KR950027370A - 적외선 어레이센서 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 적외선 어레이센서 제조방법에 관한 것으로, 적외선 어레이센서의 실리콘필터 제작시 이방성에칭을 통하여 정밀한 가이드 모양을 만듦으로써 적외선이 원하는 방향에만 입사되어 인체검지에 필요한 파장만 통과하도록 하는 필터의 역할을 할 수 있도록 한 실리콘필터겸 가이드 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘웨이퍼 양면에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층을 포토리소그래피공정에 의해 패터닝하여 소정의 절연층패턴을 형성하는 단계, 상기 절연층패턴을 필터부와 가이드부를 형성하는 단계, 상기 절연층패턴을 제거하는 단계, 상기 실리콘웨이퍼의 필터부에 반사방지막을 코팅하는 단계, 상기 실리콘웨이퍼의 가이드부에 금속박막을 코팅하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 어레이센서 제조방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 적외선 어레이센서 모듈 단면구조도,
제2도는 적외선 어레이센서의 실리콘필터의 투과특성을 나타낸 그래프,
제3도는 본 발명의 적외선 어레이센서 모듈 단면구조도,
제4도는 본 발명의 적외선 어레이센서의 실리콘필터겸 가이드 제조방법을 도시한 공정순서도.
Claims (1)
- 실리콘웨이퍼 양면에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 절연층을 포토리소그래피공정에 의해 패터닝하여 소정의 절연층패턴을 형성하는 단계, 상기 절연층패턴을 마스크로 하여 상기 실리콘웨이퍼를 이방성에칭하여 실리콘웨이퍼 소정부분에 필터와 가이드부를 형성하는 단계, 상기 절연층패턴을 제거하는 단계, 상기 실리콘웨이퍼의 필터부에 반사방지막을 코팅하는 단계, 상기 실리콘웨이퍼의 가이드부에 금속박막을 코팅하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 어레이센서 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005874A KR950027370A (ko) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 적외선 어레이센서 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005874A KR950027370A (ko) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 적외선 어레이센서 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950027370A true KR950027370A (ko) | 1995-10-16 |
Family
ID=55313514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940005874A KR950027370A (ko) | 1994-03-23 | 1994-03-23 | 적외선 어레이센서 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950027370A (ko) |
-
1994
- 1994-03-23 KR KR1019940005874A patent/KR950027370A/ko not_active Application Discontinuation
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