KR970006214B1 - 반도체 장치 절연막 형성방법 - Google Patents
반도체 장치 절연막 형성방법 Download PDFInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical group [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 59
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02269—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by thermal evaporation
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26566—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation of a cluster, e.g. using a gas cluster ion beam
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도 내지 제3도는 본 발명에 의한 절연막 형성방법의 일 예를 설명하기 위한 단면도.
제4도 및 제5도는 본 발명에 의한 절연막 제조에 사용되는 장치의 개략도들이다.
본 발명은 고집적 반도체 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 고유전율을 가는 Y2O3를 절연막으로 형성하는 방법에 관한 것이다.
현재까지 우수한 절연 파괴 특성과 계면 특성, 작은 누설 전류로 인하여 MOS 트랜지스터의 게이트 절연막이나 스토리지 커패시터의 절연막으로 사용되던 실리콘 산화막(이하, SiO2라 한다.)은 반도체 제조기술의 발달로 반도체 장치가 고집적화되어, 디지인 룰(design rule)이 0.15μm 이하로 줄어들게 될 차세대 메모리 장치에서는 물리적 한계를 보일 것으로 예상되고 있다. 우선, SiO2막이 게이트 절연막으로 사용되는 경우에 있어서는, 게이트 선폭의 축소에 따른 쇼트 채널 효과(short channel effect)에 의하여 얇은 SiO2막 두께, 예컨대, 약 40Å의 두께가 요구 되는데, 이러한 SiO2막 두께의 감소는 시간에 따르는 절연 파괴 특성(time dependant dielectric breakdown) 및 핫 개리어 효과(hot carrier effect)에 의해 누설 전류를 증가시키고, 계면 전하밀도를 증가시킨다. 또한, 얇은 SiO2막을 게이트 절연막으로 사용하며 게이트 전극막 식각에 따른 기판 손상을 막기 위하여 매우 큰 선택비, 예컨대, 다결정 실리콘 : 실리콘 산화막=100 : 1 이상의 선택비를 갖는 식각 공정의 개발이 요구된다. 그러므로 더 이상의 산화막 두께의 감소에 의해서는 안정된 트랜지스터 특성의 확보가 불가능할 것으로 판단된다. 또한, SiO2막이 셀 커패시터의 절연막으로 사용되는 경우에 있어서도 집적화에 따르는 셀 퍼페시턴스의 감소를 방지하기 위한 SiO2막의 박막화에는 한계가 있다.
상술한 SiO2박막의 여러 문제점들을 극복하는 방안으로 SiO2막을 대체하기 위한 고유전 물질에 대한 연구가 진행되고 있는데, 그 중 가장 적합한 것으로 고려되는 물질은 SiO2보다 유전율이 3~7배이고, 융접이 1.4배 가량인 이트륨 산화물(Y2O3, 이하 Y2O3라 한다.)이다. Y2O3는 유절율이 SiO2의 수배이므로 40Å의 두께가 요구되는 SiO2막에 대한 Y2O3막의 등가 두께는 100Å 이상이다. 즉, 커패시턴스는 절연막의 두께에 반비례하고 절연막의 유전율에 비례하므로, 100Å 이상의 Y2O3막 두께로로 40Å의 산화막과 동일한 커패시턴스를 확보할 수가 있는 것이다. 따라서, SiO2막에서의 절연파괴특성 및 식각 선택비 문제가 해결된다. 또한 Y2O3는 결정성 및 열적 안정성이 뛰어나서 각종 전극 물질 및 기판과의 반응 방지 측면에서도 유리하다. 이러한 Y2O3막의 여러 장점들에도 불구하고 현재까지 안정된 Y2O3층 형성이 실현되지 않고 있다.
종래의 Y2O3층 형성방법으로서, 스퍼트링 방법에 의해 이티륨(Yttrium)을 증착하고, 이를 산화시켜 Y2O3막을 형성하는 방법의 예를 들면, 엘 맨챈다(L. Manchanda)외 1인에 의해 발표된 논문- VLSI/ULSI회로에 있어서 새로운 절연체 구조 : 이티륨 산화물/실리콘 이산화물(Yttrium Oxide/Silicon Dioxide: A New Dielectric Structure for VLSI/ULSI circuits)(IEEE Electron Divice Letters, Vol. 9, No. 4, Apr. 1988, pp180)에 개시되어 있다.
이와 같은 종래의 Y2O3막 형성방법은 Y2O3막과 실리콘 기판 사이에 상당한 두께, 예컨대, 30Å 이상의 SiO2층을 형성하지 않고는 막질전체가 YSiO의 비정질이 되어 유전율 저하 및 누설 전류 증가를 야기시킨다. 한편, 중간층으로 30Å 이상의 SiO2층을 형성하면, SiO2층이하로 낮추는 것은 불가능하다.
따라서 초기부터 적당한 조성비의 조정을 통한 결정 성장이 요구되며, 이를 위해 본 발명에서는 ICB(ionized cluster vea, 이하, ICB라 한다)를 이용하여 Y2O3막을 성장시키고자 한다.
종래의 ICB를 이용한 Al2O3산화물 증착 방법이, 예를 들면, 노이즈(Noyes)에 의해 발간된 간행물-플라즈마 진행 기술에 대한 핸드북I(Handbook of Plasma Processing Technology)(1990. pp367)에 개시되어 있다.
그러나, 산화물에 대한 종래의 ICB증착 방법은 고체의 클러스터(cluster)를 형성하고, 이 고체 ICB를 기판에 조사하면서 반응기체를 진공 쳄버(chamber)에 직접 주입하여 산화물 박막을 형성하거나, 또는 플라즈망 의해 반응 기체인 산소를 이온화 시킨 다음, 이를 가속시키고 기판에 조사하여 산화물 박막을 형성하는 반응성 ICB(reactive ICB deposition)방법이 알려져 있다. 그러나, 산소의 직접주입은 반응성이 떨어질 뿐만 아니라 진공 챔버 내의 산소의 분압 및 분포의 제어가 힘들므로 양질의 박막 형성이 힘들고, 가속된 산소 이온의 조사는 높은 운동 에너지로 인하여 실리콘 기판 표면의 결정 손상을 유발하므로 게이트 절연막과 같이 양질의 결정성을 지닌 기판 상태를 유지해야 하는 공정에는 접합하지 않다.
따라서, 본 발명은 Y2O3막 형성을 위해 종래의 ICB증착 방법을 이용함에 있어서, 실리콘 기판 위에 양질의 Y2O3층을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 산소의 클러스터를 형성하고 이를 이온화하여 기판쪽으로 가속시킨 다음, 열증발된 이타늄 원자와 반응시켜 산소의 클러스터를 형성하고 이를 이온화하여 기판쪽으로 가속시킨 다음, 열증발된 이티륨 원자와 반응시켜 물질층 상에 Y2O3막을 형성하는 반도체 장치의 절연막 형성방법을 제공한다.
상기 산소의 클러스터는 0.1mm 노즐을 통해 진공속으로 분사하여 형성하는 것이 바람직하며, 상기 물질층은 실리콘 기판이거나 스토리지 전극일수 있다. 또한, 상기 산소의 클러스터 형성 전에 실리콘 기판을 래디컬 빔으로 클리닝 하는 단계를 더 구비할 수도 있으며, 상기 래대컬빔은 수소로 형성하는 것이 바람직하고, 이 때, 상기 기판 온도는 650~750℃인 것이 바람직하다.
본 발명은, 산소의 이온화된 클러스터빔과 이티륨 원자를 반응시켜 Y2O3막을 형성하기 때문에 박막화에 따르는 기존 SiO2막의 문제점들을 극복함과 동시에, 양질은 Y2O3층을 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.
제1도는 클리닝 단계를 나타낸다.
실리콘 기판(10) 상에 소자 분리를 위해 형성한 필드 산화막(30)과 상기 기판(10)과 동일한 불순물을 이온주입하여 형성한 채널스톱영역(20)을 갖는 상기 실리콘(10)을 세척한 후, 진공 상태에서 래디컬빔(radical beam)으로 클리닝한다. 클리닝 장치를 포함하는 진공 챔버가 제4도에 도시되어 있으며, 제4도를 참조하여 바람직한 실시예를 들어 클리닝 단계를 설명한다. 래디컬 빔 클리닝 포트(radical beam caeaning pot;a)에 수소를 주입하고 이를 기판(b)으로 분사하여 클리닝을 실시한데, 이 때 수소는 10-10Torr의 진공 챔버내로 분출됨으로서 불완전한 결합을 하는 수소 래디컬을 형성하게 되고, 상기 수소 래디컬은 상기 기판(b)상의 불순물, 예컨대, 자연산화막의 산소와 결합하여 자연산화막을 제거한다. 이 때, 기판 히터(substrate heater;c)는 기주입된 불순물의 확산방지를 위하여 650~750℃를 유지하는 것이 바람직하다. 제4도의 참조부호 d는 기판을 고정하기 위한 흘더(substrate holder)를 나타낸다.
제2는 Y2O3막(40)을 형성하는 단계를 나타낸다.
상기 실리콘 기판(10)과 필드 산화막(30) 상에 ICB시스템을 이용하여 형성한 이온화된 산소 클러스터와 이티륨을 반응시켜 Y2O3막(40)을 형성한다. 제4도를 참조하여 Y2O3막(40) 형성 방법을 설명하며, 초고진공, 예컨대, 10-10Torr로 유지되는 챔버 내에 장착된 산소도가니(crucible; f)의 하부를 통해 산소를 주입하고, 도가니 상부의 작은 노즐(제5도의 p참조)을 통해 산소를 분해시킨다. 이 때 도가니 내의 산소 분자릉느 가열 필라멘트)heating filament;e-에 의해 가열되어 열적으로 여기(exited)되고, 도가니 내부가 진공 상태로 유지됨에 따라 산소 분자들은 팽창을 하게된다. 이러한 산소 분자들이 낙은 노즐, 예컨대, 0.1mm의 노즐을 통과하는 순간 산소 분자들의 거리는 아주 가까워져 산소 분자들은 반델 발스 힘(van der Waals forces)에 의해 결합 됨으로써 클러스터를 형성한다. 상기 산소 클러스터에 이온화 필라멘트(g)에서 만들어진 전자선을 주사하여 산소 클러스터를 부분적으로 이온화시킨다. 산소 클러스터가 이온화됨에 따라 생성되는 전자들은 전자 추출기(electron extracter;h) 의해 제거되고, 이온화된 산소 클러스터들은 기판(b)과 가속전극(i)사이에 인가된 전압에 의해 기판(b)쪽으로 가속된다. 이와 동시에 이티륨 도가니(k)에 들어있는 이티륨 봉(ingot)은 열증발(thermal evaporation)방법, 예를 들면, 가열 필리멘트(1)의 열전자선에 의해 증착물질이 가열되어 타켓에 증착되는 전자선 증발법(electron beam evaporation)에 의해 기판(b)으로 즐발된다. 상기 가속전극에 인가됨 전압에 의해 가속된 산소 클러스터와 상기 증발된 이티륨 원자는 셔터(shutter;m)가 열리면 상기 기판(b)상에 증착되어 Y2O3막을 형성한다. 이 때, 기판 온도는 600℃이하로 고정시킨다.
제3도는 게이트 전극(50)을 형성하는 단계를 나타낸다. 상기 Y2O3막(40)에 게이트 전극(50), 예컨대, 다결정 폴리실리콘층을 형성하여 MOS트랜지스터를 완성한다.
제4도는 Y2O3막 형성에 사용되는 ICB시스템과 래디컬 빔 클리닝포트, 이티륨 증발 장치를 포함하는 진공장치의 개략도이다.
제5도는 ICB시스템에서의 노즐 폭(p)이 0.1mm이 산소 도가니(f)의 개략도이다.
이상, 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 첫째, 산소의 ICB와 이티륨의 전자선 증착을 조합하여 Y2O3막을 형성함으로써, 기존의 반응성 ICB증착 방법을 포함한 다늘 방법들에 의해 발생된 기판 결정 결함 및 계면 비정질층 형성을 억제할 수 있고, 실리콘 기판위에 양질의 Y2O3에피층을 형성할 수 있다. 둘째, 고유전율을 갖는 YO3막을 게이트 절연막으로 형성함으로써, 물리적 두께는 충분히 두꺼우면서도 등가산화막 두께를 수 배 낮출 수 있으므로 차세대 MOS 트랜지스터에서의 시간에 따르는 절연 파괴 특성 및 쇼트 패널 효과를 극복하고, 향후적용이 예상되는 각종 금속 전극(예컨대, TiN, Cu, W)막과의 계면 반응 방지측에서도 유리하다. 셋째, 기존의 메모리 장치보다 큰 전압이 걸리는 플래쉬 메모리에서의 커패시터 절연막으로 사용하여 현재의 ONO(산화막/질화막/산화막)구조를 대체할 수 있으며, 이 경우에 있어서 메모리 장치가 보다 고집적화되어도 간단한 평면 구조를 유지할 수 있다.
상술한 본 발명에 의한 Y2O3막은 MOS트랜지스터의 게이트 절연막 형성을 예를 들어 설명하였으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 셀 커패시터의 절연막이나, 층간 절연막등 모든 절연막의 형성에 사용될 수 있음은 물론이다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 많은 변형이 본 발명이 속한 기술적 사상내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 가능함은 명백하다.
Claims (7)
- 산소의 클러스터를 형성하고 이를 이온화하여 기판쪽으로 가속시킨 다음, 열증발된 이티륨 원자와 반응시켜 물질층 상에 Y2O3막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산소의 클러스터는 상기 산소가 주입된 도가니 상부의 0.1mm노즐을 통해 상기 산소를 분사시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 물질층은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 산소의 클러스터 형성 전에 실리콘 기판을 래디컬 빔으로 클리닝 하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 래디컬 빔은 수소로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
- 제4항에 있어서, 상기 기판 온도는 650~750℃인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 물질층은 도전층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940009302A KR970006214B1 (ko) | 1994-04-29 | 1994-04-29 | 반도체 장치 절연막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940009302A KR970006214B1 (ko) | 1994-04-29 | 1994-04-29 | 반도체 장치 절연막 형성방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950030261A KR950030261A (ko) | 1995-11-24 |
| KR970006214B1 true KR970006214B1 (ko) | 1997-04-24 |
Family
ID=19382110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940009302A KR970006214B1 (ko) | 1994-04-29 | 1994-04-29 | 반도체 장치 절연막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970006214B1 (ko) |
-
1994
- 1994-04-29 KR KR1019940009302A patent/KR970006214B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950030261A (ko) | 1995-11-24 |
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