KR960015924A - 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

신규한 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체기판에 활성영역을 한정하기 위해 분리영역을 형성하고, 결과물상에 제1절연막을 형성한다. 제1절연막 상에 제1도전층을 형성하고, 제1마스크공정으로 제1도전층을 식각한다. 결과물 상에 제2절연막 및 제2도전층을 차례로 형성하고, 제2마스크공정으로 제2도전층 및 제2절연막을 식각하여 제1도전층의 소정부위를 노출시킨다. 결과물 상에 제3도전층을 형성하여 제2도전층과 제3도전층을 접속시킴과 동시에, 노출된 제1도전층과 제3도전층을 접촉시킨다. 제3마스크공정으로 제3도전층, 제2도전층, 제2절연막 및 제1도전층을 식각하여 메모리셀의 게이트를 형성한다. 제4마스크공정 으로 제3도전층 및 제1도전층을 식각하여 주변회로 트랜지스터의 게이트롤 형성한다. 제어케이트를 의한 버팅 콘택 영역이 필요하지 않아 넓은 면적의 분리영역을 형성할 필요가 없으므로, 셀 어레이의 크기를 감소시킬 수 있다.

Description

불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6A도 내지 제14A도는 본 발명의 바람직한 실시예에 의한 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들,
제6B도, 제7B도, 제9B도, 제1lB도 및 제14B도는, 제6A도, 제7A도, 제9A도, 제1lA도 및 제14A도 각각에 따른, 셀 어레이의 평면도들.

Claims (13)

  1. 전자를 저장하는 역할을 하는 부유게이트 및 이를 조절하는 제어게이트로 이루어진 적층 게이트 구조의 트랜지스터로 구성되는 메모리셀과, 상기 메모리셀을 구동시키는 주변회로 트랜지스터를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판에 활성영역을 한정하기 위해 분리영역을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 제1절연막을 형성하는 단계 ;상기 제1절연막 상에 제1도전층을 형성하는 단계 ; 제1마스크공정으로 상기 제1도전층을 식각하는 단계 ; 상기 결과를 상에 제2절연막 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계 ; 제2마스크공정으로 상기 제2도전층 및 제2절연막을 식각하여 상기 제1도전층의 소정부위를 노출시키는 상기 결과를 상에 제3도전층을 형성하여 상기 제2도전층과 제3도전층을 접촉시킴과 동시에, 상기 노출된 제1도전층과 제3도전층을 접촉시키는 단계 ; 제3마스크공정으로 상기 제3도전층, 제2도전층, 제2절연막 및 제 1도전층을 식각하여, 상기 제1도전층의 부유게이트와 상기 제2 및 제3도전층의 제어게이트로 이루어진 메모리셀의 제3도 게이트를 형성하는 단계 ; 및 제4마스크공정으로 상기 제3도전층 및 제1도전층을 식각하여, 상기 제1 및 제3도전층으로 이루어진 주변회로 트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 불 휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  2. 제I항에 있어서, 상기 제1마스크공정에서, 상기 활성영역 사이의 분리영역 상의 제1도전층을 식각하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  3. 제]항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2마스크공정에서, 상기 활성영역 사이의 분리영역 상의 제2도전층 및 제2절연막을 식각하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 후속의 마스크 공정에서 상기 제2절연막을 보호하기 위해 상기 제2절연막 상에 상기 제2도전층을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리장치의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 제1마스크공정으로 제1도전층을 식각하는 단계 후, 상기 제1마스크를 이용하여 상기 메모리셀 영역의 기판과 동일한 도전형의 불순물 이온을 고에너지로 주입하여 메모리셀의 채널저지 특성을 강화시키는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3도전층을 구성하는 물질로 폴러실리콘 또는 폴리실리콘과 텅스템 실리사이드가 적층된 폴리사이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  7. 전자를 저장하는 역할을 하는 부유케이트 및 이를 조절하는 제어게이트로 이루어진 적층 게이트 구조의 트랜지스터로 구성되는 메모리셀과, 상기 메모리셀을 구동시키는 주변회로 트랜지스터를 포함하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법에 있어서, 반도체기판에 활성영역을 한정하기 위해 분리영역을 형성하는 단계 ; 상기 결과물 상에 제1절연막을 형성하는 단계 ;상기 제1절연막 상에 제l도전층을 형성하는 단계 ; 제1마스크공정으로 상기 제1도전층을 식각하는 단계 ; 상기 결과물 상에 제2절연막 및 제2도전층을 차례로 형성하는 단계 ; 제2마스크공정으로 상기 제2도전층 및 제2절연막을 식각하여 상기 제1도전층의 소정부위를 노출시키는 단계 ; 상기 결과를 상에 제3도전층을 형성하여 상기 제2도전층과 제3도전층을 접촉시키과 동시에, 상기 노출된 제1도전층과 제3도전층을 접촉시키는 단계 ; 제3마스크공정으로 상기 제3도전층 및 제1도전층을 식각하여, 상기 제1및 제3도전층으로 이루어진 주변회로 트랜지스터의 게이트를 형성하는 단계 ; 및 제4마스크공정으로 상기 제13도전층, 제2도전층, 제2절연막 및 제1도전층을 식각하여, 상기 제1도전층의 부유게이트와 상기 제2 및 제3도전층의 제어게이트로 이루어진 메모리셀의 게이트를 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제l마스크공정에서, 상기 환성영역 사이의 분리영역 상의 제1도전층을 식각하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 제2마스크공정에서, 상기 활성영역 사이의 분리영역 상의 제2도전층 및 제2절연막을 식각하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 제1마스크공정으로 제1도전층을 식각하는 단계 후, 상기 제1마스크를 이용하여 상기 메모리셀 영역의 기판과 동일한 도전형의 불순물 이온을 고에너지로 주입하여 메모리셀의 채널저지 특성을 강화시키는 단계를 더 구비하는 것을 특증으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  11. 반도체기판 상에 제1절연막을 형성하는 단계 ; 상기 제1절연막 상에 부유게이트로 사용될 제1도전층을 형성하는 단계 ; 상기 제1도전층 상에 제2절연막을 형성하는 단계 ; 상기 제2절연막을 형성한 후, 그 위에 연속으로 상기 제2절연막을 보호하기 위한 제2도전층을 형성하는 단계 ; 및 상기 제2도전층 상에 제어게이트로 사용될 제3도전층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2절연막은 ONO(Oxide/Nitride/Oxide)막인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제3도전층을 구성하는 물질로 폴리실리콘 또는 폴리실리콘과 텅스텐 실리사이드가 적층된 폴리사이드를 사용하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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