KR960043195A - 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법에 관한 것으로, 식각선택비가 서로 다른 TEOS막과 고온산화막을 다층으로 중착한 후 식각 선택비 차이를 이용하여 전하저장전극의 내면을 요철구조가 되도록 형성하므로써 단차의 증가없이 유효표면적의 증가로 캐패시터의 정전용량이 극대화될 수 있도록 한 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A 내지 제1F도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (6)
- 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법에 있어서, 접합영역이 형성된 실리콘기판상에 절연막을 형성한 후 전하저장 전극용 콘택홀마스크를 이용한 사진 및 식각공정을 통해 상기 접합영역이 노출되도록 상기 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 단계로 부터 전체상부면에 제1폴리실리콘층을 형성한 후 불순물이온을 주입하는 단계와, 상기 단계로부터 제1폴리실리콘층상에 식각비가 서로다른 두가지의 산화막을 다층구조로 형성한 후 전하저장전극용 마스크를 이용한 사진 및 식각공정을 통해 상기 다층구조로 형성된 산화막 및 제1폴리실리콘층을 순차적으로 식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 다층구조로 형성된 두가지 산화막의 식각면을 요철구조로 형성하기 위하여 상기 두가지 산화막의 식각선택비를 이용한 습식식각공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 전체상부면에 제2폴리실리콘층을 증착한 후 불순물이온을 주입하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 요철구조를 잦는 식각면에 제2폴리실리콘 스페이서를 형성하기 위하여 상기 제2폴리실리콘층을 블랜켓식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 다층구조로 형성된 두가지의 산화막을 순차적으로 제거하기 위하여 습식식각공정을 실시하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 두가지의 산화막은 식각선택비가 서로 다른 TEOS막과 고온산화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1 또는 2항에 있어서, 상기 두가지의 산화막은 각각 400 내지 600Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다층구조로 형성된 두가지 산화막을 제거하기 위한 습식식각 공정시 BOE용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다층구조로 형성된 두가지 산화막을 제거하기 위한 습식식각 공정시 HF용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불순물이온은 PCC13이온인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950010986A KR960043195A (ko) | 1995-05-04 | 1995-05-04 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950010986A KR960043195A (ko) | 1995-05-04 | 1995-05-04 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960043195A true KR960043195A (ko) | 1996-12-23 |
Family
ID=66523717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950010986A KR960043195A (ko) | 1995-05-04 | 1995-05-04 | 반도체 소자의 전하저장전극 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960043195A (ko) |
-
1995
- 1995-05-04 KR KR1019950010986A patent/KR960043195A/ko not_active Application Discontinuation
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