method and apparatus for producing the same)
EP0200306A2 (en) Superluminescent light-emitting diode and related method
EP0562173A1 (en) Semiconductor optical device
US5111467A (en) Hybrid rugate filter assembly for temperature stabilized emission of grating coupled surface emitting lasers
US4731792A (en) Semiconductor laser device with decreased light intensity noise
US20040233959A1 (en) Multiple wavelength semiconductor laser and manufacturing method thereof
KR950034939A (ko) 반도체 레이저 및 이것을 사용한 광센싱장치
US6954474B2 (en) Method and apparatus for backside monitoring of VCSELs
KR870002669A (ko) 반도체 레이저다이오드
US7616673B2 (en) Semiconductor laser device
Kanamori et al. Guided-mode resonant grating filter fabricated on silicon-on-insulator substrate
JP2006351692A (ja) 面発光レーザ、およびその製造方法および装置
US4317043A (en) Normal incidence x-ray reflectors and resonant cavities for supporting laser action using the same
JPH03190295A (ja) 面発光レーザ及びその製造方法
JP3243772B2 (ja) 面発光半導体レーザ
JP2002076513A (ja) 温度無依存分布ブラッグ反射型ミラー及び面型光学素子
JPH0685403A (ja) 半導体レーザ
JPH07162072A (ja) 半導体異種構造レーザー
US20040047383A1 (en) Semiconductor optical device and semiconductor laser module using the semiconductor optical device
JP3315494B2 (ja) 反射膜
JPS63213383A (ja) 半導体レ−ザ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120302

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130304

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee