JPS60188953A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JPS60188953A JPS60188953A JP59042825A JP4282584A JPS60188953A JP S60188953 A JPS60188953 A JP S60188953A JP 59042825 A JP59042825 A JP 59042825A JP 4282584 A JP4282584 A JP 4282584A JP S60188953 A JPS60188953 A JP S60188953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- photodetector
- wafer
- signal
- filter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は位置検出装置、特に半導体焼付は装置において
マスク又はレチクルの半導体集積回路パターンをウェハ
上に焼付ける前の工程としてマスクとウェハを正確に位
置合わせするために、マスクとウェハ上にそれぞれ予め
形成された位置合わせ用マーク（以下、それぞれマスク
アライメントマーク、ウェハアライメントマークという
、）の位置を高精度で検出する位置検出装置に関する。
マスク又はレチクルの半導体集積回路パターンをウェハ
上に焼付ける前の工程としてマスクとウェハを正確に位
置合わせするために、マスクとウェハ上にそれぞれ予め
形成された位置合わせ用マーク（以下、それぞれマスク
アライメントマーク、ウェハアライメントマークという
、）の位置を高精度で検出する位置検出装置に関する。
従来、半導体焼付は装置等において、マスクとウェハの
位置合わせを行なうために、マスクアライメントマーク
及びウェハアライメントマークをレーザ光により光走査
し、両者の位置を検出する方法が広く行なわれている。
位置合わせを行なうために、マスクアライメントマーク
及びウェハアライメントマークをレーザ光により光走査
し、両者の位置を検出する方法が広く行なわれている。
これらの方法の１つは予め粗位置合わせされたマスク及
びウェハ上を光走査し、両者の７ライメントマークから
得られる散乱光を光検知器で時系列的に取り出し、該マ
ークの位置情報を光検出器の時間情報に変換するもので
ある。
びウェハ上を光走査し、両者の７ライメントマークから
得られる散乱光を光検知器で時系列的に取り出し、該マ
ークの位置情報を光検出器の時間情報に変換するもので
ある。
しかしながら、この場合、ウェハ・アライメントΦマー
クから得られる散乱光はウェハーＬに塗布されたフォト
レジスト層の影響をうけ、位置検比精度の低下を招くと
いう欠点があった。フォトレジスト層による位置検出精
度の低下の主な原因は、フォトレジスト層のいわゆるプ
リズム作用によるものであり、この欠点を除去する方法
は特願昭５８−１５１３８ｊ！で提案されている。
クから得られる散乱光はウェハーＬに塗布されたフォト
レジスト層の影響をうけ、位置検比精度の低下を招くと
いう欠点があった。フォトレジスト層による位置検出精
度の低下の主な原因は、フォトレジスト層のいわゆるプ
リズム作用によるものであり、この欠点を除去する方法
は特願昭５８−１５１３８ｊ！で提案されている。
本発明は上記従来例の欠点に鑑みて提案されたものであ
り、前記提案を改良し、さらに高速度争高精度の位置検
出を可能とする位置検出装置の提供を目的とする。
り、前記提案を改良し、さらに高速度争高精度の位置検
出を可能とする位置検出装置の提供を目的とする。
以下、図面に従って、本発明の詳細な説明する。第１図
（Ａ）は、マスクパターンを縮小投影光学系を介してウ
ェハー上び焼付ける装置、いわゆるステッパーの主要構
成を示す図である。
（Ａ）は、マスクパターンを縮小投影光学系を介してウ
ェハー上び焼付ける装置、いわゆるステッパーの主要構
成を示す図である。
図中、ｌは集積回路パターン及びアライメント・マーク
を具えたマスクであり、マスク・ステージ２４に保持さ
れている。３は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウ
ェハーでアライメントマークを具えるものとする。５は
ウェハー・スる。マスク・ステージ２４及びウニへ−響
ステージ５は、Ｘ方向、Ｙ方向差びに回転方向（θ方向
）に移動可能なものである。
を具えたマスクであり、マスク・ステージ２４に保持さ
れている。３は縮小投影レンズ、４は感光層を具えるウ
ェハーでアライメントマークを具えるものとする。５は
ウェハー・スる。マスク・ステージ２４及びウニへ−響
ステージ５は、Ｘ方向、Ｙ方向差びに回転方向（θ方向
）に移動可能なものである。
そして例えば、ウェハー・ステージ５をＸＹ方向に送っ
てステップゆアンド拳リピート連動を行い、マスク・ス
テージ２４をＸ＠Ｙ、θ方向に移動してマスクｌを装置
に対して初期ナツトし、更にマスク・ステージ２４をｘ
−Ｘ方向に移動すると共にウェハ一番ステージ５をθ方
向に移動してマスク１とウェハー４のアライメントを行
う、但し。
てステップゆアンド拳リピート連動を行い、マスク・ス
テージ２４をＸ＠Ｙ、θ方向に移動してマスクｌを装置
に対して初期ナツトし、更にマスク・ステージ２４をｘ
−Ｘ方向に移動すると共にウェハ一番ステージ５をθ方
向に移動してマスク１とウェハー４のアライメントを行
う、但し。
ＸｅＹΦθともマスク・ステージを動かしてアライメン
トしても良いし、逆にウェハー・ステージのみを動かし
てアライメントしても良い。
トしても良いし、逆にウェハー・ステージのみを動かし
てアライメントしても良い。
また２０と２０°はマスクｌのアライメントマーク、２
１ト２１’はウェハ−４のアライメントマークである０
図ではウェハー４の７ライメントマークを便宜と、１線
描いているが、実際には露光されるシ！ット数と同じ数
の組が配されているものとする。
１ト２１’はウェハ−４のアライメントマークである０
図ではウェハー４の７ライメントマークを便宜と、１線
描いているが、実際には露光されるシ！ット数と同じ数
の組が配されているものとする。
なお、マスクｌ上のアライメントマークとウェハー上の
アライメントマークは１等倍投影系以外の系を介在させ
た時には投影もしくは逆投影しても両方の７ライメント
マークの寸法が変わらない様に、アライメントマークの
寸法を変えておくものとし、ここではマスクの７ライメ
ントマークの寸法でウェハーのアライメントマークの寸
法を除算すると縮小倍率になる様に設定する。
アライメントマークは１等倍投影系以外の系を介在させ
た時には投影もしくは逆投影しても両方の７ライメント
マークの寸法が変わらない様に、アライメントマークの
寸法を変えておくものとし、ここではマスクの７ライメ
ントマークの寸法でウェハーのアライメントマークの寸
法を除算すると縮小倍率になる様に設定する。
２８は回転軸２９を中心として回転する回転多面鏡（ポ
リゴン−ミラー）である、レーザ光源２２から射出した
レーザ光線は、レンズ２３により回転多面鏡２８上の面
の−・点３１へ収束する。
リゴン−ミラー）である、レーザ光源２２から射出した
レーザ光線は、レンズ２３により回転多面鏡２８上の面
の−・点３１へ収束する。
レンズ３２，３３．３４は光線中継用のレンズ、３５は
三角柱プリズムであって、三角柱プリズム３５の頂点は
光軸−ヒに一致するからレーザー光線の一回の走査はそ
の前半と後半で左右に分けられる。３８は、図面内方向
のレーザー光操作を図面に垂直方向の走査に変換するた
めのプリズムブロックで、例えば第１図（Ｂ）の様な形
状に構成する。４２は光ラー、４３はミラー、４４はレ
ンズ、４５は空間フィルタであり、４７は光検出器であ
る。４８〜５１は全反射ミラー５５２はプリズム、５３
はｆ−０対物レンズである。
三角柱プリズムであって、三角柱プリズム３５の頂点は
光軸−ヒに一致するからレーザー光線の一回の走査はそ
の前半と後半で左右に分けられる。３８は、図面内方向
のレーザー光操作を図面に垂直方向の走査に変換するた
めのプリズムブロックで、例えば第１図（Ｂ）の様な形
状に構成する。４２は光ラー、４３はミラー、４４はレ
ンズ、４５は空間フィルタであり、４７は光検出器であ
る。４８〜５１は全反射ミラー５５２はプリズム、５３
はｆ−０対物レンズである。
また５７はコンデンサーレンズ、５８は同期信号検出用
の光検出器であり、半透鏡４２へ入射したレーザー光の
一部はコンデンサーレンズ５７で集光されて光検出器５
８へ入射する。従って光検出器５Ｂはレーザー光の走査
始点と終点を検出するのに役立 。
の光検出器であり、半透鏡４２へ入射したレーザー光の
一部はコンデンサーレンズ５７で集光されて光検出器５
８へ入射する。従って光検出器５Ｂはレーザー光の走査
始点と終点を検出するのに役立 。
つ。
尚１図かられかる様に、信号検出系は全く対称な左右の
系から成っており、オペレータ側を紙面の手前側とする
と、ダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の
信号検出系と呼ぶことにし、同じ部材には同一番号にダ
ッシュを付けている。
系から成っており、オペレータ側を紙面の手前側とする
と、ダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の
信号検出系と呼ぶことにし、同じ部材には同一番号にダ
ッシュを付けている。
中継レンズ３２．３３．３４は回転多面鏡２Ｂからの振
れ原点を対物レンズ５３の絞り位Ｗ５５の中の瞳５６に
形成する。従ってシート状又はスポット状のレーウェハ
ー上を走査する。
れ原点を対物レンズ５３の絞り位Ｗ５５の中の瞳５６に
形成する。従ってシート状又はスポット状のレーウェハ
ー上を走査する。
第２図はフィルター４５（４５’ ）の平面図であり。
４５Ａ 、 ４５８ 、４５０ 、４５０は透明部、そ
の他の斜線で示す部分は遮光部である。透光部４５＾、
４５Ｂ。
の他の斜線で示す部分は遮光部である。透光部４５＾、
４５Ｂ。
４５０、４５０は、それぞれ８０度間隔で配置されてお
り、その配置方向は後述する様に、アライメントマーク
の段差方向と対応している。
り、その配置方向は後述する様に、アライメントマーク
の段差方向と対応している。
第３１に（Ａ）は、光検知器４７（４７°）のｑｔ面図
であり、光検出器４７（４７°）は、互に独立した受光
要素４７Ａ、 ４７８．４７０．４７０から形成されて
いる。受光要素はチャンネルスト−２パー４７Ｓにより
、互に電気的に分離されており、各々独立に光電流を検
出することができる。受光要素４７Ａ、 ４７８．４７
Ｇ、 ４７Ｄは同一チップ上に形成されており、透光部
を有する金属パッケージ（不図示）に封入されている。
であり、光検出器４７（４７°）は、互に独立した受光
要素４７Ａ、 ４７８．４７０．４７０から形成されて
いる。受光要素はチャンネルスト−２パー４７Ｓにより
、互に電気的に分離されており、各々独立に光電流を検
出することができる。受光要素４７Ａ、 ４７８．４７
Ｇ、 ４７Ｄは同一チップ上に形成されており、透光部
を有する金属パッケージ（不図示）に封入されている。
第２図のフィルタ４５と第３図（Ａ）の光検知器の４７
の相対的な位置関係は、光検知器４７のチャンネル−ス
トッパー４７３がフィルタの透光部４５Ａ、４５．Ｂ。
の相対的な位置関係は、光検知器４７のチャンネル−ス
トッパー４７３がフィルタの透光部４５Ａ、４５．Ｂ。
４５Ｇ、 ４５０に対して、４５度の角度をなす様に配
置される。即ち、透光部４５Ａを通過した光は４７Ａに
、４５Ｂは４７Ｂに、４５Ｇは４７Ｃに、４５１＋は４
７Ｄに入射する様になっている。
置される。即ち、透光部４５Ａを通過した光は４７Ａに
、４５Ｂは４７Ｂに、４５Ｇは４７Ｃに、４５１＋は４
７Ｄに入射する様になっている。
第３図（Ｂ）は本発明の他の実施例に係る光検知器４６
であり、その受光部をフィルターの透光部のパターント
同一の形にしたものである。これにより受光要素４８Ａ
、 ４ＥＩＢ、 ４８０．４８０以外の光は検知されな
いから、光検知器がフィルターの役目もすることになる
。この場合フィルタ４５は不用になり、第１図において
レンズ４４のあとに第３図ＣＢ）の光検知器４６を配置
すればよい。
であり、その受光部をフィルターの透光部のパターント
同一の形にしたものである。これにより受光要素４８Ａ
、 ４ＥＩＢ、 ４８０．４８０以外の光は検知されな
いから、光検知器がフィルターの役目もすることになる
。この場合フィルタ４５は不用になり、第１図において
レンズ４４のあとに第３図ＣＢ）の光検知器４６を配置
すればよい。
第４図（Ａ）はウェハ−・アライメントパターンとウェ
ハー面上に縮小投影レンズを介して投影されたマスク会
アライメントマークの平面図であり、図ではウェハー面
上で右側の７ライメントマーク（左検出系）、即ちウェ
ハーアライメントマーク２１およびマスク会アライメン
トマーク２ｏのみを示しである。マスク・アライメント
マーク２゜は、直交するバー７５と７８からなる。一方
フエバーーアライメントマーク２１は、直行関係の平行
ハーフ１．７２及び７３．７４から成っている。このア
ライメントマークに対してレーザ光は矢印８０で示した
方向に光走査を行う、レーザ光がウェハー−フライメン
トマークを光走査すると、段差？１．７２゜７３、７４
での回折光は段差の線に対して垂直方向、即ち矢印で示
す？ＩＡと７１０．７２Ａと７２Ｇ、 ７３Ｂと７３０
゜７４Ｂと ７４０の方向へ進む、しかしウェハー・ア
ライメントパターンがウェハー表面から突出している（
以後ノコシＯパターンという）か、あるいは窪んでいる
か（ヌキ・パターンという）によってレジスト表面の傾
きが異なるから、段差近傍で反射され、あるいはレジス
ト層で屈折された透過反射光の方向は異なる。
ハー面上に縮小投影レンズを介して投影されたマスク会
アライメントマークの平面図であり、図ではウェハー面
上で右側の７ライメントマーク（左検出系）、即ちウェ
ハーアライメントマーク２１およびマスク会アライメン
トマーク２ｏのみを示しである。マスク・アライメント
マーク２゜は、直交するバー７５と７８からなる。一方
フエバーーアライメントマーク２１は、直行関係の平行
ハーフ１．７２及び７３．７４から成っている。このア
ライメントマークに対してレーザ光は矢印８０で示した
方向に光走査を行う、レーザ光がウェハー−フライメン
トマークを光走査すると、段差？１．７２゜７３、７４
での回折光は段差の線に対して垂直方向、即ち矢印で示
す？ＩＡと７１０．７２Ａと７２Ｇ、 ７３Ｂと７３０
゜７４Ｂと ７４０の方向へ進む、しかしウェハー・ア
ライメントパターンがウェハー表面から突出している（
以後ノコシＯパターンという）か、あるいは窪んでいる
か（ヌキ・パターンという）によってレジスト表面の傾
きが異なるから、段差近傍で反射され、あるいはレジス
ト層で屈折された透過反射光の方向は異なる。
第４図（Ｂ）はヌキ・パターン、第４図（Ｃ）はノコシ
・パターンで７ライメントマークを作成し、゛こ場合の
ウェハー断面の模式図である。
・パターンで７ライメントマークを作成し、゛こ場合の
ウェハー断面の模式図である。
第４図（Ｂ）で示した様に段差部７１における回折光に
は７１Ａと？ＩＣの互に反対方向の光があるが、？ＩＡ
の方向の反射光には、エツジでの回折光及びレジスト表
面↑の反射光のほかに段差の低い７々−ソ無礒−仁ハ１
、ｓフサＬハイ１１イＪ払川１ψμ！ば射光も含まれて
いる。
は７１Ａと？ＩＣの互に反対方向の光があるが、？ＩＡ
の方向の反射光には、エツジでの回折光及びレジスト表
面↑の反射光のほかに段差の低い７々−ソ無礒−仁ハ１
、ｓフサＬハイ１１イＪ払川１ψμ！ば射光も含まれて
いる。
この様子を第４図（Ｄ）で示す段放部７１での拡大断面
図にて説す」する０図中８１はウェハー基板、８２はウ
ェハー基板８！上に塗布されたフォト・レジスト層であ
る。
図にて説す」する０図中８１はウェハー基板、８２はウ
ェハー基板８！上に塗布されたフォト・レジスト層であ
る。
段差部７１における反射光は、エツジ部での回折光７１
Ａ−１，７２Ｇ−１のほかにレジスト表面での反射光Ｖ
ＩＡ−２，７１０−２，７２０−２がある。このうちレ
ジスト表面での反射光は、極めて弱く全体の約４％前後
で°ある。
Ａ−１，７２Ｇ−１のほかにレジスト表面での反射光Ｖ
ＩＡ−２，７１０−２，７２０−２がある。このうちレ
ジスト表面での反射光は、極めて弱く全体の約４％前後
で°ある。
一方しシストのプリズム効果による反射光はレジスト層
に入射屈折後ウェハー表面で反射し、再びレジスト層か
ら空気層へ屈折して出射する光７１Ａ−３である。この
屈折反射光７１＾−３はアライメントマークの段差部近
傍の光であり、この光が光検知器に入射することにより
段差部の検知精度が低下する。特にウェハー表面がアル
ミ等の場合には反射率が高いため、屈折反射光の影響が
大きく位置合せ精度が悪くなる傾向がある。従って段差
部７１における反射光を検知する場合７１Ａ方向の光を
検知せず、 ７１Ｇ方向の光のみを検知すればレジスト
のプリズム効果による光は検知器に入射せず、位置検出
精度は向上する。
に入射屈折後ウェハー表面で反射し、再びレジスト層か
ら空気層へ屈折して出射する光７１Ａ−３である。この
屈折反射光７１＾−３はアライメントマークの段差部近
傍の光であり、この光が光検知器に入射することにより
段差部の検知精度が低下する。特にウェハー表面がアル
ミ等の場合には反射率が高いため、屈折反射光の影響が
大きく位置合せ精度が悪くなる傾向がある。従って段差
部７１における反射光を検知する場合７１Ａ方向の光を
検知せず、 ７１Ｇ方向の光のみを検知すればレジスト
のプリズム効果による光は検知器に入射せず、位置検出
精度は向上する。
一方第４図（８）で示す段差７２においては、逆に７２
Ｇ方向の光にプリズム効果による反射光が含まれている
ため、７２Ａ方向の光のみを検出すればよい。
Ｇ方向の光にプリズム効果による反射光が含まれている
ため、７２Ａ方向の光のみを検出すればよい。
従って第４図（Ｂ）のヌキ・パターンの場合７１Ｇ、
？２Ａ、 ７３Ｂ、 ７４Ｂの光を、ｍ４図（Ｃ）のノ
コシーパターンの場合？ＩＡ、 ７２Ｇ、 ７３Ｄ、
７４Ｂの光を検出すればよい。
？２Ａ、 ７３Ｂ、 ７４Ｂの光を、ｍ４図（Ｃ）のノ
コシーパターンの場合？ＩＡ、 ７２Ｇ、 ７３Ｄ、
７４Ｂの光を検出すればよい。
れを第１表に示す。
第１表
Ｃ＋Ｄ）データセレクタ６０４に入力される。
データセレクタ ６０４は７左右１選択のセレクタであ
り、セレクト信号発生回路１０３からの３ビットのセレ
クト信号ＳＥＬにて制御される。データセレクタ６０４
の出力Ｙは、アナログスイッチ６０５の一方の入力端子
に接続されている。
り、セレクト信号発生回路１０３からの３ビットのセレ
クト信号ＳＥＬにて制御される。データセレクタ６０４
の出力Ｙは、アナログスイッチ６０５の一方の入力端子
に接続されている。
一方、右検出系の信号も左検出系の信号と同様に処理さ
れる。（右検出系は図中、対応する左検出系の記号にダ
ッシュをつけて表わしである。）右検出系のデータセレ
クタ６０４°の出力信号Ｙ゛はアナログスイッチ６０５
の他方の入力端子に接続されている。アナログスイッチ
６０５は同期信号検出回路１００から出力される左検出
系の同期信叫（ＳＹＮＧＬ）がアクティブの時にアナロ
グスイッチはデータセレクタ６０４の出力Ｙを、その他
の時にはデータセレクタ６０４°の出力Ｙ°を選択する
。
れる。（右検出系は図中、対応する左検出系の記号にダ
ッシュをつけて表わしである。）右検出系のデータセレ
クタ６０４°の出力信号Ｙ゛はアナログスイッチ６０５
の他方の入力端子に接続されている。アナログスイッチ
６０５は同期信号検出回路１００から出力される左検出
系の同期信叫（ＳＹＮＧＬ）がアクティブの時にアナロ
グスイッチはデータセレクタ６０４の出力Ｙを、その他
の時にはデータセレクタ６０４°の出力Ｙ°を選択する
。
アナログスイッチ・６０５にて左検出系と右検出系の信
号は選択された後（ＳｉＧ信号）、第５図で示す電圧比
較回路１０４へ入力される。
号は選択された後（ＳｉＧ信号）、第５図で示す電圧比
較回路１０４へ入力される。
再び第５図に戻り説明すると、電圧比較回路１０４は信
号合成拳選択回路１０２の出力信号ＳｉＧとスライスレ
ベル発生回路１０５の出力電圧ＳＬＧを比較する回路で
ある。スライスレベル発生回路１０５はマイクロプロセ
ッサ１０Ｂから与えられるデジタルデータをデジタル中
アナログ変換し、オートアライメント信号（ＳｉＧ）の
スライス電圧（ＳＬＣ）を発生するものである。電圧比
較回路１０４は、アライメント信号（ＳｉＧ）とスライ
ス電圧（Ｓｔｉｌｌ：）の電圧比較を行い、アライメン
ト信号（ＳｉＧ）を二値化するものである。
号合成拳選択回路１０２の出力信号ＳｉＧとスライスレ
ベル発生回路１０５の出力電圧ＳＬＧを比較する回路で
ある。スライスレベル発生回路１０５はマイクロプロセ
ッサ１０Ｂから与えられるデジタルデータをデジタル中
アナログ変換し、オートアライメント信号（ＳｉＧ）の
スライス電圧（ＳＬＣ）を発生するものである。電圧比
較回路１０４は、アライメント信号（ＳｉＧ）とスライ
ス電圧（Ｓｔｉｌｌ：）の電圧比較を行い、アライメン
ト信号（ＳｉＧ）を二値化するものである。
第８図は電圧比較回路１０４の動作を説明する図であり
、第８図（ａ）にはオートアライメントマーク７１．７
５．７２−−−に対応するアライメント信号はＳ７１．
Ｓ７５．５７２−−−によって、またそれに対するス
ライス電圧はＳＬＣで示しである。電圧比較回路１０４
はアライメント信号を２値化し、第８図（Ｂ）で示すパ
ルス信号ＰＬＳを出力する。このパルス信号ＰＬＳは第
５図に示すパルス間隔測定回路１０７に入力される。パ
ルス間隔測定回路１０７は同期信号検出回路１００から
出力される左検出系の同期信号５ＹＮＣＬを基点とし、
パルス信号ＰＬＳの間隔を内部に持った基準クロックで
計数する。再び第８Ｖ（Ｂ）にて説明すると、同期信号
５ＹＮＣＬの立上番１力１゜らアライメントマーク信号
Ｓｏｌ、 Ｓ７５．５７２−−−の立」ニリ及び０−１
：り特開Ｔ７１Ｒ，Ｔ７１Ｆ、 Ｔ７５Ｒ，７７５Ｆ。
、第８図（ａ）にはオートアライメントマーク７１．７
５．７２−−−に対応するアライメント信号はＳ７１．
Ｓ７５．５７２−−−によって、またそれに対するス
ライス電圧はＳＬＣで示しである。電圧比較回路１０４
はアライメント信号を２値化し、第８図（Ｂ）で示すパ
ルス信号ＰＬＳを出力する。このパルス信号ＰＬＳは第
５図に示すパルス間隔測定回路１０７に入力される。パ
ルス間隔測定回路１０７は同期信号検出回路１００から
出力される左検出系の同期信号５ＹＮＣＬを基点とし、
パルス信号ＰＬＳの間隔を内部に持った基準クロックで
計数する。再び第８Ｖ（Ｂ）にて説明すると、同期信号
５ＹＮＣＬの立上番１力１゜らアライメントマーク信号
Ｓｏｌ、 Ｓ７５．５７２−−−の立」ニリ及び０−１
：り特開Ｔ７１Ｒ，Ｔ７１Ｆ、 Ｔ７５Ｒ，７７５Ｆ。
Ｔ７２Ｒ，７７２Ｆ −ｍ−をｋ］測するものである。
第５図に戻って更に説明すると、電圧比較回路１０４の
出力パルス信号ＰＬＳはパルスカウントａ路１０８にも
人力される。パルスカウント回路１０８は、パルス信号
を計数し、その計数値をセレクト信号発生回路１０３へ
出力する。セレクト信号発生回路１０３はマイクロプロ
セッサ１０Ｂの制御下に１、かつ前記パルスカウント回
路１０８の計数値に従って、次々に、信号合成・選択回
路１０２へ選択信号ＳＥＬを出力する６左右の検出計の
光走査終了後、マイクロ・プロセッサはパルス間隔測定
回路１０７に格納されているデータＴ？ＩＲ，７７１Ｆ
、 Ｔ ７５Ｒ。
出力パルス信号ＰＬＳはパルスカウントａ路１０８にも
人力される。パルスカウント回路１０８は、パルス信号
を計数し、その計数値をセレクト信号発生回路１０３へ
出力する。セレクト信号発生回路１０３はマイクロプロ
セッサ１０Ｂの制御下に１、かつ前記パルスカウント回
路１０８の計数値に従って、次々に、信号合成・選択回
路１０２へ選択信号ＳＥＬを出力する６左右の検出計の
光走査終了後、マイクロ・プロセッサはパルス間隔測定
回路１０７に格納されているデータＴ？ＩＲ，７７１Ｆ
、 Ｔ ７５Ｒ。
７７５Ｆ 、−−一を読みとり、マーク間隔及び、マー
クのズレ量を算出する。
クのズレ量を算出する。
例えばマークＳ７１ とＳ７５の間隔ｗｉはＷ１＝ （
Ｔ？５Ｒ＋ ７７５Ｆ）／２− （Ｔ？ＩＲ＋ ７７１
Ｆ）／２で与えられる。マーク間隔が算出されると、間
隔Ｗｌ、 Ｗ２−−一からウェハー・アライメントマー
クとマスク・アライメント・マークのズレ量は１例えば
特願昭５８−１４０８９８で示されている様に、直ちに
計算できる。
Ｔ？５Ｒ＋ ７７５Ｆ）／２− （Ｔ？ＩＲ＋ ７７１
Ｆ）／２で与えられる。マーク間隔が算出されると、間
隔Ｗｌ、 Ｗ２−−一からウェハー・アライメントマー
クとマスク・アライメント・マークのズレ量は１例えば
特願昭５８−１４０８９８で示されている様に、直ちに
計算できる。
次に本発明の他の実施例について説明中る。この発明の
実施例の特徴は、第５図で示すモード設定手段１０９に
より、４分割の受光要素から得らζる光電信号のうちど
の信号を選択するか設定できる点にある。すなわちモー
ド設定手段１０Ｂは（１）ウェハー・アライメントマー
クの形態がニキ・パターンであるか、ノコシ・パターン
であるかの設定、および（２）４個の受光要素群のうち
の同時に何個の受光要素を選択するかの設定が行えるも
のである。モード設定手段１０９は、第５図に示す様に
例えばヌキ・パターン指定スイッチｌｌ０Ａ、ノコシ・
パターン指定スイッチｌｌ０Ｂと受光要素１個選択指示
スイッチＩＩＩＡ、受光要素２個選択支持スイッチＩＩ
ＩＢ、受光要素４個選択支持スイッチＩＩＩＣ及びデコ
ード回路１１２から成り立っている。スイッチｌｌ０Ａ
と！１０Ｂは２回路１選択スイッ４により、またスイッ
チ１１１＾、 ＩＩＩＢ、 ＩＩＩＧは３回路１Ｍ択ス
イッチにより構成され、これらのスイッチ情報はデコー
ド回路１１２で符号化された後マイクロプロセッサｌＯ
６へ伝達される。マイクロプロセッサ１０Ｂはモード選
択手段１０９からのデコード信号を解読し、セレクト信
号発生回路１０３を制御す今モード選択手段１０１１に
おいて、ヌキ・パターン指示スイッチ１１０９Ａ及び受
光要素１個選択指示スイッチＩＩＩＡが選択された場合
を考える。第６図を参照すればヌキ・パターンの場合、
レジスト層′のプリズム効果が少ないアライメント信号
は、マーク７１に対しては５ＩＯＩＧ、マーク７２に対
しては５ｔｏｔａ、以下５ＩＯＩＢ、 ５ｔｏｔ口、
５ｔｏｌｅ’、 ５ＩＯＩＡ“。
実施例の特徴は、第５図で示すモード設定手段１０９に
より、４分割の受光要素から得らζる光電信号のうちど
の信号を選択するか設定できる点にある。すなわちモー
ド設定手段１０Ｂは（１）ウェハー・アライメントマー
クの形態がニキ・パターンであるか、ノコシ・パターン
であるかの設定、および（２）４個の受光要素群のうち
の同時に何個の受光要素を選択するかの設定が行えるも
のである。モード設定手段１０９は、第５図に示す様に
例えばヌキ・パターン指定スイッチｌｌ０Ａ、ノコシ・
パターン指定スイッチｌｌ０Ｂと受光要素１個選択指示
スイッチＩＩＩＡ、受光要素２個選択支持スイッチＩＩ
ＩＢ、受光要素４個選択支持スイッチＩＩＩＣ及びデコ
ード回路１１２から成り立っている。スイッチｌｌ０Ａ
と！１０Ｂは２回路１選択スイッ４により、またスイッ
チ１１１＾、 ＩＩＩＢ、 ＩＩＩＧは３回路１Ｍ択ス
イッチにより構成され、これらのスイッチ情報はデコー
ド回路１１２で符号化された後マイクロプロセッサｌＯ
６へ伝達される。マイクロプロセッサ１０Ｂはモード選
択手段１０９からのデコード信号を解読し、セレクト信
号発生回路１０３を制御す今モード選択手段１０１１に
おいて、ヌキ・パターン指示スイッチ１１０９Ａ及び受
光要素１個選択指示スイッチＩＩＩＡが選択された場合
を考える。第６図を参照すればヌキ・パターンの場合、
レジスト層′のプリズム効果が少ないアライメント信号
は、マーク７１に対しては５ＩＯＩＧ、マーク７２に対
しては５ｔｏｔａ、以下５ＩＯＩＢ、 ５ｔｏｔ口、
５ｔｏｌｅ’、 ５ＩＯＩＡ“。
５ｔｏｔａ’、 ５ｉｏｔ口゛の信号である。このため
これら信号の選択順序は、第６図に示す１，２．３−ｍ
−の番号順となる。従って第７図において光走査が始ま
ると、まずアナログスイッチ＄０５の一端はデーはＣ−
Ａ−Ｂ−＋Ｄの順で左検出系のウェハ・マーク信号を選
択する０次に左検出系の光走査が終ｒして右検出系の光
走査が開始されると、アナログスイッチ８０５の一端は
、データセレクタ６０４′と接続され、データセレクタ
６０４°はＣ′呻Ａ°→Ｂ。
これら信号の選択順序は、第６図に示す１，２．３−ｍ
−の番号順となる。従って第７図において光走査が始ま
ると、まずアナログスイッチ＄０５の一端はデーはＣ−
Ａ−Ｂ−＋Ｄの順で左検出系のウェハ・マーク信号を選
択する０次に左検出系の光走査が終ｒして右検出系の光
走査が開始されると、アナログスイッチ８０５の一端は
、データセレクタ６０４′と接続され、データセレクタ
６０４°はＣ′呻Ａ°→Ｂ。
→Ｄ°の順で右検出系のウェハー・マーク信号を選択す
る。この様にして、受光要素群は１次々と選択されるこ
とになる。
る。この様にして、受光要素群は１次々と選択されるこ
とになる。
またノコシ・パターンの場合にはＡ−Ｃ−Ｄ→Ｂ−Ａ’
→Ｃ°→Ｄ′呻Ｂの順になる。
→Ｃ°→Ｄ′呻Ｂの順になる。
なおレチクル・マーク信号Ｓ７５． Ｓ７Ｂ、 ５７５
°。
°。
３７Ｂ’はレジスト層の影響をうけないから、特に受光
要素群を選択する必要はなく、常に４つの受光要素群の
出力信号の加算値（Ａ十Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）及び（Ａ’ ＋Ｂ
’ ＋Ｃ’ 十〇’）でよい。
要素群を選択する必要はなく、常に４つの受光要素群の
出力信号の加算値（Ａ十Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）及び（Ａ’ ＋Ｂ
’ ＋Ｃ’ 十〇’）でよい。
次に本発明のもう一つの実施例である受光要素の個数を
選択する例について述べる。この選択は５例えば第５図
１１１Ａ、 １１１Ｂ、 ＩＩＨＩ：で示される受光要
素選択数イッチにて行われる。
選択する例について述べる。この選択は５例えば第５図
１１１Ａ、 １１１Ｂ、 ＩＩＨＩ：で示される受光要
素選択数イッチにて行われる。
受光要素数を選択する目的は
（１）比較的位置合せ精度のゆるくても構わないウェハ
ー、あるいはウェハーからの反射光量が低いウェハー（
反射光量が低いウエハ−はレジストのプリズム効果も低
い）に対しては２個又は４個の受光要素を選択し、むし
ろ信号レベルを稼ぐことにより位置検出率の増加及び位
置合せの高速化をねらう。
ー、あるいはウェハーからの反射光量が低いウェハー（
反射光量が低いウエハ−はレジストのプリズム効果も低
い）に対しては２個又は４個の受光要素を選択し、むし
ろ信号レベルを稼ぐことにより位置検出率の増加及び位
置合せの高速化をねらう。
（２）高い位置合せ精度の要求されるウェノ＼−１ある
いは表面がアルミ等の反射率の高い物質によって覆われ
ているウェハーで、レジストのプリズム効果が大きく精
度が悪いウェハーに対しては、所定の１個の受光要素を
選択して位置合せ精度の向りをねらうことにある。
いは表面がアルミ等の反射率の高い物質によって覆われ
ているウェハーで、レジストのプリズム効果が大きく精
度が悪いウェハーに対しては、所定の１個の受光要素を
選択して位置合せ精度の向りをねらうことにある。
従ってオペレータは、ＩＩ的に合せて受光費稟敗選択ス
イッチ１１１＾、 ＩＩＩＢ、 １１１Ｇ、のいずれか
一つを選択すればよい０以上アライメントマーク形態（
ヌキ、ノコシ）及び受光要素選択数をパラ１−タとした
時、ウェハーやアライメントマーク信号に対する選択方
法は、第６図における信号Ａ。
イッチ１１１＾、 ＩＩＩＢ、 １１１Ｇ、のいずれか
一つを選択すればよい０以上アライメントマーク形態（
ヌキ、ノコシ）及び受光要素選択数をパラ１−タとした
時、ウェハーやアライメントマーク信号に対する選択方
法は、第６図における信号Ａ。
Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ａ＋Ｃ，Ｂ＋Ｄ、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ及び信号
Ａ’ 、Ｂ’ 、Ｃ’ 、Ｄ’ 、Ａ’ −’Ｃ’ ・
Ｂ’ ＋Ｄ’、Ａ’ ＋Ｂ’ ＋Ｃ’ ＋Ｄ’を用いて
占き表わすと表２の様になる。なお矢印は信号選択の順
序を示す。
Ａ’ 、Ｂ’ 、Ｃ’ 、Ｄ’ 、Ａ’ −’Ｃ’ ・
Ｂ’ ＋Ｄ’、Ａ’ ＋Ｂ’ ＋Ｃ’ ＋Ｄ’を用いて
占き表わすと表２の様になる。なお矢印は信号選択の順
序を示す。
以上説明したように、本発明によれば次のような効果が
得られる。
得られる。
（１）複数の受光部のうちレジスト層のプリズム効果等
による不要な光信号を含まない受光部のみを選択して検
出信号を得ることにより、高精度に位置検出が可能とな
る。
による不要な光信号を含まない受光部のみを選択して検
出信号を得ることにより、高精度に位置検出が可能とな
る。
（２）識別マークの形態により信号検出に最適の受光部
を選択できるから、識別マークの形態に対応した高精度
の位置検出が可能となる。
を選択できるから、識別マークの形態に対応した高精度
の位置検出が可能となる。
（３）複数の受光部の各出方信号のうち同時に選択すべ
き個数を設定できるから、反射光の強さおよび要求精度
に応じた効率の良く、かつ高精度の位置検出が可能とな
る。
き個数を設定できるから、反射光の強さおよび要求精度
に応じた効率の良く、かつ高精度の位置検出が可能とな
る。
（０反射光を検知する光検知手段の受光面が空間フィル
タ形状であるため別に空間フィルタを設けることを不要
とし、コンパクトでＪかっ高精もの位置検出が可能であ
る。
タ形状であるため別に空間フィルタを設けることを不要
とし、コンパクトでＪかっ高精もの位置検出が可能であ
る。
第１図（轟）は本発明の実施例に係る焼付装置の概略構
成図、第１図（Ｂ）は焼付装置の一橋代要素であるプリ
ズムブロックの斜視図、第２ｖ４は本発明の実施例に係
るフィルターの平面図、第３図（Ａ）は本発明の実施例
に係る光検知器の平面図。 第３図（Ｂ）は別の実施例に係る光検知器の平面図であ
る。 第４図（Ａ）は縮小投影レンズを介して投影したウェハ
ーの７ライメントマークとマスク・アライメントマーク
の平面図、第４図ＣＢ’）・ （Ｃ）はそれぞれヌキパ
ターンおよびノコシバターンでウェハｍ−７ライメント
マークを形成したウェハー断面の模式図、第４図（０）
はウェハーの段差部でのレーザー反射光の方向を説明す
る図である。 第５ｆｆ４は本発明の実施例に係る信号処理回路のブロ
ック図、第６図はウェハー・アライメントマークとマス
ク・アライメントマークを光走査したとき本発明の実施
例に係る光検知器によって得られる各信号の波形図、第
７図は本発明の実施例に係る信号合成・選択回路の詳細
なブロック図。 第８図は本発明の実施例に係る電圧比較回路の動作説明
図である。 ４５轟、４５Ｂ、４５Ｃ，４５Ｄ、４８Ａ、４８Ｂ、４
８Ｃ，４８Ｄ、４７に。 ４７８、４７Ｇ’、 ４７０−−一光検知器の透光部。 ４５、４Ｇ、 ４７．５８−−一 光検知器１００−ｍ
−回期信号検出回路 １０１−ｍ−アンプ １０２−一一信号合成φ選択回路 １０３−−−セレクト信号発生回路 １０４−−一電圧比較回路 １０５−−−スライスレベル発生回路 １０Ｂ−−−マイクロプロセッサ １０７−−−バルス間隔測定回路 １０８−ｍ−パルスカウント回路 １Ｇ＋１−−−モード設定手段 ８０１、８０２．６０３−−一加算器 ６０４−−−データセレクタ ８０５−−−アナログスイッチ ？８ｆｔ、’ｆｆ１ｆｆ ＧＯ−１８８９５３（８）！ 第１図 （Ｂ） 第 ２ 図 （Ａ） ／ ／′ 一／ １ 第 ４ 図
成図、第１図（Ｂ）は焼付装置の一橋代要素であるプリ
ズムブロックの斜視図、第２ｖ４は本発明の実施例に係
るフィルターの平面図、第３図（Ａ）は本発明の実施例
に係る光検知器の平面図。 第３図（Ｂ）は別の実施例に係る光検知器の平面図であ
る。 第４図（Ａ）は縮小投影レンズを介して投影したウェハ
ーの７ライメントマークとマスク・アライメントマーク
の平面図、第４図ＣＢ’）・ （Ｃ）はそれぞれヌキパ
ターンおよびノコシバターンでウェハｍ−７ライメント
マークを形成したウェハー断面の模式図、第４図（０）
はウェハーの段差部でのレーザー反射光の方向を説明す
る図である。 第５ｆｆ４は本発明の実施例に係る信号処理回路のブロ
ック図、第６図はウェハー・アライメントマークとマス
ク・アライメントマークを光走査したとき本発明の実施
例に係る光検知器によって得られる各信号の波形図、第
７図は本発明の実施例に係る信号合成・選択回路の詳細
なブロック図。 第８図は本発明の実施例に係る電圧比較回路の動作説明
図である。 ４５轟、４５Ｂ、４５Ｃ，４５Ｄ、４８Ａ、４８Ｂ、４
８Ｃ，４８Ｄ、４７に。 ４７８、４７Ｇ’、 ４７０−−一光検知器の透光部。 ４５、４Ｇ、 ４７．５８−−一 光検知器１００−ｍ
−回期信号検出回路 １０１−ｍ−アンプ １０２−一一信号合成φ選択回路 １０３−−−セレクト信号発生回路 １０４−−一電圧比較回路 １０５−−−スライスレベル発生回路 １０Ｂ−−−マイクロプロセッサ １０７−−−バルス間隔測定回路 １０８−ｍ−パルスカウント回路 １Ｇ＋１−−−モード設定手段 ８０１、８０２．６０３−−一加算器 ６０４−−−データセレクタ ８０５−−−アナログスイッチ ？８ｆｔ、’ｆｆ１ｆｆ ＧＯ−１８８９５３（８）！ 第１図 （Ｂ） 第 ２ 図 （Ａ） ／ ／′ 一／ １ 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１の識別マークが形成された第１の物体と第２の識別
マークが形成された第２の物体からの光を検出し、第１
の物体と第２の物体の相対的な位置を検出する装置にお
いて、 光を発生する手段と、 前記光を一次元方向に走査する光走査手段と、前記−次
元方向に走査された光を前記第１及び第２の物体上に結
像させる結像手段と、前記第１及び第２の物体からの反
射光を独立に検知する空間フィルタ形状の受光面を備え
た光検知手段とを有することを特徴とする位置検出装置
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042825A JPS60188953A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 位置検出装置 |
| US06/707,864 US4663534A (en) | 1984-03-08 | 1985-03-04 | Position detecting device utilizing selective outputs of the photodetector for accurate alignment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59042825A JPS60188953A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60188953A true JPS60188953A (ja) | 1985-09-26 |
Family
ID=12646731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59042825A Pending JPS60188953A (ja) | 1984-03-08 | 1984-03-08 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60188953A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341023A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-22 | エスヴィージー・リトグラフィー・システムズ・インコーポレイテッド | ウエハをレチクルヘアラインする方法および装置 |
| JP2007043199A (ja) * | 1994-08-17 | 2007-02-15 | Asml Us Inc | 走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール |
-
1984
- 1984-03-08 JP JP59042825A patent/JPS60188953A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6341023A (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-22 | エスヴィージー・リトグラフィー・システムズ・インコーポレイテッド | ウエハをレチクルヘアラインする方法および装置 |
| JP2007043199A (ja) * | 1994-08-17 | 2007-02-15 | Asml Us Inc | 走査形写真平版のためのオフ軸アライメント装置及び写真平版ツール |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100544439B1 (ko) | 얼라인먼트유니트를갖는리소그래픽투영장치 | |
| US5528360A (en) | Surface-condition inspection apparatus | |
| US4566795A (en) | Alignment apparatus | |
| JPH04232951A (ja) | 面状態検査装置 | |
| US4614432A (en) | Pattern detector | |
| US4636080A (en) | Two-dimensional imaging with line arrays | |
| JPS6286819A (ja) | 位置検出方法 | |
| EP0273717A2 (en) | Method and apparatus for noncontact automatic focusing | |
| JPH0145973B2 (ja) | ||
| US5285259A (en) | Position detecting method | |
| JPS61111402A (ja) | 位置検出装置 | |
| KR20010091971A (ko) | 얼라인먼트 장치, 얼라인먼트 방법, 노광 장치 및 노광 방법 | |
| US4611122A (en) | Signal detection apparatus with plural elongate beams corresponding | |
| US4663534A (en) | Position detecting device utilizing selective outputs of the photodetector for accurate alignment | |
| JPS60188953A (ja) | 位置検出装置 | |
| KR900006773B1 (ko) | 위치 검출방법 및 장치 | |
| US4701050A (en) | Semiconductor exposure apparatus and alignment method therefor | |
| JPS60187804A (ja) | 位置検出装置 | |
| CA1193030A (en) | Alignment device for integrated circuit manufacturing machines | |
| JPS60187803A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS60188951A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS60188952A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP2513281B2 (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPH0715366B2 (ja) | 物体位置検出光学装置 | |
| JPS62274248A (ja) | 表面状態測定装置 |