KR950006959A - 하프톤 위상쉬프트 포토마스크, 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스 및 그 블랭크스의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단파장광에 대하여 충분한 투과율을 가지고 불화크립톤 엑시머 레이저노광등에 의한 고해상도 리소그래피에 사용가능한 하프톤 위상쉬프트 포토마스크에 관한 것으로서, 투명기판상의 하프톤 위상쉬프트층이 크롬화합물을 주체로 하는 층을 적어도 1층 이상 포함하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크에 있어서, 그 크롬화합물을 주체로 하는 층이 크롬원자외에 적어도 불소원자를 함유하는 화합물이고, 단파장노광으로도 소정이상의 투과율이 얻어져 불화크립톤 엑시머 레이저노광(파장:248nm)등에도 사용할 수 있기 때문에 고해상도 리소그래피를 실현할 수 있다. 또한 종래형 포토마스크와 거의 동일한 방법으로 마스크화할 수 있기 때문에 수율의 향상, 비용절감을 실현할 수 있다.

Description

하프톤 위상쉬프트 포토마스크, 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스 및 그 블랭크스의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예 1의 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스를 얻는 과정을 나타낸 도면.
제2도는 실시예 2의 하프톤 위상쉬프트 포토마스크의 제조공정도.
제3도는 실시예 4의 하프톤 위상쉬프트 포토마스크의 제조공정도.
제4도는 실시예 5의 하프톤 위상쉬프트 포토마스크의 제조공정도.

Claims (24)

  1. 투명기판상의 하프톤 위상쉬프트층이 크롬화합물을 주체로 하는 층을 적어도 1층 이상 포함하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크에 있어서, 상기 크롬화합물이 크롬원자외에 적어도 불소원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 크롬화합물이 크롬원자 및 불소원자외에 산소, 탄소, 유황, 질소, 수소중 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 크롬화합을 주체로 하는 층이 노광광에서의 편광해석법으로 구해지는 굴절율을 0.1이상으로 변화시키지 않는 범위에서 크롬, 불소, 산소, 탄소, 유황, 질소, 수소원자이외의 불순물원자를 함유하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서, 하프톤 위상쉬프트 층이 투명기판상에 이하에 나타낸 식으로 구해지는 위상차Φ가 nπ±π/3라디안(n은 홀수)범위가 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
    여기에서, Φ는 상기 투명기판상에 (m-2)층의 다층막이 구성되어 있는 포토마스크를 수직으로 투과하는 광이 받는 위상변화이고, xk,k+1은 k번째층과 (k+1)번째층의 경계면에서 일어나는 위상변화, uk, dk는 각각 k번째층을 구성하는 재료의 굴절율과 막두께, λ는 노광광의 파장이다. 단, k=1인 층은 상기 투명기판, k=m인 층은 공기로 한다.
  5. 제4항에 있어서, 하프톤 위상쉬프트층의 노광광에 대한 투과율이 그 노광광에 대한 상기 하프톤 위상쉬프트층의 개구부 투과율을 100%로 했을 때 1 내지 50%인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 쉬프트 포토마스크.
  6. 제5항에 있어서, 하프톤 위상쉬프트층이 적어도 불소를 함유하는 크롬화합물로 된 층과, 크롬, 산화크롬, 질화크롬, 산화질화크롬, 산화탄화크롬, 산화탄화질화크롬 중 어느 하나로 된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 쉬프트 포토마스크.
  7. 제6항에 있어서, 상기 크롬화합물이 X선광전자 분광법에 의한 분석치로서 크롬원자를 100으로 했을 때 불소원자를 100이상 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
  8. 제7항에 있어서, 상기 크롬화합물이 X선광전자 분광법에 의한 분석치로서 크롬원자를 100으로 했을때 150이하의 비율로 산소원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
  9. 제8항에 있어서, 상기 크롬화합물이 X선광전자 분광법에 의한 분석치로서 크롬원자를 100으로 했을때 250이하의 비율로 탄소원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크.
  10. 투명기판상의 하프톤 위상쉬프트층이 크롬화합물을 주체로 하는 층을 적어도 1층 이상 포함하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스에 있어서, 상기 크롬화합물이 크롬원자외에 적어도 불소원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  11. 제10항에 있어서, 상기 크롬화합물이 크롬원자 및 불소원자외에 산소, 탄소, 유황, 질소, 수소중 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서, 상기 크롬화합물을 주체로 하는 층이 노광광에서의 편광해석법으로 구해지는 굴절율을 0.1이상으로 변화시키지 않는 범위에서 크롬, 불소, 산소, 탄소, 유황, 질소, 수소원자이외의 불순물원자를 함유하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  13. 제12항에 있어서, 하프톤 위상쉬프트 층이 투명기판상에 이하에 나타낸 식으로 구해지는 위상차Φ가 nπ±π/3라디안(n은 홀수)범위가 되도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
    여기에서, Φ는 상기 투명기판상에 (m-2)층의 다층막이 구성되어 있는 포토마스크용 블랭크스를 수직으로 투과하는 광이 받는 위상변화이고, xk,k+1은 k번째층과 (k+1)번째층의 경계면에서 일어나는 위상변화, uk, dk는 각각 k번째층을 구성하는 재료의 굴절율과 막두께, λ는 노광광의 파장이다. 단, k=1인 층은 상기 투명기판, k=m인 층은 공기로 한다.
  14. 제13항에 있어서, 하프톤 위상쉬프트층의 노광광에 대한 투과율이 그 노광광에 대한 상기 투명기판의 투과율을 100%로 했을 때 1 내지 50%가 되는 막두께로 상기 투명기판상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  15. 제14항에 있어서, 하프톤 위상쉬프트층이 적어도 불소를 함유하는 크롬화합물로 된 층과, 크롬, 산화크롬, 질화크롬, 산화질화크롬, 산화탄화크롬, 산화탄화질화크롬 중 어느 하나로 된 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상 쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  16. 제15항에 있어서, 상기 크롬화합물이 X선광전자 분광법에 의한 분석치로서 크롬원자를 100으로 했을 때 불소원자를 100이상 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  17. 제16항에 있어서, 상기 크롬화합물이 X선광전자 분광법에 의한 분석치로서 크롬원자를 100으로 했을 때 150이하의 비율로 산소원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  18. 제17항에 있어서, 상기 크롬화합물이 X선광전자 분광법에 의한 분석치로서 크롬원자를 100으로 했을때 250이하의 비율로 탄소원자를 함유하는 화합물인 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스.
  19. 투명기판상의 하프톤 위상쉬프트층이 크롬화합물을 주체로 하는 층을 적어도 1층 이상 포함하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법에 있어서, 불소원자함유기체로 생성한 플라즈마중에서 금속크롬 또는 크롬화합물로부터 크롬을 증발 또는 스퍼터링함으로써 투명기판상에 불화크롬화합물을 주체로 하는 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법.
  20. 제19항에 있어서, 크롬의 증발이 전자총으로 가속된 전자의 조사 또는 전리기체의 조사에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 불소원자함유기체로 생성하는 플라즈마를 크롬원과 투명기판의 공간에 불소원자함유기체를 도입하면서 전리시킴으로써, 발생시키는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법.
  22. 제19항 또는 제20항에 있어서, 불소원자함유기체로 생성하는 플라즈마를 크롬원과 투명기판사이의 공간에 미리 전리한 불소원자 함유기체를 도입함으로써 발생시키는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법.
  23. 제19항 또는 제20항에 있어서, 불소원자함유기체로 생성하는 플라즈마를 크롬원과 투명기판사이의 공간에 불소원자 함유기체를 도입하면서 미리 전리한 기체를 도입함으로써, 발생시키는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법.
  24. 제19항에 있어서, 미리 전리된 불소원자함유기체를 크롬원과 투명기판사이의 공간을 통하여 크롬원에 조사함으로써 크롬을 증발시킴과 동시에 불소원자를 함유하는 플라즈마를 발생시켜 투명기판상에 불화크롬화합물을 주체로 하는 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 하프톤 위상쉬프트 포토마스크용 블랭크스의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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