KR960026754A - 모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 - Google Patents
모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
고집적 반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
초고집적 반도체 소자 제조시, 이온 주입 공정에 의해 소오스/드레인 접합을 얕게 형성하면서 불순물 주입 도우즈량(DOSE)은 높았기 때문에 기판에 결정 구조의 결함이 발생하여 소자의 특성을 열화시키는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
소오스/드레인 저합을 이온 주입 방법에 의해 형성하지 않고, 드핑된 폴리실리콘을 이용하여 소오스/드레인 접합을 형성하므로써 기판에 결정 구조 결함이 발생하지 않도록 하여 양호한 특성을 가진 MOS 트랜지스터를 제조하고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
초고집적 반도체 소자, 특히 MOS 트랜지스터 제조에 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 따라 MOS 트랜지스터의 소오스/드레인 접합을 형성하는 방법의 공정도.
Claims (4)
- 모스(MOS) 트랜지스터를 제조하는 방법에 있어서, 소자간 분리막이 형성된 반도체 기판상에 포토레지스트를 도포한 후, 소오스/드레인 접합이 형성될 부위가 오픈되도록 제1마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 기판에 소정 깊이의 트렌치가 형성되도록 식각 공정을 수행하는 단계와, 잔류 포토레지스트를 제거한 후, 폴리실리콘을 상기 기판에 형성된 트렌치가 채워지도록 증착하는 단계와, 소정의 불순물을 이용하여 상기 폴리실리콘의 도핑을 실시하는 단계와, 전체 구조 상부에 포토레지스트를 도포한 후, 소오스/드레인 영역에는 포토레지스트가 남아있고 게이트 영역이 오픈되도록 제2마스크 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제2마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 기판이 노출되도록 상기 폴리실리콘층의 노출된 부위를 식각하는 단계 및, 잔류 포토레지스트를 제거하고 게이트 산화막과 게이트 전극을 차례로 형성하는 단계를 포함해서 이루어진 모스(MOS) 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 폴리실리콘을 증착하는 단계와 소정의 불순물을 이용하여 상기 폴리실리콘의 도핑을 실시하는 단계는 동시에 실시되는 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소정의 불순물은 인(P) 이온인 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 트랜지스터 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판에 형성되는 트렌치의 깊이는 약 0.1㎛ 내지 0.3㎛인 것을 특징으로 하는 모스(MOS) 트랜지스터 제조 방법.※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940036210A KR960026754A (ko) | 1994-12-23 | 1994-12-23 | 모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940036210A KR960026754A (ko) | 1994-12-23 | 1994-12-23 | 모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026754A true KR960026754A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66769136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940036210A KR960026754A (ko) | 1994-12-23 | 1994-12-23 | 모스(mos) 트랜지스터 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026754A (ko) |
-
1994
- 1994-12-23 KR KR1019940036210A patent/KR960026754A/ko not_active Application Discontinuation
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