KR960015015A - 액티브 매트릭스 패널 - Google Patents

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Abstract

액티브 매트릭스 패널에서, 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 박막 트랜지스터들을 포함하는 화소 매트릭스가 제1투명기판상에 형성되고, 제2투명기판이 제1투명기판의 맞은 편에 형성되어 있으며, 액정 재료가 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치되어 있다. 게이트 라인 구동회로와 소오스 라인 구동회로가 P-형, N-형, 상보형 박막 트랜지스터를(규소막을 포함하는) 등에 의해 제1투명기판상에 형성되어 있고, 또한, 마스크 처리 등을 행하기 위한 데이터 처리회로가 박막 트랜지스터들 등에 의해 제1투명기판상에 형성되어 있다.

Description

액티브 매트릭스 패널
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예의 액티브 매트릭스 패널을 나타내는 도면,
제2도는 상기 실시예의 디스플레이 시스템을 나타내는 도면,
제3도는 마스크 처리를 위한 알고리즘의 단계들을 나타내는 도면.

Claims (14)

  1. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제1박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와, 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호들을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3박막 트랜지스터들이 상보형, P-형 및 N-형 중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
  3. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제1박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와, 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호등을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하고, 상기 처리 회로가 표준 클록 발생회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3박막 트랜지스터들이 상보형, P-형, 및 N-형중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
  5. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제1박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와, 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호들을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하고, 상기 처리 회로가 카운터 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3 박막 트랜지스터들이 상보형, P-형 및, N-형중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
  7. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판와 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제1박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와, 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호들을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하고, 상기 처리 회로가 제산기 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3 박막 트랜지스터들이 상보형, P-형, 및 N-형중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
  9. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제1박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와, 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호들을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하고, 상기 처리회로가 외부로부터 신호를 받기 위한 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제1, 제2. 및 제3 박막 트랜지스터들이 상보형, P-형, 및 N-형중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
  11. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제1박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와, 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호들을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하고, 상기 처리 회로가 외부로 신호를 전송하기 위한 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3박막 트랜지스터들이 상보형, P-형, 및 N-형중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
  13. 제1투명기판과; 그 제1투명기판의 맞은 편에 배치된 제2투명기판과; 상기 제1투명기판과 제2투명기판 사이에 배치된 액정 재료를 포함하고, 상기 제1투명기판이 다수의 게이트 라인들과, 다수의 소오스 라인들과, 상기 게이트 라인들과 소오스 라인들의 교차점들에 형성된 다수의 화소 박막 트랜지스터들과, 제l박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 게이트 라인들에 연결된 게이트 라인 구동회로와 제2박막 트랜지스터들에 의해 형성되고 소오스 라인에 연결된 소오스 라인 구동회로와, 소오스 라인들에 공급된 신호들을 처리하기 위해 제3박막 트랜지스터들에 의해 형성된 처리 회로를 포함하고, 상기 처리 회로가 외부로 그리고 외부로부터 신호를 송수신하기 위한 회로를 포함하는 액티브 매트릭스 패널.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1, 제2, 및 제3박막 트랜지스터들이 상보형, P-형, 및 N-형중 하나를 가지는 액티브 매트릭스 패널.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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