KR960025065A - 전전자 교환기용 타임슬롯 교환회로 - Google Patents

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KR960025065A
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박신후
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정장호
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q11/00Selecting arrangements for multiplex systems
    • H04Q11/04Selecting arrangements for multiplex systems for time-division multiplexing

Abstract

본 발명은 전전자 교환기용 타임슬롯 교환회로에 관한 것으로, 특히 전전자 교환기에 있어서 동일 프레임내에서 타임슬롯간에 충돌과 데이터의 유실이 발생하는 것을 방지하기 위한 타임슬롯 교환회로에 관한 것이다.
본 발명에 따른 타임슬롯 교환회로는 양방향 쓰기, 읽기가 가능한 3개의 메모리(21,22,23)와, 상기 각각의 메모리(21,22,23)의 출력 인에이블을 제어하는 제어부(24)로 구성되며, 제1메모리의 메모리 영역에 쓰기를 할 경우는 제3메모리영역의 데이터를 읽고 제2메모리의 메모리 영역에 쓰기를 할 경우는 제1메모리 영역의 데이터를 읽고 제3메모리의 메모리 영역에 쓰기를 할 경우는 제2메모리 영역의 데이터를 읽음으로써 한 프레임의 간격을 둔 다음 모든 데이터에 대한 타임슬롯 교환을 수행하는 것을 특징으로 한다.

Description

전전자 교환기용 타임슬롯 교환회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 전전자 교환기용 타임슬롯 교환회로의 구성도, 제4도는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 데이타 스트림도이다.

Claims (1)

  1. 양방향 쓰기, 읽기가 가능한 3개의 메모리(21,22,23)와, 상기 각각의 메모리(21,22,23)의 출력 인에이블을제어하는 제어부(24)로 구성되며, 제1메모리의 메모리 영역에 쓰기를 할 경우는 제3메모리 영역의 데이터를 읽고 제2메모리의 메모리 영역에 쓰기를 할 경우는 제1메모리 영역의 데이터를 읽고 제3메모리의 메모리 영역에 쓰기를 할 경우는 제2메모리 영역의 데이터를 읽음으로써 한 프레임의 간격을 둔 다음 모든 데이터에 대한 타임슬롯 교환을 수행하는 것을 특징으로 하는 전전자 교환기용 타임슬롯 교환회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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