KR960012461A - 반도체 집적 회로 - Google Patents
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Abstract
샘플-앤드-홀드 회로(100)는 바이폴라 트랜지스터 기술에서, 홀딩 커패시터(holding capacitor:C)와 함께, 클럭(Q5,Q6) 상보형 클럭(Q7) 바이폴라 트랜지스터의 도움으로 구성되고, 클럭의 위상을 샘플하여 홀드하는 경우에 추력단(output terminal)에서 요구되는 바와 같이, 이 홀딩 캐패시터의 출력단은 샘플 위상(sample phase)(전기적인 부트스트랩핑(electrical bootstrapping)동작)동안에 그 입력단(input terminal)에 인가되는 입력 전압 샘플(Vin)과 동일한 전압 변환(△V)를 격는다. 특히, 홀딩 캐패시터의 입력단은, 샘플위상 동안에는, 캐패시터의 입력단에 인가되는 입력 전압이 샘플되고 있는 입력 전압을 나타내고, 클럭의 홀드위상(hold phase)동안에는, 캐패시터의 입력단이 전기적으로 클램프(clamp)되도록 하는 클럭 입력 전압 장치(clocked input voltage device)(Q1,Q5,R1)에 접속된다. 홀딩 캐패시터의 추력단은 크럭된 트랜지스터(clocked transistors)의 출력단과, 베이스단이 상보형-클럭 전압 강하 장치(complementary clocked voltage -dropping device)에 의해 제어되는 보조 바이폴라 트랜지스터에 접속된다. 이 상보형-클럭 전압-강하 장치는, 샘플 위상 동안에는 캐패시터의 출력단을 고정된 전압으로 세트(sets)하고, 홀드 위상 동안에는 이 출력단으로부터 접속해제(disconnected)되므로, 이에 의해 홀드 위상 동안 홀딩 캐패시터의 출력단은 전기적으로 플로팅(floating)된 상태가 되고 그 때의 전압은 바로 앞의 선행하는 샘플 위상 동안의 입력 전압을 나타낸다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 바이폴라 트랜지스터 기술(bipolar transistor technology)에 있어서의 본 발명의 특정한 실시예에 따른 단일 출력 샘플-앤드-홀드 직접 회로(single-ended sample-and-hold intdgrated circuit)의 전기적인 개략도.
Claims (5)
- 반도체 집적 회로에 있어서, (a)제1 및 제2클럭-제어 바이폴라 트랜지스터(clock-controlled bipolar transistor)와; (b)이 제1클럭 제어 트랜지스터에 직렬로 접속된 제1저항(a first resistor)으로서, 이에 의해 그들 사이에 제1노드(a first node)가 형성되고 그들에 의해 제1부랜치(branch)가 형성되는 상기 제1저항과; (c)상기 제1노드에 접속된 베이스단(base terminal)과 제2노드(a second node)에 접속된 고-전류-운반 일단(high-currebt-carrying terminal)을 포함하는 제3바이폴라 트랜지스터(a third bipolar transistor)와; (d)상기 제2트랜지스터와 직렬로 접속된 제4바이폴라 트랜지스터(a fourth bipolar transistor)로서, 이에 의해 그들 사이에 제3노드(a third node)가 형성되고, 그들에 의해 제2브랜치가 형성되는 상기 제4바이폴라 트랜지스터와; (e)상기 제1및 제2브랜치와 병렬접속되어 상기 제4트랜지스터의 저-전류 운반 일단(a-low-currebt arrying terminal)에 접속된 노드를 포함하는 상보형-클럭 전압-강하 장치(complementary-clocked voltage-dropping device)와; (f)상기 제2노드에 접속된 제1일단과 상기 제3노드에 접속된 제2일단을 포함하는 캐패시터(capacitor); 및 (g)상기 제2노드에 접속된 입력장치(input device)를 포함하는 반도체 집척 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 보상형-클럭 전압-강하 장치와 상기 제1 및 제2브랜치와 직렬로 접속된 일단을 갖는 제1전류원(a first current source:IM)을 더 포함하는 반도체 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 상기 보상형-클럭 전압-강하 장치는, 직류 전압-강하 장치(a dc voltage-dropping device)와, 제2저항(a second resistor)과, 상기 직류 전압-강하 장치 및 상기 제2저항과 직렬로 접속된 상보형-클럭 제5바이폴라 트랜지스터(complementary-clocked bipolar transistor)로서, 상기 제5트랜지스터가 상기 직류 전압-강하 장치 사이에 제4노드가 형성되되, 상기 제4노드는 상기 제4트랜지스터의 저-전류-운반 일단에 접속되는 상보형-클럭 제5바이폴라 트랜지스터와; 상기 제4노드에 접속된 일단을 갖는 제2전류원(a second current source)을 더 포함하는 반도체 집적 회로.
- 제1항에 있어서, 입력장치는 유용하게 상기 제2노드와 제3전류원에 접속된 고-전류-운반 일단중의 하나를 구비하는 제6바이폴라 트랜지스터(Q1)를 포함하는 반도체 집적 회로.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 출력단(30)과; 상기 제3노드(N)에 접속된 베이스단과 상기 출력단과 제4전류원(14)에 접속된 고-전류-운반 일단을 구비하는 제7바이폴라 트랜지스터(24)를 더 포함하는 반도체 집적 회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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