KR960035886A - 반도체 장치 표면의 불평탄도 검출 시스템 - Google Patents

반도체 장치 표면의 불평탄도 검출 시스템 Download PDF

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Abstract

반도체 장치의 표면의 불평탄도를 검출하기 위한 시스템에서, 상기 표면이 약 240nm 내지 500nm의 파장을 가지는 광으로 조사된다. 상기 표면의 불평탄도가 상기 표면으로부터 반사광의 밀도에 따라 정해진다.

Description

반도체 장치 표면의 불평탄도 검출 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따른 불평탄 검출 시스템의 제1실시예를 나타내는 다이어그램.

Claims (16)

  1. 반도체 장치의 표면의 불평탄도를 검출하기 위해, 약 240nm 내지 500nm의 파장을 가지는 광으로 상기 표면을 조사하기 위한 수단들(4,1107,1507):상기 표면으로부터 반사 광의 밀도를 측정하기위한 수단들(5,6,1108,1109,1508,1509)을 포함하여, 반사광에 따라 상기 표면의 불평탄도를 정하는 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면이 반구-그레인 다결정 실리콘의 표면인 것을 특징으로 하는 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면은 비결정 실리콘에 형성된 반구-그레인 다결정 실리콘의 표면인 것을 특징으로 하는 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면은 반구-그레인 다결정 실리콘에 형성된 실리콘 질소화물의 표면인 것을 특징으로 하는 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 실리콘 질소화물이 약 10nm두께인 것을 특징으로 하는 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면이, 비결정 실리콘에 형성된 반구-그레인 다결정 실리콘 에 형성된 실리콘 질소화물의 표면인 것을 특징으로 하는 시스템.
  7. 제4항에 있어서, 상기 실리콘 질소화물이 약 10nm두께인 것을 특징으로 하는 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 반사광의 상기 밀도와 상기 반도체 장치의 불평탄도 사이의 관계를 저장하기 위한 수단(6,1109, 1509)을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  9. 반도체 장치를 제조하기 위해, 상기 반도체 장치를 장착하기 위한 챔버(1101,1501):원 가스(source gas)를 상기 챔버 안으로 도입하고 상기 원 가스를 상기 챔버로부터 배기하는 가스 도입 및 배기수단(1102,1103,1502,1503): 상기 반도체 장치를 가열하기 위한 가열 수단(1106,1506); 약 140nm 내지 500nm의 파장을 가지는 광으로 상기 반도체 장치를 조사하기 위한 광원(1107,1507):상기 반도체 장치로부터 반사광의 밀도를 검출하기 위한 검출기(1108,1508)를 포함하여, 상기 반도체 장치의 표면의 불평탄도를 정하는 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 가스 도입 밑 배기 수단은 반사광의 밀도에 따라 작동되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면은 반구-그레인 다결정 실리콘의 표면인 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제9항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면이 비결정 실리콘에 형성된 반구-그레인 다결정 실리콘의 표면인 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제9항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면이 반구-그레인 다결정 실리콘에 형성된 실리콘 질소화물의 표면인 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 실리콘 질소하물이 약 10nm두께인 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제9항에 있어서, 상기 반도체 장치의 표면이,비결정 실리콘에 형성된 반구-그레인 다결정 실리콘에 형성된 실리콘 질소화물의 표면인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 실리콘 질소화물이 약 10nm두께인 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960007472A 1995-03-16 1996-03-16 반도체 장치 표면의 불평탄도 검출 시스템 KR100195562B1 (ko)

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