KR960018550A - 고압 센서 구조체 및 그 제조 방법 - Google Patents

고압 센서 구조체 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

고압 센서 구조체(11,111,211)는 상부 공동(13,113,213)과 하부 공동(16,116,216)을 갖는 하우징(12,112,212)을 포함하고, 격판(18,118,218)은 상기 상부 공동(13,113,213)을 상기 하부 공동(16,116,216)으로부터 분리하고, 반도체 칩(26,126,226)은 상기 상부 공동(13,113,213)내의 상기 격판(18,118,218)의 상면에 부착되고, 상기 격판의 하면이 고압 분위기에 노출될 때 상기 반도체 칩(26,126,226)이 측정가능한 출력 신호를 발생하도록 격판(18,118,218)은 두께(21,121,221)와 노출폭(23,123,223)을 갖는다.

Description

고압 센서 구조체 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 고압 센서 구조체의 일실시예의 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 고압 센서 구조체의 다른 실시예의 단면도.
제3도는 본 발명에 따른 고압 센서 구조체의 또다른 실시예의 단면도.

Claims (5)

  1. 고압 센서 구조체에 있어서, 상부 공동(13,113,213)과 하부 공동(16,116,216)을 갖는 하우징(12,112,212)과, 상기 상부 공동(13,113,213)을 상기 하부 공동(16,116,216)으로부터 분리하고 두께(21,121,221)와 노출폭(23,123,223)과 상면 및 하면을 갖는 압력 도입부(18,118,218)와, 상기 상부 공동(13,113,213)내에 상기 압력 도입부(18,118,218)의 상기 상면에 부착된 감지칩(26,126,226)과, 상기 감지칩(26,126,226)에 결합된 도전성 접속 구조체와, 상기 상부 공동(13,113,213)을 덮는 봉입체(43,143,243)을 구비하며, 상기 하부 공동(16,116,216)은 압력 도입부(18,118,218)의 하면을 고압 분위기에 노출하기 위한 구멍(47,147,247)을 가지며, 상기 노출폭(23,123,223)과 상기 두께(21,121,221)는 상기 압력 도입부(18,118,218)의 하면이 상기 고압 분위기에 노출될 때 상기 감지칩(26,126,226)이 측정가능한 전기적 신호를 발생하도록 선택되는 것을 특징으로 하는 고압 센서 구조체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하우징(12,112,212)은 사출 성형된 플라스틱을 포함하는 것을 특징으로 하는 고압 센서 구조체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 압력 도입부(18)는 플라스틱으로 구성되고, 상기 입력 도입부(18)는 상기 하우징(12)과 일체로 되는 것을 특징으로 하는 고압 센서 구조체.
  4. 반도체 칩에 대해 외부에 격판을 갖는 고압력을 감지하기 위한 장치에 있어서, 상부 부분(13,113,213)과 한 단부에서 개방되고 의부면을 갖는 하부 부분(16,116,216)을 구비하는 중공형 구조체(12,112,212)와, 상기 상부 부분(13,113,213)을 상기 하부 부분(16,116,216)으로부터 분리하는 중공형 구조체(12,112,212)내에 있고 상면과 하면과 노출폭(23,123,223) 및 상기 노출폭(23,123,223)을 거쳐 균일한 두께(21,121,221)를 갖는 격판(18,118,218)과, 상기 상부 부분(13,113,213)내의 상기 격판(18,118,218)의 상면에 부착되고 다수의 결합 패드(38,138,238)을 갖는 반도체 칩(26,126,226)과, 결합 후단부와 외부 접속 단부를 재각기 갖는 다수의 도전성 도선(36,136,236)과, 결합 후단부와 외부 접속 단부를 제각기 갖는 다수의 도전성 도선(36,136,236)과, 상기 다수의 결합 패드(38,138,238)를 상기 다수의 도전성 도선(36,136,236)에 전기적으로 접속하는 다수의 도전성 와이어(31,131,231)를 포함하는 것을 특징으로 하는 고압력을 감지하기 위한 장치.
  5. 고압 센서 구조체를 제조하기 위한 방법에 있어서, 상부 공동(13,113,213)과 하부 공동(16,116,216)과 상기 상부 공동(13,113,213)을 상기 하부 공동(16,116,216)으로부터 분리하는 압력 도입부(18,118,218) 및 도전성 접속 구조체를 갖는 하우징(12,112,212)을 제공하는 단계와, 반도체 변환기(26,126,226)를 상기 압력 도입부(18,118,218)의 상면에 부착하는 단계와, 상기 반도체 변환기(26,126,226)를 상기 도전성 접속 구조체에 접속하는 단계와, 상기 상부 공동을 봉입하는 단계를 구비하며, 상기 압력 도입부(18,118,218)는 두께(21,121,221)와 노출폭(23,123,223)과 상면 및 하면을 가지며, 상기 하부 공동(16,116,216)은 상기 하면을 고압 매체에 노출하기 위한 구멍(47,147,247)을 가지며, 상기 하면이 상기 고압 매체에 노출될 때 상기 반도체 변환기(26,126,226)가 출력 반응을 발생하도록 상기 노출폭(23,123,223)과 상기 두께(21,121,221)가 선택되는 것을 특징으로 하는 고압 센서 구조체를 제조하기 위한 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0174872B1 (ko) * 1995-12-08 1999-02-01 양승택 압 저항 소자 및 그의 제조방법
US5956415A (en) * 1996-01-26 1999-09-21 Harris Corporation Enhanced security fingerprint sensor package and related methods
DE19626081A1 (de) * 1996-06-28 1998-01-02 Siemens Ag Halbleiter-Bauelement
USD382822S (en) * 1996-07-18 1997-08-26 Maurer D Joseph Force sensor
DE19700773A1 (de) * 1997-01-13 1998-07-16 Bosch Gmbh Robert Membran für einen Drucksensor
JP4161410B2 (ja) 1997-07-25 2008-10-08 株式会社デンソー 圧力検出装置
US6076409A (en) * 1997-12-22 2000-06-20 Rosemount Aerospace, Inc. Media compatible packages for pressure sensing devices
US6311561B1 (en) 1997-12-22 2001-11-06 Rosemount Aerospace Inc. Media compatible pressure sensor
US6176138B1 (en) 1998-07-15 2001-01-23 Saba Instruments, Inc. Electronic pressure sensor
DE19852968C1 (de) * 1998-11-17 2000-03-30 Micronas Intermetall Gmbh Halbleiterbauelement
US6310390B1 (en) * 1999-04-08 2001-10-30 Micron Technology, Inc. BGA package and method of fabrication
JP3619065B2 (ja) * 1999-07-16 2005-02-09 株式会社山武 圧力センサ
US20020033050A1 (en) * 2000-04-28 2002-03-21 Toshitaka Shibata Pressure sensor
DE10034460A1 (de) * 2000-07-15 2002-01-31 Bosch Gmbh Robert Hochdrucksensor, Verfahren und Werkzeug zu seiner Herstellung
US6577224B2 (en) * 2001-03-22 2003-06-10 Kulite Semiconductor Products, Inc. Ultra high pressure transducers
DE10120069B4 (de) 2001-04-24 2006-08-31 Siemens Ag Scheibenförmiges Siliziumsensorelement für einen Druckfühler sowie Druckfühler unter Verwendung eines derartigen Siliziumsensorelements
US6801160B2 (en) * 2001-08-27 2004-10-05 Herbert Jefferson Henderson Dynamic multi-beam antenna using dielectrically tunable phase shifters
SG109495A1 (en) * 2002-04-16 2005-03-30 Micron Technology Inc Semiconductor packages with leadfame grid arrays and components and methods for making the same
US7111520B2 (en) * 2002-08-26 2006-09-26 Gilbarco Inc. Increased sensitivity for liquid meter
US6903449B2 (en) * 2003-08-01 2005-06-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor component having chip on board leadframe
US6955090B2 (en) * 2003-11-20 2005-10-18 General Electric Company Cylinder pressure transducer and related method
US7956451B2 (en) * 2004-12-18 2011-06-07 Agere Systems Inc. Packages for encapsulated semiconductor devices and method of making same
US20070013014A1 (en) * 2005-05-03 2007-01-18 Shuwen Guo High temperature resistant solid state pressure sensor
DE102006039421A1 (de) * 2005-08-23 2007-07-05 Continental Teves Ag & Co. Ohg Drucksensoreinheit
JP2008039760A (ja) * 2006-07-14 2008-02-21 Denso Corp 圧力センサ
JP4925306B2 (ja) * 2007-02-28 2012-04-25 株式会社山武 圧力センサ
CN102589753B (zh) 2011-01-05 2016-05-04 飞思卡尔半导体公司 压力传感器及其封装方法
US8643169B2 (en) * 2011-11-09 2014-02-04 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with over-molded lid
US9029999B2 (en) 2011-11-23 2015-05-12 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor sensor device with footed lid
US9040352B2 (en) * 2012-06-28 2015-05-26 Freescale Semiconductor, Inc. Film-assist molded gel-fill cavity package with overflow reservoir
ES2784778T3 (es) * 2012-08-31 2020-09-30 Meggitt Sa Sensor de fuerza y método para probar su fiabilidad
US9027410B2 (en) * 2012-09-14 2015-05-12 Sensata Technologies, Inc. Hermetically glass sealed pressure sensor
CN103196617B (zh) * 2013-03-21 2014-10-15 西安交通大学 一种侧腔充油结构的圆筒式超高压力传感器
KR101977714B1 (ko) * 2014-06-20 2019-05-13 주식회사 만도 브레이크 마찰 패드의 마모감지장치
CN107290096A (zh) * 2016-04-11 2017-10-24 飞思卡尔半导体公司 具有膜片的压力感测集成电路器件
US10640374B2 (en) * 2017-05-18 2020-05-05 Dunan Microstaq, Inc. Method and structure of attachment layer for reducing stress transmission to attached MEMS die
US20200031661A1 (en) * 2018-07-24 2020-01-30 Invensense, Inc. Liquid proof pressure sensor

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3325761A (en) * 1965-01-11 1967-06-13 Electro Optical Systems Inc Pressure transducer
US3341794A (en) * 1965-07-26 1967-09-12 Statham Instrument Inc Transducers with substantially linear response characteristics
JPS5524462A (en) * 1978-08-11 1980-02-21 Hitachi Ltd Semiconductor pressure changer
DE3200448C2 (de) * 1982-01-09 1986-03-06 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Druckwandleranordnung
JPS6117925A (ja) * 1984-07-05 1986-01-25 Hitachi Ltd 圧力センサ
JPH0746065B2 (ja) * 1985-03-25 1995-05-17 株式会社日本自動車部品総合研究所 高圧用圧力検出器
JPH0711461B2 (ja) * 1986-06-13 1995-02-08 株式会社日本自動車部品総合研究所 圧力検出器
US4939497A (en) * 1989-04-18 1990-07-03 Nippon Soken, Inc. Pressure sensor
US5001934A (en) * 1990-01-02 1991-03-26 Walbro Corporation Solid state pressure sensor
JP3073079B2 (ja) * 1991-11-29 2000-08-07 日本電産コパル電子株式会社 絶対圧型圧力センサ
US5343757A (en) * 1992-05-21 1994-09-06 Fuji Koki Manufacturing Co., Ltd. Pressure sensor
FR2701564B1 (fr) * 1993-02-12 1995-05-19 Suisse Electronique Microtech Capteur de mesure de pression absolue de type capacitif et procédé de fabrication d'une pluralité de tels capteurs.
US5461922A (en) * 1993-07-27 1995-10-31 Lucas-Novasensor Pressure sensor isolated within housing having integral diaphragm and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
EP0710826A3 (en) 1999-03-17
JPH08226860A (ja) 1996-09-03
US5581226A (en) 1996-12-03
EP0710826A2 (en) 1996-05-08
CN1095074C (zh) 2002-11-27
BR9505007A (pt) 1997-10-14
CN1132854A (zh) 1996-10-09

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