KR960008668Y1 - 반도체 제조용 헥사메틸디실라즌 도포 시스템 - Google Patents
반도체 제조용 헥사메틸디실라즌 도포 시스템 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 종래의 HMDS 도포 시스템 구성도.
제2도는 본 고안에 따른 HMDS 도포 시스템 구성도.
* 도면의 주용부분에 대한 부호의 설명
1 : HMDS 도포 장치 2 : HMDS 용기
3,6,9 : 튜브 4 : 가스조절밸브
5 : 주조절장치 7 : 세방향밸브
8 : 보조조절장치 10 : 체크밸브
본 고안은 반도체 제조용 HMDS(hexamethydisi lazane)도포 시스템에 관한 것으로, 특히 오염된 튜브를 자동으로 깨끗이 세정하는 기능을 갖는 반도체 제조용 HMDS 도포 시스템에 관한 것이다.
HMDS는 반도체 제조공정중 감광막을 웨이퍼에 코팅하기 전에 감광막과 웨이퍼 사이의 접착력을 향시키기 위하여 도포하는 액체상태의 물질로서, 웨이퍼 사아에 도포되는 균일도에 따라 반도체 제조공정 및 소자의 수율에 커다란 영향을 미친다.
제1도를 통하여 종래의 HMDS 도포 시스템을 살펴본다.
도면에 도시된 바와같이, 종래의 HMDS 도포 시스템은 웨이퍼를 회전시키면서 HMDS를 도포하는 HMDS 도팡치(1)에 HMDS 용액을 공급할 수 있도록 HMDS 용기(2)와 두 개의 튜브(3,6)가 형성되어 있는데, 제1튜브(3)에는 HMDS 용기(2)에 담겨잇는 HMDS를 버블(bubble) 시킬 수 있도록 N2 가스가 주입되고, 이 버블되어 중기화된 HMDS는 제2튜브(6)를 통해 HMDS 도포장치(1)에 공급되도록 구성되어 있다.
또한, 상기 제1튜브(3)에는 N2 가스량을 조정할 수 있도록 주조절장치(5)에 의해서 제어되는 가스조절벨브(4)가 형성되어 있다.
그러나, 상기와 같은 구조를 갖는 종래의 HMDS 도포 시스템은 튜브 내의 HMDS를 세척해낼수 있도록 구성되어 있지 않아 일정기간 사용시 튜브 내부가 오염되어 HMDS 도포시 웨이퍼의 도포된 HMDS 균일도가 나빠지는 것은 물론, 각각의 웨이퍼마다 역시 균일도가 나쁘므로 이후의 공정인 감광막 코팅공정 및 노광공정이 원만히 이루어지지 않는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 고안은 오염된 튜브를 자동으로 깨끗이 세정하는 기능을 갖도록하여 웨이퍼에 대한 HMDS 도포 균일도를 향상시키는 반도체 제조용 HMDS 도포 시스템을 제공함을 그 목적으로 한다.
상기 목적은 달성하기 위하여 안출된 본 고안은 웨이퍼를 회전시키면서 HMDS를 도포하는 HMDS 도포장치, HMDS 용액이 담겨있는 HMDS 용액을 버블링 시킬수 있도록 N2가스가 주입되는 제1튜브, 상기 제1튜브 상에 형성되어 N2 가스 흐름을 제어하는 가스조절벨브, 상기 가스조절밸브를 제어하는 제1제어수단, HMDS 용기에서 버블되어 기체화된 HMDS를 HMDS 도포장치에 보내주기위한 제2튜브를 구비하는 반도체 제조용 HMDS 도포 시스템에 있어서, 튜브 세척시 전체 튜브에 흐르는 N2 가스가 HMDS 용기를 통하지 않도록 상기 제1튜브 및 제2튜브 사이에 연결되는 제3튜브, 상기 제1튜브 및 제3튜브를 연결하되 사용자의 선책에 따라 HMDS 용기 또는 제3튜브로 N2 가스가 흐를수 있도록 하는 세방향밸브, 상기 세방향밸브를 제어하는 제2제어수단, N2 가스와 HMDS 용액이 역류하는 것을 방지하기 위해서 상기 제3튜브 및 HMDS 용기에 근접한 제2튜브상에 각각 형성되는 체크밸브를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면 제2도를 참조하여 본 고안의 실시예를 상세히 설명한다.
제2도는 본 고안에 따른 HMDS 도포 시스템 구성도로서, 도면에 도시된 바와 같이 HMDS 도포장치(1), HMDS 용기(2), 용기(2) 속의 HMDS를 버블(bubble) 시킬 수 있도록 일측은 상기 HMDS 용기(2)에 담겨져있고, 타측은 N2 가스가 주입되는 제1튜브(3), 상기 제1튜브(3) 상에 형성되는 N2 가수량을 조절하는 가스조절밸브(4), 상기 HMDS 용기(2)에서 버블되어 기체화된 HMDS를 HMDS 도포장치(1)에 보내줄수 있도록 일측은 HMDS 용기(2)에 담겨있고 타측은 HMDS 도포장치(1)에 연결되어 있는 제2튜브(6), N2 가스가 HMDS 용기(2)를 통하여 흐르지 않도록 상기 제1튜브(3) 및 제2튜브(6) 사이에 연결되어 시스템의 튜브 세척시 N2 가스가 흐르는 제3튜브(9), 상기 제1튜브(3) 및 제3튜브(9)를 연결하는 세방향밸브(7), 상기 세 방향밸브(7)를 제어하는 보조조절장치(8), 상기 가스조절밸브(4) 및 보조조절장치(8)를 제어하는 주조절장치(5)를 포함하여 이루어진다.
또한, N2 가스와 HMDS 용액이 역류하는 것을 방지하기 위해서 상기 제3튜브(9) 및 제2튜브(6)상에 각각 체크밸브(10)가 형성되어 있다.
상기 설명과 같은 구조를 갖는 본 고안의 HMDS 도포 시스템의 동작은 다음과 같다.
먼저, HMDS 도포시에는 주조절장치(5)가 가스조절밸브(4)와 보조조절장치(8)에 신호를 주면 가스조절밸브(4)는 열리고 보조조절장치(8)에 의해서 세방향밸브(7)가 동작하는데, 이때 세방향밸브(7)는 N2 가스가 HMDS 용기(2)속의 HMDS를 버블링 시킬수 있도록 동작되며, 버블링되어 중기화된 HMDS는 제2튜브(6)를 통해 HMDS 도포장치(1)에 뿌려진다.
다음, 반복되는 공정에 의해 시스템의 튜브 내가 오염되엇을 시에는 주조절장치(5)가 가스조절밸브(4)와 보조조절장치(8)에 신호를 주면 가스조절밸브(4)는 열리고 보조조절장치(8)에 의해서 세방향밸브(7)가 동작하는데, 이때 세방향밸브(7)는 N2 가스가 HMDS 용기(2)속의 HMDS를 버블링 시킬수 있도록 동작되며, 버블링되어 중기화된 HMDS는 제2튜브(6)를 통해 HMDS 도포장치(1)에 뿌려진다.
다음, 반복되는 공정에 의해 시스템의 튜브 내가 오염되었을 시에는 주조절장치(5)가 가스조절밸브(4)와 보조조절장치(8)에 신호를 주면 가스조절밸브(4)는 열리고 보조조절장치(8)에 의해서 세방향밸브(7)가 동작하는데, 이때 세방향밸브(7)는 N2 가스가 HMDS 용기(2)에 도달하지 않도록 즉, 제3튜브(9)를 통과하여 제2튜브(6), HMDS 도포장치(1)로 흘러 시스템의 튜브 세척은 물로 HMDS 도포장치(1)를 세척하게 된다.
상기 설명과 같이 본 고안의 HMDS 도포 시스템은 HMDS에 의해 오염된 튜브 및 HMDS 도포 장치를 자동 세척 하므로써 웨이퍼에 대한 HMDS의 도포 균일도를 향상시켜 이후의 공정이 원만히 이루어지도록 하며, 소장의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (2)
- 웨이퍼를 회전시키면서 HMDS(hexamethydisilazane)를 도포하는 HMDS 도포장치(1), HMDS 용액이 담겨있는 HMDS 용기(2), 상기 HMDS 용기(2)에 담겨있는 HMDS 용액을 버블링 시킬 수 있도록 N2가스가 주입되는 제1튜브(3), 상기 제1튜브(3) 상에 형성되어 N2 가스 흐름을 제어하는 가스조절밸브(4), 상기 가스조절밸브(4)를 제어하는 제1제어수단(5), HMDS 용기(2)에서 버블되어 기체화된 HMDS를 HMDS 도포장치(1)에 보내주기위한 제2튜브(6)을 구비하는 반도체 제조용 HMDS 도포 시스템에 있어서, 튜브 세척시 전체 튜브에 흐르는 N2 가스가 HMDS 용기(2)를 통하지 않도록 상기 제1튜브(3) 및 제2튜브(6) 사이에 연결되는 제3튜브(9). 상기 제1튜브(3) 및 제3튜브(9)를 연결하되 사용자의 선택에 따라 HMDS 용기(2) 또는 제3튜브(9)로 N2가스가 흐를수 있도록 하는 세방향밸브(7). 상기 세방향밸브(7)를 제어하는 제2제어수단(8). N2가스와 HMDS 용액이 역류하는 것을 방지하기 이해서 상기 제3튜브(9) 및 HMDS 용기(2)에 근접한 제2튜브(6)상에 각각 형성되는 체크밸브(10)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 HMDS 도포 시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 제2제어수단(8)은 상기 제1제어수단(5)에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 HMDS 도포 시스템.
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KR2019930019609U KR960008668Y1 (ko) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | 반도체 제조용 헥사메틸디실라즌 도포 시스템 |
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Publications (2)
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KR950010186U KR950010186U (ko) | 1995-04-24 |
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- 1993-09-25 KR KR2019930019609U patent/KR960008668Y1/ko not_active IP Right Cessation
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