KR960004597B1 - 반도체 발광 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

반도체 발광 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR960004597B1
KR960004597B1 KR1019920010182A KR920010182A KR960004597B1 KR 960004597 B1 KR960004597 B1 KR 960004597B1 KR 1019920010182 A KR1019920010182 A KR 1019920010182A KR 920010182 A KR920010182 A KR 920010182A KR 960004597 B1 KR960004597 B1 KR 960004597B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
emitting diodes
terminal
emitting device
semiconductor light
Prior art date
Application number
KR1019920010182A
Other languages
English (en)
Inventor
사또시 고모또
히로시 나가사와
히또시 가와사끼
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
아오이 죠이찌
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바, 아오이 죠이찌 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Application granted granted Critical
Publication of KR960004597B1 publication Critical patent/KR960004597B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20—Controlling the colour of the light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H05B45/3725—Switched mode power supply [SMPS]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/42—Antiparallel configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
    • H05B47/10—Controlling the light source
    • H05B47/155—Coordinated control of two or more light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/918—Light emitting regenerative switching device, e.g. light emitting scr arrays, circuitry

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

반도체 발광 장치 및 구동 방법
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 반도체 발광 장치의 구성을 도시한 도면.
제2도는 제1도에 도시한 장치에서 구동 회로의 구성을 도시한 도면.
제3도는 제2도에 도시한 구동 회로의 하나의 타이밍 예를 도시한 타이밍 챠트.
제4도는 본 발명의 다른 실시예에 관한 반도체 발광 장치의 구성을 도시한 도면.
제5도는 복수의 발광 다이오드를 구비한 종래의 반도체 발광 장치의 구성을 도시한 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1a, 1b, 1c, 11a, 11b, 11c, 41, 42, 43, 44 : 발광 다이오드
2, 12 : 소자 탑재용 리드 3a, 3b, 3c, 13a, 13b, 13c, : 본딩 와이어
21 : 다색 LED램프 22, 25 : 전원 변환부
23, 24, 26, 27, 28 : 트랜지스터 32 : 펄스 신호 발진기
33 : 분주 회로 34B, 34G, 34R : 단안정 멀티바이브레이터
35B, 35G, 35R, 36 : 논리 게이트
본 발명은 3개 이상의 발광 다이오드를 구비하여 다색 발광하는 반도체 발광 장치에 관한 것이다.
발광 파장이 다른 복수의 발광 다이오드(LED)를 이용해서 구성되는 종래의 다색 LED 램프로서는, 예를들면 제5도에 도시한 바와 같은 구조이다.
제5a도에 있어서 다색 LED램프는 각각 발광 파장이 다른 3개의 발광 다이오드(1a, 1b 및 1c)를 갖고 있고, 각각이 그 캐소드측(N 측)을 탑재면으로 하여 소자 탑재용 리드(2)상에 전기적으로 접속되도록 탑재되어 있다. 각각의 발광 다이오드(1a, 1b 및 1c)는 애노드측(P측)이 각각 대응하는 와이어(3a, 3b 및 3c)를 통해 각각 대응하는 본딩용 리드(4a, 4b 및 4c)에 접속 결선되어 있다. 이와 같은 3개의 발광 다이오드(1a, 1b 및 1c)는 수지(5)로 봉지되어 있다.
이와 같은 다색 LED 램프는 3개의 발광 다이오드(1a, 1b 및 1c)가 제5b도에 도시한 바와 같이 캐소드 공통으로 하는 순방향 병렬로 접속되어 각각 독립적으로 발광제어되어, 다색 발광 장치로서 가능하게 된다.
이와 같은 구조의 다색 LED 램프에 있어서는 제5a도에 도시한 바와 같이 각각의 발광 다이오드(1a, 1b 및 1c)의 애노드가 독립해 있기 때문에 탑재용 리드(2)상에 탑재되는 발광 다이오드의 갯수와 같은 수의 본딩용 리드(4a, 4b 및 4c)가 필요하게 된다. 따라서, 램프를 구성하는 부품수를 줄이기 곤란해져서 소형화에 장애가 되었다.
또, 3개의 본딩용 리드(4a,4b 및 4c)에서 본딩면과 소자 탑재용 리드(2)에서의 탑재면이 직선상에 배열되기 때문에, 발광 다이오드(1b)와 이것에 대응한 가장 바깥둘레의 본딩용 리드(4b)와의 거리가 멀어지고, 본딩 와이어(3b)의 길이도 길어져서 본딩 작업을 곤란하게 했다.
그래서 이와 같은 문제점을 해결하기 위한 대책으로서, 본딩용 리드를 1개 삭감하여 2개의 발광 다이오드의 애노드측을 동일한 본딩용 리드에 접속하는 구조를 생각할 수 있다.
그러나, 이와 같은 구조는, 하나의 본딩용 리드에 접속 결선되는 2개의 발광 다이오드는 소자 탑재용 리드(2)와 본딩용 리드와의 사이에서 순방향 병렬로 접속되게 된다. 이 때문에, 이들 2개의 발광 다이오드에 공급되는 전류의 배분을 외부에서 설정할수 없게 되어, 이들 2개의 발광 다이오드를 각각 독립하여 발광 제어할 수 없게 된다.
따라서, 이들 발광 다이오드에 있어서 단색 발광이 불가능해짐과 동시에 LED 램프 전체로서의 색조에도 큰 제약을 받게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 제5도에 도시한 바와 같은 종래의 다색 LED 램프에 있어서는 각각의 발광 다이오드에서 독립 제어성을 손상하지 않고 발광 구동하려면 구성의 소형화가 곤란해지고 조립시 작업성이 나빠지는 문제가 있었다.
그래서 본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 조립 작업성이 우수하고, 구성의 소형화 및 독립 발광 제어를 달성할 수 있는 복수의 발광 다이오드를 구비한 반도체 발광 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제1특징은 전류가 순방향으로 통과될 때 다른 색 광을 방출하는 다수의 발광 다이오드를 갖고 있는 반도체 발광 장치에 있어서, 각각 제1 및 제2전극을 갖고 있는 제1, 제2 및 제3발광 다이오드(11a,11b,11c)를 포함하는데, 상기 제1 및 제2 및 제3발광 다이오드는 역방향으로 병렬 접속되어 있고, 공통 전기 접속을 상기 제1, 제2 및 제3발광 다이오드의 제1전극 각각에 제공하는 공통 단자(12), 공통 전기 접속을 상기 제1 및 제2발광 다이오드의 제2전극에 제공하는 공통 단자(14a), 및 전기 접속을 상기 제1 및 제2발광 다이오드의 제2전극에 제공하는 제2단자(14b)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치이다.
또, 본 발명의 제2특징은 상기 제1특징에 추가로 상기 공통 단자, 제1단자, 제2단자에 고위 전원 또는 저위 전원을 공급하는 전원 공급 수단과, 상기 제1단자에 접속되는 전원과 상기 공통 단자에 접속되는 전원이 서로 다른 전원으로 되고, 상기 제2단자에 접속되는 전원과 상기 공통 단자에 접속되는 전원이 서로 다른 전원으로 되도록 상기 전원 공급 수단과 상기 각각의 단자를 접속 제어하는 제어수단을 구비한다.
또, 본 발명의 제3특징은 3개 이상의 발광 다이오드중 역방향으로 병렬 접속된 1쌍의 발광 다이오드에 대해 전류를 시분할하여 각각의 발광 다이오드에 공급하여 발광 구동한다.
본 발명의 2개의 발광 다이오드를 서로 역방향으로 되도록 병렬 접속하고 한쪽의 병렬 접속점을 다른 발광 다이오드가 접속되지 않는 공통의 단자에 접속하도록 했다.
이하, 도면을 이용하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
제1도는 본 발명의 한 실시예에 관한 반도체 발광 장치의 구성을 도시한 것으로, 동도면 (a)는 단면 구조를 도시한 도면이고, (b)는 (a)의 등가 회로를 도시한 도면이다.
제1a도에서 본 발명의 한 실시예의 반도체 장치의 특징은 각각 발광 파장이 다른 3개의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)를 종래와 마찬가지로 구비하면서 본딩용 리드(14a 및 14b)를 2개로 한 것이다.
구체적으로는, 예를 들면 GaP로 이루어지는 녹색 발광인 발광 다이오드(11a)와 SiC로 이루어지는 청색 발광인 발광 다이오드(11c)가 캐소드 측(N극)을 탑재면으로 하여 소자 탑재용 리드(12)에 탑재되어 전기적으로 접속되고, 예를 들면 GaAlAs로 이루어지는 적색 발광인 다이오드(11b)가 애노드측(P측)을 탑재면으로 해서 리드(12)에 탑재되어 전기적으로 접속되고, 발광 다이오드(11a 및 11b)가 각각 대응하는 금(金) 와이어(13a 및 13b)를 통해 본딩용 리드(14b)에 접속 결속되고, 발광 다이오드(11c)가 금 와이어(13c)를 통해 본딩용 리드(14b)에 접속 결속되어 수지(15)로 봉지되고, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)로 이루어지는 다색 LED 램프를 구성하고 있다.
이와 같은 구조의 다색 LED 램프에서의 3개의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)중 제1b도에 도시한 바와 같이 발광 다이오드(11a 및 11b)는 리드(12)와 리드(14a)와의 사이에서 서로 역방향으로 병렬 접속된다.
다음에 이와 같이 역방향으로 병렬 접속된 발광 다이오드 쌍을 포함하는 다색 LED 래프의 발광 구동 방법에 대하여 설명한다.
제2도는 제1도에 도시한 다색 LED 램프를 구동하는 구동 회로의 구성도로, 동도면(a)는 구동부의 구성도, (b)는 구동부에 구동 제어 신호를 공급하는 제어 신호 생성부의 구성을 도시한 도면이다.
제2a도에서 다색 LED 램프(21) 각각의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)에 대한 공통의 리드(12)에는 제1전원 변환부(22)가 접속되어 있다. 이 제1전원 변환부(22)는 에미터 단자가 접지에 접속된 NPN형 트랜지스터(23)과 에미터 단자가 전원(VDD)에 접속된 PNP형 트랜지스터(24)를 구비하여 각각의 트랜지스터(23 및 24)를 선택적으로 도통 제어함으로써 리드(12)에 접속되는 전원을 변환한다.
발광 다이오드(11a 및 11b)가 병렬 접속되는 리드(14a)에 대해 제1전원 변환부(22)와 동일하게 작용한다. 또, 제1전원 변환부(22)와 제2전원 변환부(25)는 그 전원 변환 동작이 서로 다른 전원이 선택되도록 제어된다.
발광 다이오드(11c)의 P측이 접속되어 있는 리드(14b)는 NPN형 트랜지스터(28)을 통해 전원(VDD)에 접속되어 있다.
이와 같은 구성의 구동 회로에 있어서, 각각의 트랜지스터(23, 24, 26, 27 및 28)은 제2b도에 그 구성을 도시하는 제어 신호 생성부에서 생성되어 공급되는 신호 A-D에 따라서 도통 제어되고 있다.
제2b도에서 제어 신호 생성부는 가변 저항(31)에 의해 펄스폭이 가변되는 펄스 신호를 생성하는 펄스 신호 발진기(32)와, 이 발진기(32)에서 생성되는 펄스 신호를 3분할하여 각각 3개의 발광 다이오드(11a 11b 및 11c)의 펄스 신호를 생성하는 분주 회로(33)과, 이 분주 회로(33)에 의해 얻어진 3개의 펄스 신호 각각의 신호에서 원 쇼트(one shot) 신호를 생성하는 단안정 멀티바이브레이터(multivibrator)(34B, 34G 및 34R)과, 분주 회로(33)에서 생성되는 펄스 신호와, 이 신호에 대응하여 각각의 단안정 멀티바이브 레이터(34B, 34G 및 34R)로부터 출력되는 원 쇼트 신호와의 논리곱 AND를 취하는 AND 게이트(35B, 35G 및 35R)과 AND 게이트(35B 및 35R)의 출력의 논리합 OR를 취하는 OR 게이트(36)을 구비하여 구성된다.
이와 같은 구성에 있어서, 펄스 신호 발진기(32)로부터 발진된 단일 펄스 신호를 분주하여 3분할하면 제3도의 타이밍 챠트에 도시한 바와 같이 분주 회로(33)의 출력신호가 얻어지고, 이들 신호와 이들 신호를 입력으로 하는 단안정 멀티바이브레이터(34B, 34G 및 34R)의 출력과의 논리곱 출력으로서 제3도에 도시한 바와 같이 신호 A-C가 얻어지고, 또 신호 D가 얻어진다. 또, 신호 A-C의 원 쇼트 펄스 폭은 각각의 단안정 멀티바이브레이터(34B, 34G 및 34R)에 의해 조정되어 설정된다.
이와같이 해서 제어 신호 생성부에서 얻어진 신호 A-D는 신호 A가 적색인 발광 다이오드(11b)의 점등 타이밍 신호로서 구동부에서 트랜지스터(26)으로 공급되고, 신호 B가 녹색인 발광 다이오드(11a)의 점등 타이밍 신호로서 트랜지스터(24 및 27)에 반전되어 공급되고, 신호 C가 청색인 발광 다이오드(11c)의 점등 타이밍 신호로서 트랜지스터(28)에 공급되고, 신호 D가 적색인 발광 다이오드(11b) 및 청색인 발광 다이오드(11c)의 점등 타이밍 신호로서 트랜지스터(23)에 공급된다.
이와 같은 구동 시스템에 있어서, 신호 A-D가 제3도에 도시한 바와 같은 타이밍으로 변화하는 경우에는 먼저 신호 A와 신호 D가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변화함으로써 트랜지스터(23 및 26)이 도통 상태로 되어 발광 다이오드(11b)에 전류가 공급되어 펄스 발광시킨다.
이어서, 신호 B가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변화하고, 신호 A 및 D가 하이레벨에서 로우 레벨로 변화하면 트랜지스터(24 및 27)이 도통 상태로 되고, 발광 다이오드(11a)에 전류가 공급되어 펄스 발광되는 한편 발광 다이오드(11b)가 소등된다.
이어서, 신호 C 및 D가 로우 레벨에서 하이 레벨로 변화하고 신호 B가 하이 레벨에서 로우 레벨로 변화하면 트랜지스터(23 및 28)이 도통 상태로 되고, 발광 다이오드(11c)에 전류가 공급되어 펄스 발광되는 한편 발광 다이오드(11a)가 소등된다.
이와 같이 역방향으로 병렬 접속된 발광 다이오드를 포함하는 3개의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)는 상기 구성의 구동 회로에 의해 시분할되어 차례로 발광 구동할 수 있게 된다.
또, 각각의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)이 발광 강도는 각각의 발광 다이오드 (11a, 11b 및 11c)에 공급되는 펄스 전류의 증폭 또는 단안정 멀티바이브레이터로부터 출력되는 원 쇼트 신호의 펄스폭을 조정함으로써 가변 가능해진다.
따라서, 이와 같은 다색 LED 램프에서는 외부에서 각각의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)로 공급되는 전류를 독립하여 설정 제어할 수 있게 된다.
또, 본 발명의 현저한 효과로서 본딩용 리드를 2개로 삭감할 수 있어서 구성을 소형화할 수 있다.
또, 리드를 삭감함으로써 발광 다이오드와 리드와의 본딩 거리가 짧아지고, 본딩 작업을 용이하게 행할 수 있게 된다.
따라서, 조립 작업성이 양호해져서 양산성이 우수해진다.
또, 본 발명의 상기 실시예로 한정되는 것이 아니고, 예를 들면 제4a도에 도시한 바와 같이 역방향으로 병렬 접속되어 공통의 리드에 접속된 1쌍의 발광 다이오드(41, 42 및 43, 44)를 2조 준비하고, 제4b도에 도시한 바와 같은 접속 구성으로 한 4개의 발광 다이오드(41, 42, 43 및 44)로 다색 LED 램프를 구성할 수도 있다.
이와 같은 구서에 있어서도 제2도에 도시한 구동 회로를 확장하여 적용할 수 있게 되어 제1도에 도시한 실시예와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
또, 발광 다이오드의 갯수가 5개 이상으로 늘어난 경우에도 상기와 같은 본 발명의 수법에 적용함으로써 발광 다이오드의 갯수보다도 적은 리드로 다색 LED 램프를 구성할 수 있게 되어 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면 2개의 발광 다이오드를 서로 역방향으로 되도록 병렬 접속하고, 한쪽의 병렬 접속점을 다른 발광 다이오드가 접속되지 않는 공통 단자에 접속하도록 함으로써 각각의 발광 다이오드의 독립 발광 제어성을 손상하지 않고 단자의 삭감을 도모해서 구성의 소형화 및 조립 작업성을 향상시킬 수 있게 된다.

Claims (3)

  1. 전류가 순방향으로 통과될 때 다른 색 광을 방출하는 다수의 발광 다이오드를 갖고 있는 반도체 발광 장치에 있어서, 각각 제1 및 제2전극을 갖고 있는 제1, 제2 및 제3발광 다이오드(11a, 11b, 11c)를 포함하는데, 상기 제1 및 제2발광 다이오드는 역방향으로 병렬 접속되어 있고, 공통 전기 접속을 상기 제1, 제2 및 제3발광 다이오드의 제1전극 각각에 제공하는 공통 단자(12), 공통 전기 접속을 상기 제1 및 제2발광 다이오드의 제2전극에 제공하는 제1단자(14a), 및 전기 접속을 상기 제3발광 다이오드의 제2전극에 제공하는 제2단자(14b)를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공통 단자, 제1단자, 제2단자에 고위 전원 또는 저위 전원을 공급하는 전원 공급 수단과, 상기 제1단자에 접속되는 전원과 상기 공통 단자에 접속되는 전원이 서로 다른 전원으로 되고, 상기 제2단자에 접속되는 전원과 상기 공통 단자에 접속되는 전원이 서로 다른 전원으로 되도록 상기 전원 공급 수단과 상기 각각의 단자를 접속 제어하는 제어수단(22 내지 28)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치.
  3. 3개 이상의 발광 다이오드(11a, 11b 및 11c)중 역방향으로 병렬 접속된 1쌍의 발광 다이오드에 대해 전류를 시분할하여 각각의 발광 다이오드에 공급하여 발광 구동하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치의 구동 방법.
KR1019920010182A 1991-06-13 1992-06-12 반도체 발광 장치 및 그 구동 방법 KR960004597B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-141799 1991-06-13
JP3141799A JPH04365382A (ja) 1991-06-13 1991-06-13 半導体発光装置及びその駆動方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR960004597B1 true KR960004597B1 (ko) 1996-04-09

Family

ID=15300408

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920010182A KR960004597B1 (ko) 1991-06-13 1992-06-12 반도체 발광 장치 및 그 구동 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US5324962A (ko)
JP (1) JPH04365382A (ko)
KR (1) KR960004597B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100651145B1 (ko) * 1997-08-29 2006-11-28 크리 인코포레이티드 표준 응용에서 고신뢰성을 위한 강한 3족 질화물 발광다이오드

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5191406A (en) * 1990-04-20 1993-03-02 Nikon Corporation Method and apparatus for rapid scanning of color images
JPH04365382A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその駆動方法
KR100485053B1 (ko) * 1995-06-06 2005-04-27 옵토바이오닉스 코포레이션 망막 자극 시스템
US5895415A (en) * 1995-06-06 1999-04-20 Optobionics Corporation Multi-phasic microphotodiode retinal implant and adaptive imaging retinal stimulation system
EP0811251A2 (en) * 1995-12-21 1997-12-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. MULTICOLOR LIGHT EMITTING DIODE, METHODS FOR PRODUCING SAME AND MULTICOLOR DISPLAY INCORPORATING AN ARRAY OF SUCH LEDs
US7385574B1 (en) 1995-12-29 2008-06-10 Cree, Inc. True color flat panel display module
US5812105A (en) * 1996-06-10 1998-09-22 Cree Research, Inc. Led dot matrix drive method and apparatus
ATE196209T1 (de) * 1995-12-29 2000-09-15 Cree Inc Flache anzeigeeinheit für echtfarben mit led punktmatrix und ansteuermethode und ansteuerschaltung für led punktmatrix
DE19612388C2 (de) * 1996-03-28 1999-11-04 Siemens Ag Integrierte Halbleiterschaltung insb. optoelektronisches Bauelement mit Überspannungsschutz
US5837995A (en) * 1996-11-25 1998-11-17 Alan Y. Chow Wavelength-controllable voltage-phase photodiode optoelectronic switch ("opsistor")
US5866922A (en) * 1996-12-23 1999-02-02 Motorola, Inc. Color display with integrated semiconductor leds and organic electroluminescent devices
US6147367A (en) * 1997-12-10 2000-11-14 Industrial Technology Research Institute Packaging design for light emitting diode
US5914501A (en) * 1998-08-27 1999-06-22 Hewlett-Packard Company Light emitting diode assembly having integrated electrostatic discharge protection
JP2000267093A (ja) * 1999-03-19 2000-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置およびこれを備えた携帯情報機器
US6179449B1 (en) 1999-06-23 2001-01-30 I-Ming Chen Multi-color semiconductor lamp and method of providing colored illumination
JP4495814B2 (ja) * 1999-12-28 2010-07-07 アビックス株式会社 調光式ｌｅｄ照明器具
US20040039401A1 (en) * 2000-03-31 2004-02-26 Chow Alan Y. Implant instrument
US6389317B1 (en) * 2000-03-31 2002-05-14 Optobionics Corporation Multi-phasic microphotodetector retinal implant with variable voltage and current capability
US6427087B1 (en) * 2000-05-04 2002-07-30 Optobionics Corporation Artificial retina device with stimulating and ground return electrodes disposed on opposite sides of the neuroretina and method of attachment
US6891200B2 (en) 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP2002244574A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Victor Co Of Japan Ltd 情報表示装置のバックライト装置
US6574022B2 (en) 2001-03-19 2003-06-03 Alan Y. Chow Integral differential optical signal receiver
US7037943B2 (en) 2001-04-10 2006-05-02 Optobionics Corporation Retinal treatment method
JP3940596B2 (ja) * 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
US7031776B2 (en) * 2001-06-29 2006-04-18 Optobionics Methods for improving damaged retinal cell function
US20050033202A1 (en) * 2001-06-29 2005-02-10 Chow Alan Y. Mechanically activated objects for treatment of degenerative retinal disease
US20050004625A1 (en) * 2001-06-29 2005-01-06 Chow Alan Y. Treatment of degenerative retinal disease via electrical stimulation of surface structures
CN100344002C (zh) * 2001-08-20 2007-10-17 昭和电工株式会社 多色发光灯和光源
JP3968226B2 (ja) * 2001-09-20 2007-08-29 松下電器産業株式会社 発光ユニット用ジョイント基板
US6833563B2 (en) * 2001-09-25 2004-12-21 Intel Corporation Multi-stack surface mount light emitting diodes
US20030189290A1 (en) * 2002-01-22 2003-10-09 Moody Ernest W. Video poker games
TW523942B (en) * 2002-03-05 2003-03-11 Hsiu-Hen Chang package socket and package legs structure for LED and manufacturing of the same
ES2362407T3 (es) * 2002-08-29 2011-07-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Dispositivo emisor de luz provisto de diodos emisores de luz.
US6969180B2 (en) 2003-02-25 2005-11-29 Ryan Waters LED light apparatus and methodology
US7004602B2 (en) * 2003-02-25 2006-02-28 Ryan Waters LED light apparatus and methodology
KR100550852B1 (ko) 2003-06-25 2006-02-10 삼성전기주식회사 4 리드의 다색 발광 소자
JP2008504698A (ja) 2004-06-30 2008-02-14 オスラム　オプト　セミコンダクターズ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 発光ダイオード装置、光学式記録装置および少なくとも１つの発光ダイオードをパルス状に作動させる方法
DE102004031689A1 (de) * 2004-06-30 2006-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenanordnung
AU2005272929A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-23 Lumiport, Llc Skin treatment phototherapy device
GB2420613A (en) * 2004-08-27 2006-05-31 Bespoke Lighting Ltd Lighting
CN1844984A (zh) * 2005-04-06 2006-10-11 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管模组和使用该模组的背光系统
JP2006352064A (ja) * 2005-05-19 2006-12-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｌｅｄランプ及びｌｅｄランプ装置
JP4966199B2 (ja) * 2005-09-20 2012-07-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｌｅｄ光源
US20080297048A1 (en) * 2005-11-24 2008-12-04 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light Emitting Diode Construction
JP4946363B2 (ja) * 2005-12-07 2012-06-06 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプ装置およびｌｅｄランプ装置用のメタル基板パッケージ
US7775687B2 (en) * 2006-02-20 2010-08-17 Nichia Corporation Light emitting device
WO2008149268A1 (en) * 2007-06-04 2008-12-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light output device
US8362513B2 (en) * 2008-02-22 2013-01-29 Illinois Tool Works Inc. Surface mount LED and holder
US7729061B2 (en) * 2008-04-30 2010-06-01 Symbol Technologies, Inc. Imaging system having anamorphic magnification
AT506709B1 (de) * 2008-05-30 2009-11-15 Kuster Martin Leuchtmittel
CA2744573C (en) * 2008-12-10 2014-10-14 Netcentrics Corporation Holiday led lighting system and methods of use
JP2011060483A (ja) * 2009-09-08 2011-03-24 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
WO2011105136A1 (ja) * 2010-02-25 2011-09-01 三洋電機株式会社 半導体レーザ装置及び光装置
JP5355513B2 (ja) * 2010-07-27 2013-11-27 株式会社東芝 光モジュール
US8866708B2 (en) * 2011-01-21 2014-10-21 Peter Sui Lun Fong Light emitting diode switch device and array
DE102011015408B4 (de) 2011-03-29 2022-10-06 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Betrieb eines optoelektronischen Bauelements
DE102011076672B3 (de) 2011-05-30 2012-12-06 Osram Ag Signalisierungsvorrichtung und Sensorvorrichtung
JP6256302B2 (ja) * 2014-10-31 2018-01-10 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 点灯制御回路
EP3614437B1 (en) * 2018-08-22 2021-05-05 Lumileds LLC Semiconductor die
US11248769B2 (en) 2019-04-10 2022-02-15 Peter Sui Lun Fong Optic for touch-sensitive light emitting diode switch

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5555586A (en) * 1978-10-19 1980-04-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminous part
JPS6052643B2 (ja) * 1980-04-02 1985-11-20 三菱電機株式会社 配電盤等の母線接地装置
JPS6049653B2 (ja) * 1981-04-18 1985-11-02 橋本フオ−ミング工業株式会社 合成樹脂成形品の製造方法
JPS5871671A (ja) * 1981-10-23 1983-04-28 Idec Izumi Corp 発光ダイオ−ドランプ
US4636655A (en) * 1983-11-11 1987-01-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit in which output circuit and operational amplifier equipped input circuit are electrically isolated
JPS60233873A (ja) * 1984-05-04 1985-11-20 Isao Shirayanagi 発光ダイオ−ドの色調制御方法
JPS6189683A (ja) * 1984-10-09 1986-05-07 Toshiba Corp 発光半導体装置
JPS61102077A (ja) * 1984-10-24 1986-05-20 Toshiba Corp 光半導体素子
JPS61182276A (ja) * 1985-02-08 1986-08-14 Oki Electric Ind Co Ltd ２色ｌｅｄパツケ−ジの発光色制御回路
US4628303A (en) * 1985-06-05 1986-12-09 System Development Corporation Visual monitor for electrical signals
JPS62179601U (ko) * 1986-04-30 1987-11-14
JPS6373679A (ja) * 1986-09-17 1988-04-04 Nec Corp 発光ダイオ−ド
JPS63131585A (ja) * 1986-11-21 1988-06-03 Canon Inc 発光ダイオ−ド駆動回路
JPS6431473A (en) * 1987-07-27 1989-02-01 Sharp Kk 2-color light emitting element
JPH084154B2 (ja) * 1987-12-17 1996-01-17 三菱電機株式会社 発光ダイオード点灯回路
JPH01238074A (ja) * 1988-03-18 1989-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ駆動回路
JPH0228976A (ja) * 1988-07-18 1990-01-31 Fuji Denki Kogyo Kk 二色発光型表示灯
JP2639999B2 (ja) * 1989-03-10 1997-08-13 三洋電機株式会社 多色発光ｌｅｄ装置
JPH0691285B2 (ja) * 1989-03-10 1994-11-14 三洋電機株式会社 フルカラー発光装置
US5008788A (en) * 1990-04-02 1991-04-16 Electronic Research Associates, Inc. Multi-color illumination apparatus
JPH04365382A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその駆動方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100651145B1 (ko) * 1997-08-29 2006-11-28 크리 인코포레이티드 표준 응용에서 고신뢰성을 위한 강한 3족 질화물 발광다이오드

Also Published As

Publication number Publication date
US5491349A (en) 1996-02-13
JPH04365382A (ja) 1992-12-17
US5324962A (en) 1994-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960004597B1 (ko) 반도체 발광 장치 및 그 구동 방법
US7443104B2 (en) Lighting apparatus and method for controlling brightness and color location thereof
KR100586731B1 (ko) 발광 다이오드와 전류구동형 집적회로를 구비하며 패키지화된 발광 반도체소자
US5600363A (en) Image forming apparatus having driving means at each end of array and power feeding substrate outside head housing
US9997559B2 (en) Optoelectronic semiconductor component
EP1340410A2 (en) Led-driver circuit
KR20190122123A (ko) Pwm 디밍을 갖는 led 화소 회로
KR20080054402A (ko) 가변 컬러 발광 장치와, 그를 포함하는 조명 시스템, 조명시스템 네트워크 및 어셈블리, 및 그를 위한 제어기 및제어 방법
US20100258819A1 (en) Substrate for an led submount, and led submount
JP2004533111A5 (ko)
US20090174343A1 (en) Multiple LED Driver
US7960680B2 (en) Optoelectronic device for emitting electromagnetic radiation with controllable emission intensity and control method
JP6649969B2 (ja) 照明デバイス、照明デバイスを備えた照明装置、および照明デバイスの動作方法
KR100550852B1 (ko) 4 리드의 다색 발광 소자
US8013539B2 (en) Low-cost drive system for an LED triad
JP2015060684A (ja) Ｌｅｄ照明装置
KR100678774B1 (ko) 발광 다이오드 어레이 모듈의 구동장치 및 구동방법
JPH0560594B2 (ko)
JPS63104095A (ja) 発光ダイオ−ド表示装置
JPH07101333B2 (ja) 情報表示装置
CN117480440A (zh) 微型二极管灯板和发光装置
KR20150094323A (ko) 발광 소자
KR20200142742A (ko) Led 디밍 장치
JPS62282473A (ja) Ｌｅｄアレイヘツド
KR19980027157U (ko) 발광 소자의 오버슈트 방지회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120322

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term