KR950030261A - 반도체 장치 절연막 형성방법 - Google Patents

반도체 장치 절연막 형성방법 Download PDF

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Abstract

반도체 장치 절연막 형성 방법이 개시되어 있다. 산소의 클러스터를 형성하고 이를 이온화하여 기판쪽으로 가속시킨 다음, 열증발된 이티륨 원자와 반응시켜 물질층 상에 Y2O3막을 형성한다.
산소의 ICB와 이티륨의 전자선 증착을 조합하고 고유전물질인 Y2O3막을 절연막으로 형성함으로써 기판 결정결함 및 계면 비정질층 형성을 억제하고, 실리콘 기판위에 양질의 Y2O3에피층을 형성 할 수 있다.

Description

반도체 장치 절연막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 절연막 형성방법의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.

Claims (7)

  1. 산소의 클러스터를 형성하고 이를 이온화하여 기판쪽으로 가속시킨 다음, 열증발된 이티륨 원자와 반응시켜 물질층 상에 Y2O3막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산소의 클러스터는 상기 산소가 주입된 도가니 상부의 0.1㎜노즐을 통해 상기 산소를 분사시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 물질층은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 산소의 클러스터 형성 전에 실리콘 기판을 래디컬 빔으로 클리닝 하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 래디컬 빔은 수소로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 기판 온돈는 650∼750℃인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 물질층은 도전층인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 절연막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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