KR960032818A - 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 적색 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로, 상세하게는 630∼700㎚ 가시광 대의 InGaP/InGaAlP 계의 적색 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
즉, 본 발명에 따른 SBR 구조의 반도체 레이저 다이오드는 통전 채널을 형성하는 리지 구조의 폭을 3㎛이하로 좁히고, 전류 차단층을 활성층에 비해 에너지 밴드 갭이 큰 물질로 구성함으로써, 전류 제한층의 에너지 밴드 갭이 활성층의 에너지 밴드 갭 보다 크므로 기본 횡모드의 분포가 리지를 포함한 전류 제한층까지 넓게 퍼지므로, 이득과 횡모드 분포가 겹치지 않는 리지 밖에서는 활성층의 포화 흡수에 의해 기본 횡모드가 흡수되어 광 필드의 분포가 바뀌게 되고, 그 결과 리지 내의 이득 분포가 다시 바뀌는 spatial hole burning이 일어난다. 이러한 스페이셜 홀 버닝 현상의 지속적 반복으로 레이징이 시간에 따라 온/오프 반복되는 셀프 펄세이션으로 단일 모드 레이저 다이오드에 비해 높은 S/N 비를 얻을 수 있는 장점이 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 SBR 구조의 반도체 레이저 다이오드의 수직 단면도이고,
제3도 내지 제5도는 리지영역에 따른 이득 및 광 모드 분포 그래프이고,
제6도는 본 발명에 따른 또 다른 SBR 구조의 반도체 레이저 다이오드의 수직 단면도이다.
Claims (18)
- n-GaAs 기판; n-GaAs 기판 상면에 형성된 n-In0.5(Ga1-xAlx)0.5P 하부 크래드층; 상기 하부 크래드층 상면에 형성된 undoped-In0.5Ga0.5P 활성층; 상기 활성층 상면에 그 중앙부가 스트라이프 상의 리지 구조를 갖도록 형성된 p-In0.5(Ga1-xAlx)|0.5P 상부 크래드층; 상기 상부 크래드층의 리지 구조 양측에 형성된 n-In0.5Al0.5P 전류 차단층; 상기 리지 구조 상면에 형성된 통전 용이층; 상기 전류 차단층 및 상기 통전 용이층 상면에 형성된 p+-GaAs캡층;을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 전류 차단층은 undoped-ZnSe 혹은 n-ZnSe로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 undoped-ZnSe는 열 증착법 혹은 전자빔 법으로 증착한 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제2항에 있어서, 상기 n-ZnSe는 MBE, GS-MBE, ALE, MOCVD, LPE법 중의 어느 한 방법으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 전류 차단층은 상기 활성층 보다 에너지 밴드 갭이 크고, 상기 상부 크래드층 보다 에너지 밴드 갭이 큰 물질을 이용한 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 리지 구조는 역메사형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 리지 구조는 수직형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 리지 구조는 메사형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제1항, 제6항, 제7항 및 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리지의 최소폭이 적어도 3㎛ 이하로 형성된 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- n-GaAs기판; n-GaAs기판 상면에 형성된 n-In0.5(Ga1-xAlx)0.5P 하부 크래드층; 상기 하부 크래드층 상면에 형성된 undoped-In0.5Ga0.5P 활성층; 상기 활성층 상면에 그 중앙부가 스트라이프 상의 리지 구조를 갖도록 형성된 p-In0.5(Ga1-xAlx)|0.5P 상부 크래드층; 상기 리지 구조 상면에 형성된 통전 용이층; 상기 통전 용이층 상면에 형성된 p+-GaAs캡층; 상기 상부 크래드층의 리지 구조, 상기 통전 용이층 및 상기 캡층 양측에 형성된 n-In0.5Al0.5P 전류 차단층;을 구비하여 된 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제10항에 있어서, 상기 전류 차단층은 undoped-ZnSe 혹은 n-ZnSe로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제11항에 있어서, 상기 undoped-ZnSe는 열 증착법 혹은 전자빔 법으로 증착한 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제11항에 있어서, 상기 n-ZnSe는 MBE, GS-MBE, ALE, MOCVD, LPE법 중의 어느 한 방법으로 성장시킨 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제10항에 있어서, 상기 전류 차단층은 상기 활성층 보다 에너지 밴드 갭이 크고, 상기 상부 크래드층 보다 에너지 밴드 갭이 큰 물질을 이용한 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제10항에 있어서, 상기 리지 구조는 역메사형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제10항에 있어서, 상기 리지 구조는 수직형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제10항에 있어서, 상기 리지 구조는 메사형으로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.
- 제10항, 제15항, 제16항 및 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 리지의 최소폭이 적어도 3㎛이하로 형성된 것을 특징으로 하는 선택 매립 리지 구조의 반도체 레이저 다이오드.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950001923A KR100363234B1 (ko) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 선택매립 리지구조의 반도체 레이저 다이오드 |
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KR1019950001923A KR100363234B1 (ko) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 선택매립 리지구조의 반도체 레이저 다이오드 |
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KR1019950001923A KR100363234B1 (ko) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 선택매립 리지구조의 반도체 레이저 다이오드 |
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KR100550923B1 (ko) | 2004-09-08 | 2006-02-13 | 삼성전기주식회사 | GaAs계 반도체 레이저 및 제조방법 |
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1995
- 1995-02-03 KR KR1019950001923A patent/KR100363234B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR100363234B1 (ko) | 2003-02-14 |
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