KR950006975A - 비정질 반도체막 및 수소화된 비정질 반도체막 형성방법 - Google Patents
비정질 반도체막 및 수소화된 비정질 반도체막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 비정질 반도체막 및 수소화된 비정질 반도체막 형성방법에 관한 것으로, 종래의 기술에서 PECVD법을 이용한 비정질 반도체막 형성시 플라즈마에 의한 발생의 기판손상과 입자(particle)에 의한 막질의 저하와 고진공 상태에서의 비정질 반도체막의 형성시간 지연등의 단점을 해결하기 위해 상압화학 기상증착장치(APCVD)를 이용하여 플라즈마를 발생시키지 않은 대기압상태에서 반응개스를 주입하여 기판의 온도에 의해 기판상에 비정질 반도체막이 형성되도록 함으로써, 플라즈마 이온에 의한 기판의 손상과 불필요한 입자의 발생을 막아 양질의 박막을 얻을 수 있다.
또한 수소화된 비정질 반도체막을 형성하기 위해 수소를 반응로에 주입하고, 180℃∼400℃사이의 기판온도를 유지하면서 플라즈마를 발생시켜 수소화된 비정질 반도체막을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 비정질 반도체막 형성장치 개략도.
제2도는 본 발명의 비정질 반도체막 형성장치 개략도.
Claims (7)
- 상압화학 기상증착장치(APCVD)를 이용하여 비정질 반도체막을 형성시키는 방법에 있어서, 기판(2)을 반응로(1)의 지판지지대(3)상에 장착한 후, 펌프(12)를 가동하여 반응로(1) 내부를 진공상태로 만드를 제1단계, 할로겐 램프(9)을 온시켜 기판(2)의 온도를 350℃이상으로 가열하는 제2단계, 퍼지(purge)용 개스를 반응로(1)에 주입하여 반응로(1)의 압력을 상압으로 만든 후, 다이사일렌(Si2H6)를 반응로(1)에 주입하여 기판(2)상에 비정질 반도체막을 형성하는 제3단계로, 이루어짐을 특징으로 하는 비정질 반도체막 형성방법..
- 제1항에 있어서, 증착된 비정질 반도체 막질을 향상시키기 위해 박막증착후, 수소(H2), 또는 질소(N2)가스를 반응로(1)에 주입하여 반응로(1)의 압력을 300토르 이상으로 유지하고 기판(2)의 온도를 200℃이상에서 15분이상 열처리함을 특징으로 하는 비정질 반도체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 퍼지(purge)용 개스로는 He, N2개스를 사용함을 특징으로 하는 비정질 반도체막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 사일렌 개스로는 SiH4,Si3H8, Si4H10를 이용함을 특징으로 하는 비정질 반도체막 형성방법.
- 수소화된 반도체층을 형성하기 위해, 비정질 반도체막이 형성된 기판(2)을 반응로(1)의 기판지지대(3)에 장착하고, 기판지지대(3)을 고주파코일(8)영역에 위치시킨 후, 반응로(1) 수소개스를 주입하고 고주파코일(8)을 이용하여 수소플라즈마를 형성시켜 수소가 비정질 반도체막으로 확산되게 함을 특징으로 하는 수소화된 비정질 반도체막 형성방법.
- 제3항에 있어서, 수소가 증착된 비정질 반도체막의 온도가 180℃∼400℃사이에서 확산되게 함을 특징으로 하는 수소화된 비정질 반도체막 형성방법.
- 제3항에 있어서, 수소화된 비정질 반도체막 내부의 수소량이 1atom%∼50atom%를 갖음을 특징으로 하는 비정질 반도체막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015805A KR950006975A (ko) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 비정질 반도체막 및 수소화된 비정질 반도체막 형성방법 |
| US08/281,926 US5627089A (en) | 1993-08-02 | 1994-07-28 | Method for fabricating a thin film transistor using APCVD |
| EP94401764A EP0637837A3 (en) | 1993-08-02 | 1994-08-01 | Method for fabricating a thin film transistor |
| US08/731,751 US5930657A (en) | 1993-08-02 | 1996-10-18 | Method of depositing an amorphous silicon film by APCVD |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930015805A KR950006975A (ko) | 1993-08-16 | 1993-08-16 | 비정질 반도체막 및 수소화된 비정질 반도체막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950006975A true KR950006975A (ko) | 1995-03-21 |
Family
ID=66817642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930015805A KR950006975A (ko) | 1993-08-02 | 1993-08-16 | 비정질 반도체막 및 수소화된 비정질 반도체막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950006975A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100865543B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2008-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막장치 및 발광장치 제작방법 |
-
1993
- 1993-08-16 KR KR1019930015805A patent/KR950006975A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100865543B1 (ko) * | 2000-07-10 | 2008-10-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 성막장치 및 발광장치 제작방법 |
| US8056501B2 (en) | 2000-07-10 | 2011-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device |
| US8647706B2 (en) | 2000-07-10 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film forming apparatus and method of manufacturing light emitting device |
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