JP2006351692A - 面発光レーザ、およびその製造方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 高精度に発振波長を制御できる面発光レーザ1を作製するため片面にn電極11が形成されたn型GaAs基板12上に、下部DBR層13、活性層14および第1の上部DBR層(上部反射層)15Aを形成する。その段階で反射率または透過率を計測し、所望の発振波長になるように、第1の上部DBR層15A上に波長調整をするための波長調整層16を形成する。更に、波長調整層16上に、第2の上部DBR層(上部反射層)15B及びp電極17を形成する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態に係る面発光レーザの構成を示す。この面発光レーザ1は、n−GaAs基板12上に、下部DBR(Distributed Bragg Reflector)層13、GaAs系からなるMQW(Multi Quantum Well:多重量子井戸構造)の活性層14、酸化狭窄層14a、第1の上部DBR層15A、位相制御層としての波長調整層16、および第2の上部DBR層15Bを、この順序でMOCVD法等により順次形成し、GaAs基板12の下面にn電極11、および第2の上部DBR層15Bの上面に開口17aを有するp電極17を形成したものである。
次に、面発光レーザ1の製造方法を図1〜図5を参照して説明する。
この実施の形態によれば、作製工程の途中で、その反射特性を測定することにより、その時点で発振波長が予測でき、目標値と異なることがあっても、波長調整層16を活性層14上に設けることで所望の波長で発振するように反射率特性のディップ位置を調節することができるため、従来は、発振波長を膜厚バラツキの範囲内でしか制御できなかったのに対し、面発光レーザ1の発振波長を±1μm以下の精度に制御することができる。
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々な変形が可能である。
11 n電極
12 GaAs基板
13 下部DBR層
14 活性層
14a 酸化狭窄層
15A 第1の上部DBR層
15B 第2の上部DBR層
16 波長調整層
17 p電極
17a 開口
Claims (10)
- 活性層の上下面をそれぞれ多層膜による上部反射層および下部反射層で挟持した面発光レーザにおいて、
前記上部反射層は、所定の厚さの波長調整層を含むことを特徴とする面発光レーザ。 - 前記波長調整層は、前記活性層から外部に出射される発振波長が目標発振波長に対して±1μm以下の精度を有するように前記所定の厚さが選択されたことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記波長調整層および前記上部反射層は、誘電体からなることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記波長調整層は、半導体からなり、
前記波長調整層の上に形成される前記上部反射層は、誘電体からなることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記波長調整層は、誘電体からなり、
前記波長調整層の上に形成される前記上部反射層は、半導体からなることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。 - 前記上部反射層は、複数の前記波長調整層を含むことを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ。
- 活性層の上下面をそれぞれ多層膜による上部反射層および下部反射層で挟持した面発光レーザの製造方法において、
基板側に前記下部反射層および前記活性層を形成する第1の工程と、
前記第1の工程によって得られた積層体における発振波長透過特性または反射特性を測定する第2の工程と、
前記発振波長透過(又は反射)波長ピークの測定結果に応じた厚さの波長調整層を前記活性層上に形成する第3の工程と、
前記波長調整層上に前記上部反射層を形成する第4の工程とを含むことを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 前記第1の工程は、前記活性層上に前記上部反射層の一部を着膜する工程を含み、
前記第4の工程は、前記上部反射層の残りを着膜することを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザの製造方法。 - 前記第2の工程は、着膜装置内で前記発振波長を測定し、
前記第3および第4の工程は、前記着膜装置内で前記波長調整層および前記上部反射層を形成することを特徴とする請求項7に記載の面発光レーザの製造方法。 - 活性層の上下面をそれぞれ多層膜による上部反射層および下部反射層で挟持した面発光レーザの製造装置において、
基板側に前記下部反射層および前記活性層を形成する着膜装置と、
前記着膜部によって得られた積層体における発振波長透過特性または反射特性を測定する測定手段とを備え、
前記着膜装置は、前記発振波長透過(又は反射)波長ピークの測定結果に応じた厚さの波長調整層を前記活性層上に形成し、前記波長調整層上に前記上部反射層を形成することを特徴とする面発光レーザの製造装置。
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