KR960039313A - 리드 프레임 스크랩으로 부터 주석과 납의 제거방법 - Google Patents
리드 프레임 스크랩으로 부터 주석과 납의 제거방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 리드 프레임 스크랩으로 부터 주석과 납의 제거 방법에 관한 것으로 전자회사에서 반도체 IC칩 제조시에 발생하는 리드 프레임(lead frame)스크랩으로 부터 주석(Sn)과 납(Pb)을 선택적으로 제거하는 (이하 탈석 및 탈연이라 칭함)방법에 관한 것으로서 가성소오다와 산화제로 과황산 나트륨(Sodium persulfate, Na2S2O8)을 충입한 반응조에 리드 프레임 스크랩을 장입함으로서 반도체 IC칩 제조시에 발생하는 Fe-Ni 합금이 주요 성분이며 땜납(90Sn-10Pb)이 코팅되어 있는 리드 프레임 스크랩으로 부터 땜납의 성분이 주석(Sn)과 납(Pb)을 선택적으로 제거하며, 또 가성소오다의 농도 40-200g/l, 산화제인 과황산 나트륨의 첨가량은 0.067-0.67gNa2S2O8/g-리드 프레임 스크랩(과황산 나트륨: 주석의 몰비가 0.5-5.0), 스크랩과 가성 소오다 용액의 장입량 비를 10-600g-스크랩/l으로 하여 20℃-60℃에서 탈석 및 탈연함을 특징으로 하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (2)
- 가성소오다와 산화제로 과황산 나트륨(Sodium persulfate Na2S2O8)을 충입한 반응조에 리드 프레임 스크랩을 장입함으로서 반도체 IC칩 제조시에 발생하는 Fe-Ni 합금이 주요 성분이며 땜납(90Sn-10Pb)이 코팅되어 있는 리드 프레임 스크랩으로 부터 땜납의 성분이 주석(Sn)과 납(Pb)을 선택적으로 제거함을 특징으로 하는 리드 프레임 스크랩으로 부터 주석과 납의 제거방법.
- 제1항에 있어서, 가성소오다의 농도는 40-200g/l, 산화제인 과황산 나트륨의 첨가량은 0.067-0.67gNa2S2O8/g-리드 프레임 스크랩(과황산 나트륨: 주석의 몰비가 0.5-5.0), 스크랩과 가성 소오다 용액의 장입량 비를 10-600g-스크랩/l으로 하여 20℃-60℃에서 탈석 및 탈연함을 특징으로 하는 리드 프레임 스크랩으로 부터 주석과 납의 제거방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950008265A KR0156652B1 (ko) | 1995-04-10 | 1995-04-10 | 리드 프레임 스크랩으로 부터 주석과 납의 제거방법 |
Country Status (1)
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KR (1) | KR0156652B1 (ko) |
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- 1995-04-10 KR KR1019950008265A patent/KR0156652B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR0156652B1 (ko) | 1998-10-15 |
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