KR100374205B1 - 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법 - Google Patents

초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법 Download PDF

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KR100374205B1
KR100374205B1 KR10-2000-0000017A KR20000000017A KR100374205B1 KR 100374205 B1 KR100374205 B1 KR 100374205B1 KR 20000000017 A KR20000000017 A KR 20000000017A KR 100374205 B1 KR100374205 B1 KR 100374205B1
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Abstract

마이크로머시닝 기술을 이용하여 적외선 영역에서 사용가능한 초소형 굴절 실리콘 렌즈를 제조하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법은, 실리콘 기판상에 붕소도핑영역을 형성하는 단계와, 상기 붕소도핑영역 이외의 부분만을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 상기 붕소도핑영역만으로 이루어진 렌즈를 형성하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 초소형 2차원적 배열의 적외선 실리콘 렌즈 어레이를 만들 수 있다. 따라서, 적외선 감지 소자에 이러한 초소형 적외선 렌즈 어레이를 장착시킴으로써 적외선 감지 소자의 감지도를 실리콘의 굴절률인 3.4배만큼 향상시킬 수 있다. 또한, 현재 많이 상용화된 적외선 통신장치에도 응용이 가능하다.

Description

초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법 {Method of fabricating a refractive silicon microlens}
본 발명은 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법에 관한 것으로서, 특히 마이크로머시닝 기술을 이용하여 적외선 영역에서 사용가능한 초소형 굴절 실리콘 렌즈를 제조하는 방법에 관한 것이다.
소형 광학 시스템을 구현하는데 있어서 렌즈는 가장 기본적인 구성요소이다. 따라서, 현재까지 초소형 렌즈를 만들기 위한 다양한 방법이 시도되고 있다. 초소형 렌즈는 사용가능한 파장영역에 따라 가시광선 영역에서 사용가능한 렌즈와 적외선 영역에서 사용가능한 렌즈로 나눌 수가 있고, 또한, 그 이용방법에 따라 회절을 이용하는 렌즈와 굴절을 이용하는 렌즈로 구분할 수 있다.
가시광선 영역에서 사용 가능하며 굴절을 이용하는 초소형 렌즈는 표면장력을 이용하는 방법(thermal reflow using surface tension), 등방성 식각과 플라스틱 몰딩을 이용하는 방법(plastic molding with isotropic etching of silicon), 및 이온 교환법(selective ion exchange in a glass substrate) 등을 이용하여 제조한다.
가시광선 영역과 적외선 영역에서 사용 가능하며 회절을 이용하는 렌즈에는 프레넬 렌즈(Fresnel lens)가 있다. 이 프레넬 렌즈는 사용하고자 하는 파장에 따라 식각 패턴의 간격이 다르기 때문에, 단지 하나의 파장에 대해서만 사용 가능하다는 단점이 있다.
한편, 현재 사용되고 있는 굴절을 이용한 적외선 렌즈는 실리콘이나 게르마늄을 기계적으로 가공하여 제조하기 때문에 그 직경이 수 mm 정도로 크다. 따라서, 적외선 렌즈를 적외선 감지소자에 장착시키면 렌즈의 굴절률만큼 감지도(detectivity)가 증가한다고 알려져 있음에도 불구하고, 적외선 감지소자에 장착할 만한 초소형 2차원적 배열의 적외선 렌즈 어레이를 만들 수가 없었다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체소자 제조공정에서 사용되는 마이크로머시닝 기술을 이용하여 적외선 영역에서 사용가능한 초소형 굴절 실리콘 렌즈를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 설명하기 위한 도면들;
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 이용하여 2차원적 배열의 실리콘 렌즈 어레이를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들;
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제2 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 설명하기 위한 단면도들;
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
110, 111, 210, 310: 실리콘 기판 120, 121, 220, 320: 확산방지막
120a, 121a, 220a, 320a: 확산방지막 패턴
120b, 121b, 320b: 변형된 확산방지막 패턴
220b: 1차 변형된 확산방지막 패턴 220c: 2차 변형된 확산방지막 패턴
130a, 131a, 230a, 220a: 곡률부 130b, 131b, 230b, 330b: 평판부
130, 131, 230, 330: 붕소도핑영역 140, 141: 보호막
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법은, 실리콘 기판상에 붕소 농도가 5×1018원자/cm3이상이 되도록 붕소도핑영역을 형성하는 단계와, 상기 붕소도핑영역 이외의 부분만을 KOH, EDP, 및 TMAH 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 습식식각하여 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 상기 붕소도핑영역만으로 이루어진 렌즈를 형성하는 것을 특징으로 한다.
이 때, 상기 붕소도핑영역은 다음의 세가지 방법으로 형성할 수 있다.
첫째는, 상기 기판상에 상기 기판의 앞면을 노출시키는 개구부를 가지는 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에만 붕소를 확산시킴으로서 곡률부를 형성하는 단계와, 상기 곡률부를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 곡률부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부를 형성하는 단계를 포함하여 상기 붕소도핑영역을 형성하는 방법이고,
둘째는, 상기 기판상에 상기 기판의 앞면을 노출시키는 개구부를 가지는 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 확산방지막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위를 등방성 식각하는 단계와, 상기 등방성 식각부위를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 등방성 식각부위보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 1차 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 1차 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 확산시킴으로써 곡률부를 형성하는 단계와, 상기 곡률부를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 1차 변형된 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 1차 변형된 확산방지막 패턴의 개구부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 2차 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 2차 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위 표면에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부를 형성하는 단계를 포함하여 상기 붕소도핑영역을 형성하는 방법이며,
셋째는, 상기 기판상에 상기 기판의 앞면을 노출시키는 복수개의 개구부를 가지는 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 확산시킴으로서 하나의 곡률부를 형성하는 단계와, 상기 곡률부를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 곡률부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부를 형성하는 단계를 포함하여 상기 붕소도핑영역을 형성하는 방법이다.
위와 같이 붕소도핑영역을 형성함에 있어서, 상기 확산방지막 패턴의 개구부는 원모양 이외에 네모, 세모, 또는 별 모양으로 형성할 수 있다. 그리고, 상기 확산방지막 패턴은 상기 기판의 앞면 및 뒷면에 동시에 확산방지막, 예컨대 열산화막을 형성한 후에, 상기 기판이 노출되도록 상기 기판의 앞면에 형성된 확산방지막을 패터닝하여 형성하는 것이 바람직하다. 이렇게 상기 기판의 뒷면에도 확산방지막을 형성하는 이유는, 상기 기판의 뒷면으로 붕소가 확산되어 들어가는 것을 방지하기 위함이다.
상기 습식식각 단계에서 상기 붕소도핑영역의 표면이 식각되는 것을 방지하기 위하여, 상기 습식식각하는 단계 이전에 상기 붕소도핑영역 상에 보호막, 예컨대 열산화막 또는 실리콘질화막을 더 형성할 수도 있다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
[실시예 1]
도 1a 내지 도 1g는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 1a는 확산방지막(120)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, 실리콘 기판(110)의 앞면 및 뒷면에 동시에 확산방지막, 예컨대 열산화막을 형성한다.
도 1b는 확산방지막 패턴(120a) 및 곡률부(130a)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 기판(110)이 노출되도록 기판(110)의 앞면에 형성된 확산방지막(120)을 이방성 식각함으로써 개구부를 가지는 확산방지막 패턴(120a)을 형성한다. 다음에, 확산방지막 패턴(120a)을 확산 마스크로 하여 기판(110)의 노출부위에만 붕소를 확산시킴으로서 곡률부(130a)를 형성한다. 이 때, 기판(110) 뒷면으로의 붕소 확산은 확산방지막(120)에 의해 차단된다. 그리고, 곡률부(130a)의 크기, 즉 렌즈의 높이 및 그 직경은 확산 및 드라이브-인(drive-1n) 공정의 온도 및 시간에 의해 결정되므로, 확산 및 드라이브-인(drive-1n) 공정의 온도 및 시간을 제어함으로써 렌즈의 초점 거리를 조정할 수 있다.
도 1c는 확산방지막 패턴(120a)의 개구부의 모양을 설명하기 위한 평면도로서, 개구부는 원하는 바에 따라 원, 네모, 세모, 또는 별 모양으로 형성할 수 있다.
도 1d는 변형된 확산방지막 패턴(120b) 및 평판부(130b)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 곡률부(130a)를 포함하는 기판표면이 노출되도록 확산방지막 패턴(120a)을 패터닝하여 곡률부(130a)보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 변형된 확산방지막 패턴(120b)을 형성한다. 다음에, 변형된 확산방지막 패턴(120b)을 확산 마스크로 하여 기판(110)의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 캔틸레버(cantilever) 역할을 하는 평판부(130b)를 형성하여, 곡률부(130a) 및 평판부(130b)로 이루어진 붕소도핑영역(130)을 형성한다. 여기서, 붕소도핑영역(130)의 붕소 농도는 적어도 5×1018원자/cm3이상이 되도록 한다.
도 1e는 보호막(140)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 기판(110)의 앞면에 형성된 변형된 확산방지막 패턴(120b)을 제거한 다음에, 붕소도핑영역(130) 상에 보호막(140), 예컨대 열산화막 또는 실리콘 질화막을 형성한다. 보호막(140)을 형성하는 이유는 후술하는 습식식각 단계에서 붕소도핑영역(130)의 표면이 식각되는 것을 방지하기 위해서이다.
도 1f는 붕소도핑영역(130) 이외의 부분만을 선택적으로 제거함으로써 붕소도핑영역(130)만으로 이루어진 초소형 실리콘 렌즈를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 보호막(140)을 제거한 후에, 그 결과물을 KOH, EDP, 및 TMAH로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 습식식각액에 노출시켜 붕소도핑영역(130) 이외의 부분만을 선택적으로 습식식각하여 제거한다. 붕소 농도가 적어도 5×1018원자/cm3이상이 되는 붕소도핑영역(130)은 상기의 습식식각액에 의해 식각되지 않는 성질이 있기 때문에 이와 같은 선택적 식각이 가능하다.
도 1a 내지 도 1f의 제조방법에 의해 제조된 초소형 실리콘 렌즈에 입사되는 평행빔은 도 1g에 도시된 바와 같이 실리콘 렌즈에 의해 굴절되어 초점 거리에 모이게 된다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 제1 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 이용하여 2차원적 배열의 실리콘 렌즈 어레이를 제조하는 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 2a는 확산방지막 패턴(121a) 및 곡률부(131a)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, 실리콘 기판(111)의 앞면 및 뒷면에 동시에 확산방지막(121), 예컨대 열산화막을 형성한 후에, 기판(111)이 노출되도록 기판(111)의 앞면에 형성된 확산방지막(121)을 이방성 식각함으로써 복수개의 개구부를 가지는 확산방지막 패턴(121a)을 형성한다. 다음에, 확산방지막 패턴(121a)을 확산 마스크로 하여 기판(111)의 노출부위에만 붕소를 확산시킴으로서 2차원적으로 배열된 복수개의 곡률부(131a)를 형성한다.
도 2b는 변형된 확산방지막 패턴(121b) 및 평판부(131b)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 모든 곡률부(130a)를 포함하는 기판표면이 노출되도록 확산방지막 패턴(121a)을 패터닝하여 변형된 확산방지막 패턴(121b)을 형성한다. 다음에, 변형된 확산방지막 패턴(121b)을 확산 마스크로 하여 기판(111)의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 캔틸레버(cantilever) 역할을 하는 평판부(131b)를 형성하여, 곡률부(131a) 및 평판부(131b)로 이루어진 붕소도핑영역(131)을 형성한다.
도 2c는 보호막(141)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, 먼저, 기판(111)의 앞면에 형성된 변형된 확산방지막 패턴(121b)을 제거한 다음에, 붕소도핑영역(131) 상에 보호막(141), 예컨대 열산화막 또는 실리콘 질화막을 형성한다.
도 2d는 붕소도핑영역(131) 이외의 부분만을 선택적으로 제거함으로써 붕소도핑영역(131)만으로 이루어진 2차원적 배열의 실리콘 렌즈 어레이를 제조하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 보호막(141)을 제거한 후에, 그 결과물을 KOH, EDP, 및 TMAH로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 습식식각액에 노출시켜 붕소도핑영역(131) 이외의 부분만을 선택적으로 습식식각하여 제거한다.
도 2e는 도 2a 내지 도 2d에 의한 방법에 의하여 제조된 2차원적 배열의 실리콘 렌즈 어레이를 보여주는 주사전자현미경 사진이다.
[실시예 2]
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 제2 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a는 확산방지막 패턴(121) 및 식각부(A)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 실리콘 기판(210)의 앞면 및 뒷면에 동시에 확산방지막(220), 예컨대 열산화막을 형성한다. 다음에, 기판(210)이 노출되도록 기판(210)의 앞면에 형성된 확산방지막(220)을 이방성 식각함으로써 개구부를 가지는 확산방지막 패턴(220a)을 형성한다. 이어서, 확산방지막 패턴(220a)을 식각 마스크로 하여 기판(210)의 노출부위를 습식 또는 건식 식각을 이용하여 등방성 식각함으로써 식각부(A)를 형성한다.
도 3b는 1차 변형된 확산방지막 패턴(220b) 및 곡률부(230a)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 식각부(A)를 포함하는 기판표면이 노출되도록 확산방지막 패턴(220a)을 패터닝하여 식각부(A)보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 1차 변형된 확산방지막 패턴(220b)을 형성한다. 다음에, 1차 변형된 확산방지막 패턴(220b)을 확산 마스크로 하여 기판(210)의 노출부위에 붕소를 확산시킴으로써 곡률부(230a)를 형성한다.
도 3c는 2차 변형된 확산방지막패턴(220c) 및 평판부(230b)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 곡률부(230a)를 포함하는 기판표면이 노출되도록 1차 변형된 확산방지막 패턴(220b)을 패터닝하여 1차 변형된 확산방지막 패턴(220b)의 개구부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 2차 변형된 확산방지막 패턴(220c)을 형성한다. 다음에, 2차 변형된 확산방지막 패턴(220c)을 확산 마스크로 하여 기판(210)의 노출부위 표면에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부(230b)를 형성하여, 곡률부(230a) 및 평판부(230b)로 이루어진 붕소도핑영역(230)을 형성한다. 여기서, 붕소도핑영역(230)의 붕소 농도는 적어도 5×1018원자/cm3이상이 되도록 한다.
도 3d는 붕소도핑영역(230) 이외의 부분만을 선택적으로 제거함으로써 붕소도핑영역(230)만으로 이루어진 초소형 실리콘 렌즈를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, 실시예 1과 마찬가지 방법으로 붕소도핑영역(230) 이외의 부분만을 선택적으로 습식식각하여 제거한다.
[실시예 3]
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제3 실시예에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a는 확산방지막 패턴(320a) 및 곡률부(320a)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 실리콘 기판(310)의 앞면 및 뒷면에 동시에 확산방지막(320), 예컨대 열산화막을 형성한 후에, 기판(310)이 노출되도록 기판(310)의 앞면에 형성된 확산방지막(320)을 이방성 식각함으로써 복수개의 개구부를 가지는 확산방지막 패턴(320a)을 형성한다. 다음에, 확산방지막 패턴(320a)을 확산 마스크로 하여 기판(310)의 노출부위에만 붕소를 확산시킴으로서 하나의 곡률부(330a)를 형성한다. 이 때, 곡률부(330a)의 곡률은 확산방지막 패턴(320a)에 형성된 개구부의 배치 및 크기에 따라 변하므로, 개구부를 적절히 형성시킴으로써 렌즈의 초점 위치를 조절할 수 있다.
도 4b는 변형된 확산방지막 패턴(320b) 및 평판부(330b)를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도이다. 먼저, 곡률부(330a)를 포함하는 기판표면이 노출되도록 확산방지막 패턴(320a)을 패터닝하여 곡률부(330a)보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 변형된 확산방지막 패턴(320b)을 형성한다. 다음에, 변형된 확산방지막 패턴(320b)을 확산 마스크로 하여 기판(310)의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부(330b)를 형성하여, 곡률부(330a) 및 평판부(330b)로 이루어진 붕소도핑영역(330)을 형성한다.
도 4c는 붕소도핑영역(330) 이외의 부분만을 선택적으로 제거함으로써 붕소도핑영역(330)만으로 이루어진 초소형 실리콘 렌즈를 형성하는 단계를 설명하기 위한 단면도로서, 실시예 1과 동일한 방법으로 붕소도핑영역(330) 이외의 부분을 선택적으로 제거한다.
상술한 바와 같은 본 발명에 따른 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법에 의하면, 초소형 2차원적 배열의 적외선 실리콘 렌즈 어레이를 만들 수 있다. 따라서, 적외선 감지 소자에 이러한 초소형 적외선 렌즈 어레이를 장착시킴으로써 적외선 감지 소자의 감지도를 실리콘의 굴절률인 3.4배만큼 향상시킬 수 있다. 또한, 현재 많이 상용화된 적외선 통신장치에도 응용이 가능하다.
본 발명은 상기 실시예들에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (10)

  1. 실리콘 기판상에 붕소 농도가 5×1018원자/cm3이상이 되도록 붕소도핑영역을 형성하는 단계와,
    상기 붕소도핑영역 이외의 부분만을 KOH, EDP, 및 TMAH 로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나로 습식식각하여 선택적으로 제거하는 단계를 포함하여 상기 붕소도핑영역만으로 이루어진 렌즈를 형성하는 것을 특징으로 하는 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 붕소도핑영역을 형성하는 단계가,
    상기 기판상에 상기 기판의 앞면을 노출시키는 개구부를 가지는 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에만 붕소를 확산시킴으로서 곡률부를 형성하는 단계와,
    상기 곡률부를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 곡률부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 실리콘 렌즈 제조방법.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 붕소도핑영역을 형성하는 단계가,
    상기 기판상에 상기 기판의 앞면을 노출시키는 개구부를 가지는 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 확산방지막 패턴을 식각 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위를 등방성 식각하는 단계와,
    상기 등방성 식각부위를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 등방성 식각부위보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 1차 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 1차 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 확산시킴으로써 곡률부를 형성하는 단계와,
    상기 곡률부를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 1차 변형된 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 1차 변형된 확산방지막 패턴의 개구부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 2차 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 2차 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위 표면에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 실리콘 렌즈 제조방법.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 붕소도핑영역을 형성하는 단계가,
    상기 기판상에 상기 기판의 앞면을 노출시키는 복수개의 개구부를 가지는 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를확산시킴으로서 하나의 곡률부를 형성하는 단계와,
    상기 곡률부를 포함하는 기판표면이 노출되도록 상기 확산방지막 패턴을 패터닝하여 상기 곡률부보다 그 폭이 더 큰 개구부를 가지는 변형된 확산방지막 패턴을 형성하는 단계와,
    상기 변형된 확산방지막 패턴을 확산 마스크로 하여 상기 기판의 노출부위에 붕소를 다시 확산시킴으로써 평판부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 실리콘 렌즈 제조방법.
  5. 제2 항 내지 제4 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 확산방지막 패턴이, 상기 기판의 앞면 및 뒷면에 동시에 확산방지막을 형성한 후에, 상기 기판이 노출되도록 상기 기판의 앞면에 형성된 확산방지막을 패터닝함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 확산방지막이 열산화막인 것을 특징으로 하는 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제1 항에 있어서, 상기 습식식각 단계에서 상기 붕소도핑영역의 표면이 식각되는 것을 방지하기 위하여, 상기 습식식각하는 단계 이전에 상기 붕소도핑영역 상에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 보호막이 열산화막 또는 실리콘 질화막인 것을 특징으로 하는 초소형 굴절 실리콘 렌즈 제조방법.
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