KR950019939A - 반도체 소자의 콘택형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 콘택형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 콘택형성방법에 관한 것으로 SRAM소자에서 제1플리시리콘층과 불순물 이온주입영역에 동시에 접속되는 콘택홀 형성시 오정렬로 인한 콘택크기의 감소를 필드산화막의 버즈비크를 제거하여 소자의 콘택특성을 향상시키는 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도는 종래의 공정에 의하여 형성된 콘택의 단면도,
제2A도 내지 제2E도는 본 발명의 방법에 따라 형성된 콘택의 단면도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 콘택형성 방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 패트산화막,질화막을 적층하고 제1마스크 패턴을 형성한 후 건식 식각하는 공정과, 제1마스크 패턴을 제거한 후 필드산화막을 형성하는 공정과,질화막,패드산화막을 제거하고 필드산화막상의 버즈비크를 제외한 부위에 제2마스크 패턴을 형성하는 공정과,건식식각으로 버즈비크 부분을 식각하고 제1 폴리실리콘층, 불순물 이온주입영역 및 절연층을 형성하는 공정과, 제1 폴리실리콘층과 불순물 이온주입영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하고 제2폴리실리콘층을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택형성방법.
- 제1항에 있어서, 제2마스크 패턴용 레티클(reticle)은 제1마스크 패턴용 레티클과동일하며 감광막극성이 서로 반대인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031884A KR950019939A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 반도체 소자의 콘택형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930031884A KR950019939A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 반도체 소자의 콘택형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950019939A true KR950019939A (ko) | 1995-07-24 |
Family
ID=66853515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930031884A KR950019939A (ko) | 1993-12-30 | 1993-12-30 | 반도체 소자의 콘택형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950019939A (ko) |
-
1993
- 1993-12-30 KR KR1019930031884A patent/KR950019939A/ko not_active Application Discontinuation
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