KR950014873A - 가스센서 및 그 제조방법 - Google Patents

가스센서 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950014873A
KR950014873A KR1019930023897A KR930023897A KR950014873A KR 950014873 A KR950014873 A KR 950014873A KR 1019930023897 A KR1019930023897 A KR 1019930023897A KR 930023897 A KR930023897 A KR 930023897A KR 950014873 A KR950014873 A KR 950014873A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
electrode
heater
forming
temperature sensor
Prior art date
Application number
KR1019930023897A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970002501B1 (ko
Inventor
박현수
Original Assignee
이헌조
엘지전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이헌조, 엘지전자 주식회사 filed Critical 이헌조
Priority to KR1019930023897A priority Critical patent/KR970002501B1/ko
Priority to US08/337,065 priority patent/US5605612A/en
Priority to CN94119636.4A priority patent/CN1056447C/zh
Priority to JP6278103A priority patent/JP2793135B2/ja
Publication of KR950014873A publication Critical patent/KR950014873A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970002501B1 publication Critical patent/KR970002501B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N7/00—Analysing materials by measuring the pressure or volume of a gas or vapour

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

본 발명은 가스센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 고집적화를 가능하게 하고 가스감지시의 오차를 제거하여 신뢰성과 선택성을 높이기 위해 가스센서를 지지하는 실리콘기판(1)과, 상기 실리콘기판(1)위에 형성된 지지막(2), 상기 지지막(2)상에 형성되어 가스감응층을 가열하는 히터부(2), 상기 지지막(2)상에 형성되어 상기 히터부(3)의 온도를 제어하는 온도센서부(4), 상기 히터부(3) 및 온도센서부(4)와 전극부간의 전기적 절연을 위해 상기 히터부(3) 및 온도센서부(4)상에 형성된 절연층(21), 상기 절연층(21)상에 형성된 전극부(5,6,7,8,9,10,11,12,13), 상기 전극부상에 형성되어 다수의 가스와 각각 반응하는 다수개의 가스감응층(14,15,16), 및 상기 전극부상에 형성된 다수개의 가스감응층(17,18,19)상부에 형성된 가스차단막(20)으로 이루어진 기준소자부를 구비한 것을 특징으로 하는 가스센서를 제공한다.

Description

가스센서 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 저항형 가스센서 구조도.
제2도는 종래의 저항형 가스센서의 전극 및 히터의 평면구조도.
제3도는 종래의 소결형 가스센서 구조도.
제4도는 본 발명의 가스센서 구조도.
제5도는 본 발명의 가스센서 제조공정 순서도.

Claims (6)

  1. 가스센서를 지지하는 실리콘기판(1)과, 상기 실리콘(1)위에 형성된 지지막(2), 상기 지지막(2)상에 형성되어 가스감응층을 가열하는 히터부(3), 상기 지지막(2)상에 형성되어 상기 히터부(3)의 온도를 제어하는 온도센서부(4), 상기 히터부(3) 및 온도센서부(4)와 전극부간의 전기적 절연을 위해 상기 히터부(3) 및 온도센서부(4)상에 형성된 절연층(21), 상기 절연층(21)상에 형성된 전극부(5,6,7,8,9,10,11,12,13), 상기 전극부상에 형성되어 다수의 가스와 각각 반응하는 다수개의 가스감응층(14,15,16), 및 상기 전극부상에 형성된 다수개의 가스감응층(17,18,19)와 상기 가스감응층(17,18,19) 상부에 형성된 가스차단막(20)으로 이루어진 기준 소자부를 구비한 것을 특징으로 하는 가스센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 히터부(3)는 백금과 탄탈륨의 이중구조로 된 것을 특징으로 하는 가스센서.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전극부는 상기 가스감응층(14,15,16)에 연결된 전극(5,6,7)과 상기 기준소자부의 가스감응층(17,18,19)에 연결된 전극(8,9,10)이 서로 연결된 공통전극(11,12,13)을 갖춘 구조로 된 것을 특징으로 하는 가스센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 공통전극에 의해 상기 가스감응층(14,15,16)과 기준소자의 가스감응층(17,18,19)을 구성하는 각각의 물질들중에서 서로 같은 물질로 이루어진 가스감응층끼리 연결되는 것을 특징으로 하는 가스센서.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기준소자의 가스감응층(17,18,19)을 부하저항으로 사용하는 것을 특징으로 하는 가스센서.
  6. 실리콘기판(1) 전면에 지지막(2)을 형성하는 공정과, 상기 지지막(2)상에 금속을 증착하여 소정의 형상을 갖는 히터(3) 및 온도센서(4)를 동시에 형성하는 공정, 상기 결과물상에 절연층(21)을 형성하는 공정, 상기 절연층(21) 소정 부분에 상기 형성된 히터(3) 및 온도센서(4)의 표면의 일부분을 노출시키는 콘택홀(22)을 형성하는 공정, 상기 절연층(21)상의 소정영역에 금속을 증착하여 소정의 형상을 갖는 전극층(5∼13)을 형성하는 공정, 상기 콘택홀(22)을 통해 상기 히터(3) 및 온도센서(4)와 연결되는 패드(25,26)를 형성하는 공정, 상기 전극층상에 가스감응층(14∼19)을 형성하는 공정, 상기 형성된 가스감응층중 소정영역상에만 가스차단막(20)을 형성하는 공정, 및 상기 실리콘기판의 후면의 소정부분을 식각하는 공정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 가스센서 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930023897A 1993-11-11 1993-11-11 가스센서 및 그 제조방법 KR970002501B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930023897A KR970002501B1 (ko) 1993-11-11 1993-11-11 가스센서 및 그 제조방법
US08/337,065 US5605612A (en) 1993-11-11 1994-11-10 Gas sensor and manufacturing method of the same
CN94119636.4A CN1056447C (zh) 1993-11-11 1994-11-11 气敏器件及其制造方法
JP6278103A JP2793135B2 (ja) 1993-11-11 1994-11-11 薄膜型ガスセンサ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930023897A KR970002501B1 (ko) 1993-11-11 1993-11-11 가스센서 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950014873A true KR950014873A (ko) 1995-06-16
KR970002501B1 KR970002501B1 (ko) 1997-03-05

Family

ID=19367797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930023897A KR970002501B1 (ko) 1993-11-11 1993-11-11 가스센서 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970002501B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11181508B2 (en) 2018-10-29 2021-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Gas sensing device, electronic device including the gas sensing device, and gas sensing system

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101135404B1 (ko) * 2010-03-29 2012-04-17 전자부품연구원 가스센서 어레이용 마이크로 플랫폼
KR101237962B1 (ko) * 2010-08-11 2013-02-27 주식회사 에스앤에스레볼루션 다기능 센서 및 이의 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11181508B2 (en) 2018-10-29 2021-11-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Gas sensing device, electronic device including the gas sensing device, and gas sensing system

Also Published As

Publication number Publication date
KR970002501B1 (ko) 1997-03-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100351810B1 (ko) 절대습도센서
US4703555A (en) Method of making a catalytic-burning sensor
JPH0843340A (ja) 高感度シリコンに基づくマイクロカロリメータの及びその製造方法
KR920003339A (ko) SiC 박막더어미스터 및 그 제조방법
US6051854A (en) Integrated semiconductor device comprising a chemoresistive gas microsensor and manufacturing process thereof
EP0313390A2 (en) Gas sensor and method for production thereof
WO1996009534A1 (en) Method and device for gas sensing
JP3949771B2 (ja) 半導体素子および半導体素子の形成方法
JPH0510901A (ja) 触媒燃焼式ガスセンサ
US6114943A (en) Resistive hydrogen sensing element
KR950014873A (ko) 가스센서 및 그 제조방법
JP3485151B2 (ja) 接触燃焼式ガスセンサ
JPS6137577B2 (ko)
JPS61191953A (ja) ガス検出装置
JPS6358249A (ja) 湿度検知素子
JP4507438B2 (ja) ガスセンサを用いたガスの検出方法
JP2714006B2 (ja) ガスセンサ
US20050023138A1 (en) Gas sensor with sensing particle receptacles
KR100780076B1 (ko) 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법 및 반도체형가스센서 어레이
JPS58102144A (ja) ガスセンサ
JPH06148115A (ja) ガスセンサー
JPH05322821A (ja) ガスセンサ
KR950027392A (ko) 박막형 가스센서 및 이의 제조방법
JPH04339250A (ja) ガスセンサ
KR100188711B1 (ko) 후막형접촉연소식가스감지소자및그제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20000620

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee