KR960008995A - 주사식 포토리소그래피를 위한 오프 축 정렬 시스템 - Google Patents

주사식 포토리소그래피를 위한 오프 축 정렬 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR960008995A
KR960008995A KR1019950024988A KR19950024988A KR960008995A KR 960008995 A KR960008995 A KR 960008995A KR 1019950024988 A KR1019950024988 A KR 1019950024988A KR 19950024988 A KR19950024988 A KR 19950024988A KR 960008995 A KR960008995 A KR 960008995A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
wafer
alignment
scattered
detector means
Prior art date
Application number
KR1019950024988A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100381745B1 (ko
Inventor
안겔리 데이비드
드라쯔키윅 스탄
갈라틴 그레그
Original Assignee
에드워드 에이. 도링
에스브이지 리소그래피 시스템즈, 이이엔씨.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에드워드 에이. 도링, 에스브이지 리소그래피 시스템즈, 이이엔씨. filed Critical 에드워드 에이. 도링
Publication of KR960008995A publication Critical patent/KR960008995A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100381745B1 publication Critical patent/KR100381745B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조에 사용되는 정렬 시스템이다. 이것은 주사 시이퀀스 동안 회로패턴을 포함하는 마스크를 웨이퍼로 정렬시키기위해 사용되는 핵심 구성요소이다. 이 정렬 시스템은 정렬 레티클 패턴을 정렬 마아크를 포함하는 웨이퍼로 영사힌다. 주사동안, 정렬 레티클상으로 부터의 광은 웨이퍼와 이의 정렬 마아크에 의해 반사되고 산란된다. 다수개의 검출기가 정렬 시스템의 풀필 평면에 위치되어 명시야 및 암시야 영역에서 반사 및 산란광을 집광한다. 이 정렬 시스템은 주사식 포토리소그래피 장치의 투영 광학부를 사용하지 않거나 "통하여 보지" 않는다. 정렬 조명을 위해 사용되는 광대역 스펙트럼은 디프 UV파장을 위한 투영 광학부에 바람직하지 않은 결과없이 사용되지 않을 수 있다. 이 정렬 시스템에 이용되는 광대역 스펙트럼 조명에 의해 만날 수 있는 다양한 공정 웨이퍼 구조에 무관하게 웨이퍼 정렬 마아크의 검출을 개선시킨다.

Description

주사식 포토리소그래피를 위한 오프 축 정렬 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관련한 주요구성요소의 블럭도.
제2도는 정렬 센서 헤드, 정렬 조명, 정렬 검출 서브시스템을 특징으로 하는 본 발명의 정렬 신호 발생 경로의 개략도.
제3도는 정렬 레티클의 평면도.
제4도는 웨이퍼 평편에서의 웨이퍼 정렬 마아크 및 정렬 레티클 상의 평면도.
제5도는 퓨플(pupil) 평면 검출기 마스크의 평면도.

Claims (22)

  1. 조명원, 레티클, 광을 지향시키는 제1렌즈 수단, 어퍼춰 정지부, 비임스필릿터, 광을 웨이퍼로 지향시키고 플러스 및 마이너스 정렬 마아크를 갖는 웨이퍼로 부터 반사되고 산란된 광을 집광하는 제2렌즈 수단, 상기 비임스필릿터와 연관되어 웨이퍼로 부터 반사된 광을 검출하는 제1검출기 수단, 웨이퍼 상의 플러스 정렬 마아크로 부터 산란된 광을 검출하는 제2검출기 수단, 웨이퍼 상의 마이너스 정렬 마아크로 부터 산란된 광을 검출하는 제3검출기 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2검출기 수단은 제1좌측 산란광 검출기와 제1우측 산란광 검출기를 구비하고, 상기 제3검출기 수단은 제2좌측 산란광 검출기와 제2우측 산란광 검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레티틀은 2개의 직교하는 사각형 어퍼춰를 갖고, 웨이퍼 상의 단일 정렬 마이크들은 사각형인 젓을 특징으로 하는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 조명원은 광대역 스펙트럼 범위에 결쳐 조명을 제공하는 것을 특징으로 하는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용되는 정렬 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 광대역 스펙트럼 범위는 400나노미터 내지 700나모니머 사이인 것을 특징으로 하는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 조명원은 100나노미터 이상의 범위로 이격된 적어도 4개의 상이한 광파장을 포함하는 것을 특징으로 하는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  7. 조명원, 레티클, 광을 지향시키는 제1렌즈 수단, 어퍼춰 정지부, 비임스필릿터, 광을 웨이퍼로 지향시키고 플러스 및 마이너스 정렬 마아크를 갖는 웨이퍼로 부터 반사되고 산란된 광을 집광하는 제2렌즈 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제1소정의 개구수로 반사광을 수광하도록 위치된, 웨이퍼로 부터 반사된 광을 검출하는 제1검출기 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제2소정의 개구수로 반사광을 수광하도록 위치된, 웨이퍼상의 플러스 정렬 마아크로부터 산란된 광을 검출하는 제2검출기 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제2소정의 개구수로 반사광을 수광하도록 위치된, 웨이퍼 상의 마이너스 정렬 마아크로 부더 산란된 광을 검출하는 제3검출기 수단, 상기 제1검출기 수단과 상기 제2 및 제3검출기 수단사이에 위치하여 원치 않는 산란 및 반사광의 검출을 방지하는 보호대역 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1의 소정의 개구수는 상기 제2의 소정의 개구수 보다 작은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2검출기 수단은 제1좌측 산란광 검출기와 제1우측 산란광 검출기를 구비하고, 상기 제3검출기 수단은 제2좌측 산란광 검출기와 제2우측 산란광 검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  10. 제7항에 있어서, 상기 레티클은 제2개의 직교하는 사각형 어퍼춰를 갖고, 웨이퍼상의 단일 정렬 마아크들은 사각형인 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  11. 제7항에 있어서, 상기 조명원은 광대역 스펙트럼 범위에 걸쳐 조명을 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 광대역 스펙트럼 범위는 400나노미터 내지 700나노미터 사이인 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  13. 제7항에 있어서, 상기 조명원은 100나노미터 이상의 범위로 이격된 적어도 4개의 상이한 광파장을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  14. 400 내지 700나노미터 범위의 대역폭을 갖는 조명원, 2개의 직교하는 직사각형 어퍼춰를 갖는 레터클, 제1렌즈, 웨이퍼에 전달된 광의 개구수를 제한하도록 상기 제1렌즈를 잇따르는 어퍼춰 정지부, 상기 제1렌스로부터의 광을 수광하도록 위치된 비임스플릿터, 상기 제1렌즈를 대향하여 상기 비임스플릿터의 일측에 위치된 제2렌즈, 상기 제2렌즈에 근접하여 위치된 웨이퍼, 플러스 및 마이너스 배향으로 이루어지는 웨이퍼 상의 복수개의 웨이퍼 정렬 마아크, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제1소정의 개구수로 반사광을 수광하도록 위치된, 웨이퍼와 상기 복수개의 웨이퍼 정렬 마아크로 부터 반사된 광을 검출하는 제1검출기 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제2소정의 개구수로 산란광을 수광하도록 위치된, 상기 복수개의 웨이퍼 정렬 마아크의 플러스 정렬 마이크 배향으로 부터 좌방향으로 산란된 광을 검출하는 제1좌측 산란광 검출기 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제2소정의 개구수로 산란광을 수광하도록 위치된, 상기 복수개의 웨이퍼 정렬 마아크의 플러스 정렬 마아크 배향으로 부터 우방향으로 산란된 광을 검출하는 제1우측 산란광 검출기 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제2소정의 개구수로 산란광을 수광하도록 위치된, 상기 복수개의 웨이퍼 정렬 마아크의 마이너스정렬 마아크 배향으로 부터 좌방향으로 산란된 광을 검출하는 제2좌측 산란광 검출기 수단, 상기 비임스플릿터와 연관되고 제2소정의 개구수로 산란광을 수광하도록 위치된, 상기 복수개의 웨이퍼 정렬 마아크의 마이너스정렬 마아크 배향으로 부터 우방향으로 산란된 광을 검출하는 제2우측 산란광 검출기 수단, 상기 제1검출기수단과 상기 제2 및 제3검출기 수단사이에 위치하여 원치않는 산란 및 반사광의 검출을 방지하는 보호대역수단을 구비하고, 상기 제1소정의 개구수는 상기 제2소정의 개구수 보다 작은 값을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 제조에 이용되는 주사식 포토리소그래피 툴에 사용하는 정렬 시스템.
  15. 위에 형성된 복수개의 정렬 마아크를 갖는 웨이퍼 상에 패턴 상을 투영할 수 있는 투영 광학부, 상기 투영 광학부에 인접하여 부착된 정렬 광학부, 웨이퍼 및 그 위에 형성된 복수개의 정렬 마아크로 부터 산란되고 반사되어 상기 정렬 광학부에 의해 집광된 광을 수광하는 복수개의 검출기를 구비하고, 상기 웨이퍼는 상기 복수개의 검출기에 의해 수광된 광의 검출에 의해 패턴과 정렬되는 포토리소그래피 툴.
  16. 제15항에 있어서, 상기 투영 광학계는 자외선으로 전자기 조사를 영사하는 포토리소그래피 툴.
  17. 제15항에 있어서, 상기 투영 광학계는 400 내지 700나노미터의 파장범위에서 웨이퍼로 부터 산란 및 반사광을 집광하는 포토리소그래피 툴.
  18. 제17항에 있어서, 상기 정렬 광학계를 통하여 공을 지향시키는 조명원을 또한 구비하고, 상기 조명원인 100나노미터 이상의 범위로 이격된 적어도 4개의 상이한 광파장을 갖는 광대역 조사를 제공하는 포토리소그래피 툴.
  19. 제18항에 있어서, 상기 조명원은 레이저를 포함하는 포토리소그래피 툴.
  20. 제15항에 있어서, 상기 복수개의 검출기중의 하나가 반사광을 검출하고, 상기 복수개의 검출기중의 하나가 산란광을 검출하는 포트리소그래피 툴.
  21. 제15항에 있어서, 상기 웨이퍼와, 상기 복수개의 웨이퍼 정렬 마이크, 및 투영된 정렬 레티클 상을 시각적으로 관찰하기 위한 TV카메라를 또한 구비하는 포토리소그래피 툴.
  22. 제21항에 있어서, 상기 복수개의 검출기 혹은 상기 TV카메라 중 하나에 광을 지향시키도록 선택적으로 위치되는 가동 거울을 또한 구비하는 포토리소그래피 툴.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950024988A 1994-08-17 1995-08-14 주사식포토리소그래피를위한오프축정렬시스템 KR100381745B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US94-08/292,096 1994-08-17
US94-08/292096 1994-08-17
US08/292,096 US5477057A (en) 1994-08-17 1994-08-17 Off axis alignment system for scanning photolithography

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960008995A true KR960008995A (ko) 1996-03-22
KR100381745B1 KR100381745B1 (ko) 2003-07-22

Family

ID=23123200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950024988A KR100381745B1 (ko) 1994-08-17 1995-08-14 주사식포토리소그래피를위한오프축정렬시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5477057A (ko)
EP (1) EP0698826B1 (ko)
JP (2) JPH08190202A (ko)
KR (1) KR100381745B1 (ko)
CA (1) CA2155045A1 (ko)
DE (1) DE69526890T2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010058151A (ko) * 1999-12-24 2001-07-05 박종섭 변형 조명계를 이용한 웨이퍼 정렬 시스템

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5477057A (en) * 1994-08-17 1995-12-19 Svg Lithography Systems, Inc. Off axis alignment system for scanning photolithography
US5783833A (en) * 1994-12-12 1998-07-21 Nikon Corporation Method and apparatus for alignment with a substrate, using coma imparting optics
US5686996A (en) * 1995-05-25 1997-11-11 Advanced Micro Devices, Inc. Device and method for aligning a laser
US6023338A (en) * 1996-07-12 2000-02-08 Bareket; Noah Overlay alignment measurement of wafers
US5920396A (en) * 1996-10-16 1999-07-06 Svg Lithography Systems, Inc. Line width insensitive wafer target detection
DE69817491T2 (de) * 1997-03-07 2004-06-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches belichtungsgerät mit einer ausserhalb der belichtungsachse liegenden ausrichtungsvorrichtung
US5767523A (en) * 1997-04-09 1998-06-16 Svg Lithography Systems, Inc. Multiple detector alignment system for photolithography
US5952669A (en) * 1997-11-12 1999-09-14 Mustek Systems Inc. Method of alignment for CCD and the apparatus of the same
US6282331B1 (en) 1997-11-17 2001-08-28 Mustek Systems Inc. Apparatus of alignment for scanner and a method of the same
WO2001009927A1 (en) * 1999-07-28 2001-02-08 Infineon Technologies North America Corp. Semiconductor structures and manufacturing methods
US6525818B1 (en) 2000-02-08 2003-02-25 Infineon Technologies Ag Overlay alignment system using polarization schemes
US6444557B1 (en) 2000-03-14 2002-09-03 International Business Machines Corporation Method of forming a damascene structure using a sacrificial conductive layer
US6628406B1 (en) * 2000-04-20 2003-09-30 Justin L. Kreuzer Self referencing mark independent alignment sensor
JP2001351842A (ja) * 2000-06-05 2001-12-21 Canon Inc 位置検出方法、位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US6462818B1 (en) * 2000-06-22 2002-10-08 Kla-Tencor Corporation Overlay alignment mark design
US7068833B1 (en) 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US6486954B1 (en) 2000-09-01 2002-11-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay alignment measurement mark
US6466312B1 (en) * 2001-07-09 2002-10-15 St&T Instrument Corp. Illuminance sensing head structure
JP3997761B2 (ja) * 2001-11-19 2007-10-24 株式会社ニコン 照明光学装置およびそれを備えた検査装置
US7804994B2 (en) * 2002-02-15 2010-09-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Overlay metrology and control method
KR100543536B1 (ko) * 2002-09-20 2006-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 마커구조체, 상기 리소그래피 마커구조체를포함하는 리소그래피 투영장치 및 상기 리소그래피마커구조체를 사용하여 기판을 정렬하는 방법
SG124270A1 (en) * 2002-12-16 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure
EP1431832A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1455235A3 (en) * 2003-03-07 2009-04-22 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI264620B (en) * 2003-03-07 2006-10-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7075639B2 (en) 2003-04-25 2006-07-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks
US7346878B1 (en) 2003-07-02 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection
US7608468B1 (en) * 2003-07-02 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies, Corp. Apparatus and methods for determining overlay and uses of same
AU2003267402A1 (en) * 2003-08-04 2005-02-25 Carl Zeiss Smt Ag Illumination mask for range-resolved detection of scattered light
US7162223B2 (en) * 2004-02-17 2007-01-09 Teamon Systems, Inc. System and method for notifying users of an event using alerts
US7511798B2 (en) * 2004-07-30 2009-03-31 Asml Holding N.V. Off-axis catadioptric projection optical system for lithography
US7557921B1 (en) 2005-01-14 2009-07-07 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools
US7538868B2 (en) * 2005-12-19 2009-05-26 Kla-Tencor Technologies Corporation Pattern recognition matching for bright field imaging of low contrast semiconductor devices
US7511826B2 (en) * 2006-02-27 2009-03-31 Asml Holding N.V. Symmetrical illumination forming system and method
US7738692B2 (en) 2006-07-20 2010-06-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Methods of determining quality of a light source
US7589832B2 (en) * 2006-08-10 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device method
US20090042139A1 (en) * 2007-04-10 2009-02-12 Nikon Corporation Exposure method and electronic device manufacturing method
US20090042115A1 (en) * 2007-04-10 2009-02-12 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and electronic device manufacturing method
US8440375B2 (en) * 2007-05-29 2013-05-14 Nikon Corporation Exposure method and electronic device manufacturing method
IL194580A0 (en) * 2007-10-09 2009-08-03 Asml Netherlands Bv Alignment method and apparatus, lithographic apparatus, metrology apparatus and device manufacturing method
CN101211124B (zh) * 2007-12-21 2010-06-02 上海微电子装备有限公司 一种同轴对准消色差光学系统
CN101286011B (zh) * 2008-05-30 2010-06-02 上海微电子装备有限公司 光刻设备的探测装置、探测方法及制造方法
JP5800456B2 (ja) 2009-12-16 2015-10-28 キヤノン株式会社 検出器、インプリント装置及び物品の製造方法
US8947664B2 (en) * 2009-12-23 2015-02-03 Infineon Technologies Ag Apparatus and method for aligning a wafer's backside to a wafer's frontside
US9927718B2 (en) 2010-08-03 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems
CN102419520B (zh) * 2010-09-27 2014-07-02 上海微电子装备有限公司 一种对准信号模拟发生装置
JP2014513869A (ja) * 2011-04-22 2014-06-05 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ウェーハのようなターゲットを処理するためのリソグラフィシステム、及びウェーハのようなターゲットを処理するためのリソグラフィシステムを動作させる方法
EP2699967B1 (en) 2011-04-22 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
US9383662B2 (en) 2011-05-13 2016-07-05 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing at least a part of a target
US10890436B2 (en) 2011-07-19 2021-01-12 Kla Corporation Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill
US9360778B2 (en) * 2012-03-02 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for lithography patterning
NL2015269A (en) * 2014-08-29 2016-07-08 Asml Holding Nv Method and apparatus for spectrally broadening radiation.
US10435786B2 (en) * 2014-09-10 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Alignment systems employing actuators providing relative displacement between lid assemblies of process chambers and substrates, and related methods
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
JP7038666B2 (ja) 2016-04-26 2022-03-18 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 測定システム、較正方法、リソグラフィ装置及びポジショナ
CN114585972A (zh) * 2019-10-21 2022-06-03 Asml控股股份有限公司 感测对准标记的设备和方法
CN110943360A (zh) * 2020-01-02 2020-03-31 英诺激光科技股份有限公司 基于空芯光子晶体光纤的超连续谱激光光源及检测系统
EP3926403A1 (en) * 2020-06-17 2021-12-22 Mycronic Ab Maskless second layer alignment method and apparatus

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5872945A (ja) * 1981-10-28 1983-05-02 Canon Inc アライメントマ−ク検出方法
JPS5963503A (ja) * 1982-10-02 1984-04-11 Canon Inc マ−ク位置検出方法
JPS59101827A (ja) * 1982-12-01 1984-06-12 Canon Inc 検知光学系
US4871257A (en) * 1982-12-01 1989-10-03 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus for observing patterned article
US4549084A (en) * 1982-12-21 1985-10-22 The Perkin-Elmer Corporation Alignment and focusing system for a scanning mask aligner
US4545683A (en) * 1983-02-28 1985-10-08 The Perkin-Elmer Corporation Wafer alignment device
US4578590A (en) * 1983-05-02 1986-03-25 The Perkin-Elmer Corporation Continuous alignment target pattern and signal processing
JPS60188953A (ja) * 1984-03-08 1985-09-26 Canon Inc 位置検出装置
JPS60220348A (ja) * 1984-04-17 1985-11-05 Canon Inc 位置合せ装置
US4697087A (en) * 1986-07-31 1987-09-29 The Perkin-Elmer Corporation Reverse dark field alignment system for scanning lithographic aligner
US4769680A (en) * 1987-10-22 1988-09-06 Mrs Technology, Inc. Apparatus and method for making large area electronic devices, such as flat panel displays and the like, using correlated, aligned dual optical systems
JPH0430414A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 位置決め装置
JPH0629189A (ja) * 1992-07-13 1994-02-04 Hitachi Ltd 投影式露光装置およびその方法並びに照明光学装置
JP3278892B2 (ja) * 1992-03-30 2002-04-30 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US5477057A (en) * 1994-08-17 1995-12-19 Svg Lithography Systems, Inc. Off axis alignment system for scanning photolithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010058151A (ko) * 1999-12-24 2001-07-05 박종섭 변형 조명계를 이용한 웨이퍼 정렬 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007043199A (ja) 2007-02-15
EP0698826B1 (en) 2002-06-05
US5477057A (en) 1995-12-19
JPH08190202A (ja) 1996-07-23
KR100381745B1 (ko) 2003-07-22
CA2155045A1 (en) 1996-02-18
JP4253014B2 (ja) 2009-04-08
DE69526890T2 (de) 2002-10-02
EP0698826A1 (en) 1996-02-28
DE69526890D1 (de) 2002-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960008995A (ko) 주사식 포토리소그래피를 위한 오프 축 정렬 시스템
US4739373A (en) Projection exposure apparatus
US5721605A (en) Alignment device and method with focus detection system
JP2890882B2 (ja) 位置付け方法、半導体デバイスの製造方法及びそれを用いた投影露光装置
US7916274B2 (en) Measurement of EUV intensity
US4402596A (en) Projection type exposure device
JPS6337321B2 (ko)
JPH0127361B2 (ko)
JPH0810124B2 (ja) 露光装置
JPH03225815A (ja) 露光装置
JPH035651B2 (ko)
JP2652896B2 (ja) 露光装置
EP0354148A3 (en) Apparatus for projecting a series of images onto dies of a semiconductor wafer
KR0160544B1 (ko) 웨이퍼 스텝퍼에서 정렬광의 경사조명에 의한 웨이퍼 정렬방법과 그 장치
JPH03295220A (ja) 薄膜除去方法及び装置
JPS58213207A (ja) アライメントマーク検出方法
JPH0322518A (ja) 照明光学装置
JPH0744138B2 (ja) 位置合わせ装置
JPH0298119A (ja) 露光装置
JPH0715366B2 (ja) 物体位置検出光学装置
JPH0326379B2 (ko)
JPS61221609A (ja) 光電検出光学装置
JPS62216231A (ja) アライメント装置
JPH01227431A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JP2569442B2 (ja) アライメント装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080326

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee