KR950032066A - 탄산에스텔의 제조방법 - Google Patents

탄산에스텔의 제조방법 Download PDF

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Abstract

일반식
R′COOR2
(식중 R1,R2는 각각 독립하여 알킬기, 지환식 탄화수소기 또는 아릴알킬기를 표시함)으로 표시하는 원료 카르본산 에스텔(1)과 일반식
R3OH
(식중 R3는 치환기를 가져도 좋은 방향족기를 표시함)으로 표시하는 방향족 히드록시 화합물을 촉매의 존재하에서 회분식 반응기 1에 사입하여 에스텔 교환함으로써 일반식
R′COOR3
(식중 R1은 알킬기, 지환식 탄화수소기 또는 아릴아킬기를 표시하고, R3는 치환기를 가질 수 있는 방향족기임)으로 표시하는 카르본산 에스텔(3)을 생성한다. 부생하는 알콜이나 미반응물등을 증류탑 2를 사용하여 류거한 후, 일반식
R4O-COOR5
(식중 R4,R5는 각각 독립되는 알킬기, 지환식 탄화수소기 또는 아릴 알킬기를 표시함)으로 표시하는 탄산 에스텔(4)등을 회분식반응기 1에 사입한다. 그후 카르본산에스텔(3)과 탄산에스텔(4)를 에스텔 교환시티는 것에의하여 일반식(5) 일반식
R3O-COOR6
(상기 R3는 치환기를 가질 수 있는 방향족기를 나타내고, R6는 R3, 상기 R4및R5로 되는 군으로부터 선택되는 치환기를 표시함)으로 표시하는 탄산에스텔 (5)을 생성한다. 에 의하여 탄산에스텔을 제조할 수 있다.

Description

탄산에스텔의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 있어서 탄산에스테르의 제조방법에 호적하게 사용되는 반응장치의 개략구성을 나타내는 블럭도, 제2도는 본 발명의 1실시예에 있어서 탄산에스테르의 제조방법에 호적하게 사용되는 다른 반응장치의 개략구성을 나타내는 블럭도, 제3도는 본 발명의 1실시예에 있어서, 탄산에스테르의 제조방법에 호적하게 사용되는 또 다른 반응장치의 개략구성을 나타내는 블럭도.

Claims (33)

  1. 탄산에스텔의 제조방법은 일반식(1)
    R′COOR2(1)
    (식중 R1,R2는 각각 독립하여 알킬기, 지환식 탄화수소기 또는 아릴알킬기를 표시함)으로 표시하는 원료 카르본산 에스텔과 일반식(2)
    R3OH (2)
    (식중 R3는 치환기를 가져도 좋은 방향족기를 표시함)으로 표시하는 방향족 히드록시 화합물을 촉매의 존재하에서 에스텔 교환함으로써 일반식(3)
    R′COOR3(3)
    (식중 R1은 알킬기, 지환식 탄화수소기 또는 아릴아킬기를 표시하고, R3는 치환기를 가질 수 있는 방향족기임)으로 표시하는 카르본산 에스텔을 생성하는 스텝과 상기 카르본산 에스텔과, 일반식(4)
    R4O-COOR5(4)
    (식중 R4,R5는 각각 독립되는 알킬기, 지환식 탄화수소기 또는 아릴 알킬기를 표시함)으로 표시하는 원료탄산 에스텔을 촉매의 존재하에서 에스텔 교환시키는 것에 의하여 일반식(5)
    R3O-COOR6(5)
    (상기 R3는 치환기를 가질 수 있는 방향족기를 나타내고, R6는 R3, 상기 R4및R5로 되는 군으로부터 선택되는 치환기를 표시함)으로 표시하는 탄산에스텔 을 생성하는 스텝을 포함한다.
  2. 제1항에 있어서, 상기 치환기 R6는 치환기 R3인 탄산에스텔의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스텝을 원료카르본산 에스텔과 방향족 히드록시 화합물을 기액접촉시키고, 부생하는 알콜을 연속적으로 반응계 밖으로 제거하는 스탭을 포함하는 탄산에스텔의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 부생하는 부생카르본산 에스텔을 회수하는 스탭을 포함하는 탄산에스텔의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 카르본산 에스텔과 원료 탄산 에스텔을 기액 접촉시켜, 부생하는 부생카르본산 에스텔을 연속적으로 반응계 밖으로 제거하는 스탭이 있는 탄산에스텔의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 치환기 R4및R5는 치환기 R2와 같은 탄산에스텔의 제조방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 부생 카르본산 에스텔을 원료카르본산 에스텔로서 사용하는 탄산에스텔의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭을 카르본산 에스텔과 원료탄산 에스텔과 방향족 히드록시 화합물과의 몰비가 1:100~100:1의 범위 내에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 카르본산 에스텔과 원료탄산 에스텔의 몰비가 1:100~100:1의 범위 내에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭 및 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 반응온도 50℃~350℃의 범위 내에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭 및 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 용매의 존재하에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  12. 제1항에 있어서, 상기 원료 카르본산 에스텔과 부생하는 알콜이 공비조성물을 행하는 경우에 그 공비조성물의 공비점보다 공비점이 낮은 공비 조성물을 상기 알콜과의 사이에 형성하는 용매를 반응계 내에 공존시키는 탄산에스텔의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 탄산에스텔을 생성하는 스탭은 카르본산 에스텔의 일부와 원료 탄산에스텔의 일부를 미리 에스텔 교환하는 스탭과 상기 카르본산 에스텔과 원료탄산 에스텔을 체스텔 교환시키면서 기액접촉 시키는 스탭을 가지는 탄산에스텔의 제조방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 카르본산 에스텔의 일부와 원료 탄산에스텔의 일부를 미리 에스텔 교환시키는 스탭을 평형전화율의 10%이상, 그에스텔 교환을 진행시키는 탄산에스텔의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 치환기 R1,R2는 각각 독립하여 탄소수 1~10의 알킬기, 탄소수3~10의 지환식 탄화수소기 또는 탄소수 7~10의 아릴 알킬기인 탄산에스텔의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서, 상기 원료 카르본산 에스텔을 부생하는 알콜의 비점보다도 비점이 높을 화합물인 탄산에스텔의 제조방법.
  17. 제1항에 있어서, 상기 원료 카르본산 에스텔을 부생하는 알콜과의 사이에 공지조성물을 형성하지 않는 화합물인 탄산에스텔의 제조방법.
  18. 제1항에 있어서, 상기 카르본산 에스텔은 상기 카르본산 에스텔의 비점보다 비점이 낮은 화합물인 탄산에스텔의 제조방법.
  19. 제1항에 있어서, 상기 카르본산 에스텔을 부생하는 카르본산 에스텔의 비점보다 비점이 높은 화합물인 탄산에스텔의 제조방법.
  20. 제1항에 있어서, 상기 카르본산 에스텔은 상기 탄산에스텔의 비점보다 비점이 낮은 화합물인 탄산에스텔의 제조방법.
  21. 제1항에 있어서, 상기 원료 카르본산 에스텔은 삭산메탈, 삭산에틸, 삭산프로핀, 삭산부틴, 삭산시크로헥실, 삭산벤질, 삭산-2-에틸헥실, 프로피온산메틸, 프로피온산 에틸, 프로피온산 프로필, 프로피온산 부틸, 낙산메틸, 낙산 에틸, 낙산 프로필, 이소낙산메틸, 이소낙산에틸, 이소낙산프로필, 길초산메틸, 길초산에틸, 길초산프로필, 이소길초산메틸, 이소길초산에틸, 이소길초산프로필, 헥산산메틸, 핵산산에틸, 핵산산프로필, 햅탄산 메틸 및 햅탈산에틸으로 된 군에서 선택되는 적어도 1종인 탄산에스텔의 제조방법.
  22. 제1항에 있어서, 상기원료 카르본산 에스텔은 길초산 메틸, 낙산 메틸 및 핵산산 메틸으로 된 군으로부터 선택된 적어도 1종인 탄산에스텔의 제조방법.
  23. 제1항에 있어서, 상기 방향족 히드록시 화합물은 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, o-크로로페놀, m-크로로페놀, p-크로로페놀 o-에틸페놀, m-에틸페놀, p-에틸페놀, o-이소프로필페놀, m-이소프로필페놀,p-이소프로필페놀,o-메톡시페놀,m-메톡시페놀,p-메톡시페놀,키시레톨류, α-나트륨 및 β-니프톨로 된 군으로부터 선택된 최소한 1종인 탄산에스텔의 제조방법.
  24. 제1항에 있어서, 상기 방향족 히드록시 화합물을 페놀류인 탄산에스텔의 제조방법.
  25. 제1항에 있어서, 상기 원료 탄산에스텔을 탄산디메틸, 탄산디에틸, 탄산디-n-프로필, 탄산이디소프로필 , 탄산이부틴의 각 이성체 탄산디펜틸의 각 이성체, 탄산디헥실의 각 이성체, 탄산디헵틸의 각 이성체, 탄산디옥틸의 각 이성체, 탄산디노닐의 각 이성체, 탄산디데실의 각 이성체, 탄산디시클로핵실, 탄산디벤질, 탄산디페네틸의 각 이성체 및 탄산디(메틸벤질)의 각 이성체로 된 군으로부터 선택된 적어도 하나인 탄산에스텔의 제조방법.
  26. 제1항에 있어서, 상기 원료 탄산에스텔을 탄산디메틸, 탄산디에틸, 탄산디-n-프로필로 구성되는 군에서 선택된 최소한 하나인 탄산에스텔의 제조방법.
  27. 제1항에 있어서, 상기 촉매는 광산, 설폰산류, 고체산, 염기, 금속알콕시드, 루이스산, 루이스산을 발생하는 화합물, 금속 페녹사이드류, 산화연류, 연염류, 금속아세틸, 아세트네이트착체, 유기주석 화합물, 티타노실리케트 및 금속치환 인산 알루미늄으로 구성되는 군으로부터 선택된 적어도 1조인 탄산에스텔의 제조방법.
  28. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭 및 탄산에스텔을 생성하는 스탭은 회분식 반응기, 유통식 반응기 및 기액접촉형 반응기로 된 군에서 선택한 적어도 1종 반응기로 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  29. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭 및 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 동일한 방응기에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  30. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭 및 탄산에스텔을 생성하는 스탭은 다단증류탑에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  31. 제1항에 있어서, 카르본산 에스텔을 생성하는 스탭 및 탄산에스텔을 생성하는 스탭을 기포탑에서 행하는 탄산에스텔의 제조방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 원료 카르본산 에스텔 및 방향족 히드록시 화합물중보다 비점이 높은 화합물이 그 기포탑 상부로 공급되고 타방의 화합물이 그 기포탑 하부로 공급되는 탄산에스텔의 제조방법.
  33. 제31항에 있어서, 상기 카르본산 에스텔 및 원료탄산 에스텔중 보다 비점이 높은 화합물이 그 기포탑 상부로 공급되고 타방의 화합물이 그 기포탑 하부로 공급되는 탄산에스텔의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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