KR950025942A - 콘택홀(contact hole) 측정용 측정마크 형성방법 - Google Patents

콘택홀(contact hole) 측정용 측정마크 형성방법 Download PDF

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KR950025942A
KR950025942A KR1019940001947A KR19940001947A KR950025942A KR 950025942 A KR950025942 A KR 950025942A KR 1019940001947 A KR1019940001947 A KR 1019940001947A KR 19940001947 A KR19940001947 A KR 19940001947A KR 950025942 A KR950025942 A KR 950025942A
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Abstract

본 발명은 콘택홀 측정용 측정마크 형성방법에 관한 것으로, 스크라이브라인 계단형으로 셀부분에 형성될 층을 미리 형성한 다음, 그 상부에 절연막을 도포하고 셀부분에 예정된 공정에 의해 콘택홀을 형성할 때 상기 스크라이브라인에 같은 콘택홀을 형성하여 측정마크를 형성하며 반복되는 구조는 한 가지만을 형성한 것이다. 상기 측정 마크는 각층의 특성에 맞추어 공정을 진행하여 셀부의 특성을 파악할 수 있으며 DRAM 이나 SRAM에 실제 적용될 수 있는 기술이다.

Description

콘택홀(contact hole)측정용 측정마크 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 의한 콘택홀 측정용 측정마크를 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 콘택홀 측정용 측정마크 형성방법에 있어서, 실험 및 분석을 위하여 찾기쉬운 일정부위에 셀에 형성될 각각의 층을 계단형으로 미리 적층한 후, 절연막을 전체구조사우에 도포하는 공정과, 셀부분에 콘택홀을 형성할 때 상기 콘택홀을 형성하는 부분과 단차가 같은 상기 일정부위의 각층에 콘택홀을 형성하는 공정을 특징으로 하는 콘택홀 측정용 측정마크 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 측정마크는 찾기쉬운 셀의 구석이나 스크라이브라인에 형성하는 것을 특징으로하는 콘택홀 측정용 측정마크 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940001947A 1994-02-03 1994-02-03 콘택홀(contact hole) 측정용 측정마크 형성방법 KR970011653B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100486219B1 (ko) * 1997-11-12 2005-09-30 삼성전자주식회사 반도체제조공정모니터링패턴

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