KR960017629A - 직접 반응에 의한 비산화성 산의 귀금속 염의 제조방법 - Google Patents

직접 반응에 의한 비산화성 산의 귀금속 염의 제조방법 Download PDF

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KR960017629A
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데이비드 거논 마이클
Original Assignee
엘리자베스 엘. 맥더모트
엘프 아토켐 노스 아메리카, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 산화제를 비산화성 산의 존재하에 귀금속과 직접 반응시켜 귀금속 염을 제조하는 방법을 기술하고 있다.

Description

직접 반응에 의한 비산화성 산의 귀금속 염의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (21)

  1. 귀금속과 산화제를 비산화성 산의 존재하에 함께 반응시킴을 포함하는, 비산화성 산의 귀금속 염의 직접 합성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 귀금속이 은인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 귀금속이 백금인 방법.
  4. 제1항에 있어서, 비산화성 산이 선형 C1-C20알칼설폰산인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 비산화성 산이 측쇄 C3-C40알칼설폰산인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 비산화성 산이, 알칸 그룹이 치환기인 작용성 라디칼을 함유하는 알칸설폰산인 방법.
  7. 제6항에 있어서, 작용성 라디칼이 하이드록실, 케토 또는 니트로 라디칼인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 비산화성 산이 플루오르붕산인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 산화제가 과산화수소인 방법.
  10. 제1항에 있어서, 산화제가 과산화 화합물인 방법.
  11. 제1항에 있어서, 산화제가 디알칸설포닐 퍼옥사이드인 방법.
  12. 제2항에 있어서, 은 금속이 은 정련으로부터 수득한 전기결정화된 침상물인 방법.
  13. 제2항에 있어서, 은 금속이 은을 음극 재료에 전착시킴으로써 수득되는 방법.
  14. 제2항에 있어서, 은 광석 정련작업과 함께 수행하는 방법.
  15. 제2항에 있어서, 은 금속의 비표면적이 100㎠/g 이상인 방법.
  16. 제2항에 있어서, 은 금속과 비산화성 산이 5 내지 150℃의 온도 범위에서 함께 반응하는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 반응 압력이 0.1 내지 10atm이고 반응 시간이 1시간 내지 21일인 방법.
  18. 메쉬 크기가 8 내지 100인 은 금속 침상물을, 은에 대한 산의 중량비를 약 2 : 1 내지 약 1 : 1로 하여 약 10 내지 약 80℃의 온도에서 약 4 내지 약 48시간 동안 과산화수소의 존재(은에 대한 전체 과산화물의 몰비는 약 6 : 1 내지 약 ½ : 1이다)하에 선형 C1-C3알칸설폰산과 함께 반응시킴을 포함하여, 선형 C1-C3알칸설폰산의 은염을 직접 합성하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 과산화수소가 수용액에 함유되는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 알칸설폰산이 수용액에 함유되는 방법.
  21. 제20항에 있어서, 알칸설폰산이 메탄설폰산인 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950041139A 1994-11-14 1995-11-14 직접 반응에 의한 비산화성 산의 귀금속 염의 제조방법 KR960017629A (ko)

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