KR950004580A - 지티오(gto) 사이리스터의 공핍층 온도를 측정하기 위한 회로 배열 및 방법 - Google Patents

지티오(gto) 사이리스터의 공핍층 온도를 측정하기 위한 회로 배열 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950004580A
KR950004580A KR1019940017998A KR19940017998A KR950004580A KR 950004580 A KR950004580 A KR 950004580A KR 1019940017998 A KR1019940017998 A KR 1019940017998A KR 19940017998 A KR19940017998 A KR 19940017998A KR 950004580 A KR950004580 A KR 950004580A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
gto
gate
current
circuit arrangement
Prior art date
Application number
KR1019940017998A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100300364B1 (ko
Inventor
하우스비르쓰 크리스티안
혹스투울 게르하르트
호프스테터 브루노
켈러 마르쿠스
Original Assignee
게르트 뤼크
아세아 브라운 보베리 매니지먼트 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 게르트 뤼크, 아세아 브라운 보베리 매니지먼트 악티엔게젤샤프트 filed Critical 게르트 뤼크
Publication of KR950004580A publication Critical patent/KR950004580A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100300364B1 publication Critical patent/KR100300364B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Thyristors (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

GTO의 공핍층 온도를 측정하기 위한 장치를 갖는 회로 배열 및 방법이 측정된다. 이 경우에, 측정 전류(IM)는 게이트 회로에 인가되고, 일시적인 턴 오프 과정이 감쇠된 후에 인가된 측정 전류(IM)로서 캐소드와 게이트 사이의 전압(UGR)이 측정된다. 이때에 전압(UGR)은 GTO의 공핍층 온도에 의해 결정된다. GTO상의 스트레스 수준을 정밀하게 모니터 및 제어한 결과로, 공핍층 온도를 구성 요소에 직접 측정하는 것이, 즉 열적 저항성등의 계산 및 히트 싱크 온도를 통한 순환 루트 없이 측정하는 것이 가능하고, 또 구동중에 연속적으로 측정하는 것이 가능하다.

Description

지티오(GTO) 사이리스터의 공핍층 온도를 측정하기 위한 회로 배열 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 GTO의 공핍층 온도를 측정하기 위한 회로 배열을 나타낸 선도, 제 2 도는 시간의 기능으로, GTO가 턴 오프된 경우에 캐소드와 게이트 사이의 전압 및 게이트 전류의 감도를 나타낸 그래프, 제 3 도는 GTO의 실리콘 공핍층 온도에 대한 측정된 전압의 의존도를 나타낸 그래프.

Claims (9)

  1. 제어전류를 게이트 회로에 인가함으로서 GTO에 의해 로드 전류를 스위치 온 오프할 수 있으며, 로드 회로와 게이트 회로를 가지며 설비에서 반도체 스위치로 사용되는 GTO 사이리스터의 공핍층 온도의 측정 방법에 있어서, (a) 제어전류 보다 작은 측정 전류(IM)이 게이트 회로에 인가되는 단계와, (b) GTO가 턴 오프된 후에 또한 일시적 턴 오프 과정이 감쇠되자마자, 전압(UGR)이 GTO의 게이트와 캐소드 사이에서 측정되는 단계와, (c) 측정된 전압(UGR)이 GTO의 공핍층 온도(Tj)를 연역하기 위해 사용되는 단계를 포함하는 GTO 사이리스터의 공핍층 온도의 측정방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 측정 전류(IM)가 예컨데 약 100mA로 인가되는 방법.
  3. 제1 또는 2항에 있어서, GTO가 턴 오프하자마자, 측정 전류(IM)가 한번 이상 그리고 특정한 측정 시간 동안 인가되는 방법.
  4. 스위칭 온 회로와 스위칭 오프 회로를 포함하는 드라이브 회로에 연결된 캐소드와 게이트를 구비한 하나 이상의 GTO를 가지며, 상기 GTO는 로드회로 및 게이트 회로를 가지며 설비에서 반도체 스위치로서 사용되며, 제어 전류를 게이트 회로에 인가함으로써 GTO에 의하여 로드 전류를 스위치 온 오프할 수 있는 회로 배열에 있어서, GTO의 공핍층 온도 측정 장치가 설치되어서 측정 전류(IM)가 게이트 회로에 인가되는 회로배열
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 장치는 GTO의 캐소드와 게이트 사이에 배치되며 캐소드-게이트 전압(UGR)의 측정장치와 전류원을 포함하는 회로배열.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 장치는, GTO가 턴 오프된 후에 또 게이트 (IG)가 측정 전류(IM)로 떨어지자마자 캐소드와 게이트 사이의 전압(UGR)을 측정하는 회로배열.
  7. 제 6 항에 있어서, 스위칭 온 회로 및 스위칭 오프 회로 또한 전류원은 각각 하나의 전압원으로부터 공급되는 회로배열.
  8. 제 7 항에 있어서, 하나 이상의 다이오드(D)가 측정 장치를 스위칭 오프 회로로부터 전기적으로 분리하도록 GTO의 게이트와 스위칭 오프 회로 사이에 배치되는 회로배열.
  9. 제 8 항에 있어서, 전류원은 작은 전류, 예컨데, 약 100mA를 방전하는 회로배열.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017998A 1993-07-26 1994-07-25 지티오사이리스터의공핍층온도를측정하기위한회로배열및방법 KR100300364B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4324982.5 1993-07-26
DE4324982A DE4324982A1 (de) 1993-07-26 1993-07-26 Verfahren und Schaltungsanordnung zur Messung der Sperrschichttemperatur eines GTO-Thyristors

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004580A true KR950004580A (ko) 1995-02-18
KR100300364B1 KR100300364B1 (ko) 2001-11-22

Family

ID=6493689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940017998A KR100300364B1 (ko) 1993-07-26 1994-07-25 지티오사이리스터의공핍층온도를측정하기위한회로배열및방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5473260A (ko)
EP (1) EP0636866B1 (ko)
JP (1) JPH0778969A (ko)
KR (1) KR100300364B1 (ko)
AT (1) ATE176320T1 (ko)
CA (1) CA2126649C (ko)
DE (2) DE4324982A1 (ko)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE512796C2 (sv) * 1998-09-18 2000-05-15 Ericsson Telefon Ab L M Förfarande jämte anordning för att mäta temperatur i en halvledarkomponent
DE10011179B4 (de) * 2000-03-08 2005-06-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines Halbleiter-Chips und Halbleiter-Chip mit Temperaturmessanordnung
DE10132452B4 (de) * 2001-07-04 2005-07-28 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Messen von Betriebstemperaturen eines elektrischen Bauteils
DE10203577A1 (de) * 2002-01-30 2003-08-21 Siemens Ag Verfahren zum Prognostizieren der Lebensdauer von leistungselektronischen Bauelementen
DE10351843B4 (de) * 2003-11-06 2013-11-21 Converteam Gmbh Verfahren und elektrische Schaltungen zur Ermittlung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters
DE102010000875B4 (de) * 2010-01-13 2014-05-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Messung der Junction-Temperatur bei Leistungshalbleitern in einem Stromrichter
CN102279335B (zh) * 2010-06-11 2013-06-19 山特电子（深圳）有限公司 晶闸管短路故障在线检测装置与方法
DE102012006009B4 (de) * 2012-03-24 2024-06-13 Volkswagen Aktiengesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung einer Sperrschichttemperatur eines Halbleiterbauelements
DE102012222481A1 (de) * 2012-12-06 2014-06-12 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Ermitteln einer Sperrschichttemperatur eines Leistungshalbleiters unter Berücksichtigung der Degradation und Mittel zu dessen Implementierung
DE102014204648A1 (de) * 2014-03-13 2015-09-17 Zf Friedrichshafen Ag Bestimmung einer IGBT-Temperatur
EP3382357B1 (en) * 2017-03-31 2021-03-24 Mitsubishi Electric R & D Centre Europe B.V. Device and a method for controlling the temperature of a multi-die power module
DE102018123903A1 (de) * 2018-09-27 2020-04-02 Thyssenkrupp Ag Temperaturmessung eines Halbleiterleistungsschaltelementes

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237692B (de) * 1964-04-17 1967-03-30 Licentia Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Belastbarkeit eines Thyristors in Durchlassrichtung und zur Messung seines thermischen Innenwiderstandes
US3436661A (en) * 1966-06-22 1969-04-01 Bell Telephone Labor Inc Test set for measuring the rate effect and the forward blocking recovery time of thyristors
DE2044225B2 (de) * 1970-09-07 1973-03-08 Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen
JPS514834B1 (ko) * 1970-12-27 1976-02-14
DE2160485A1 (de) * 1971-10-05 1973-04-12 Halbleiterwerk Frankfurt Oder Verfahren und messanordnung zur bestimmung der virtuellen sperrschichttemperatur von thyristoren
CA1010574A (en) * 1974-12-02 1977-05-17 Canadian General Electric Company Limited Temperature monitoring of semiconductors
SE390781B (sv) * 1974-12-12 1977-01-17 Asea Ab Kombination av en tyristorkoppling och en provanordning for tyristorerna i denna
SU600481A1 (ru) * 1975-01-29 1978-03-30 Специальное Конструкторское Бюро Ордена Ленина Физико-Технического Института Имени А.Ф.Иоффе Способ измерени температуры переходов
JPS5624974A (en) * 1979-08-06 1981-03-10 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of semiconductor element
SU1049755A1 (ru) * 1979-11-13 1983-10-23 Таллинский Политехнический Институт Способ измерени температурного пика @ - @ перехода
GB8523683D0 (en) * 1985-09-25 1985-10-30 Imi Pactrol Temperature sensor
DE59005948D1 (de) * 1989-09-25 1994-07-07 Asea Brown Boveri Halbleiterschalter.

Also Published As

Publication number Publication date
CA2126649C (en) 2002-02-12
US5473260A (en) 1995-12-05
JPH0778969A (ja) 1995-03-20
DE4324982A1 (de) 1995-02-02
CA2126649A1 (en) 1995-01-27
EP0636866A2 (de) 1995-02-01
KR100300364B1 (ko) 2001-11-22
ATE176320T1 (de) 1999-02-15
DE59407722D1 (de) 1999-03-11
EP0636866A3 (de) 1995-04-12
EP0636866B1 (de) 1999-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004580A (ko) 지티오(gto) 사이리스터의 공핍층 온도를 측정하기 위한 회로 배열 및 방법
US3206615A (en) Liquid detector device
KR870010630A (ko) 반도체 집적회로장치
GB2253709A (en) Overcurrent detection circuit
IT1258416B (it) Dispositivo a semiconduttore controllabile con limitazione di correnteintegrata e diseccitazione in caso di sovratemperatura
KR900015423A (ko) 스위치 모드 전환회로
KR890001273A (ko) 반도체 구동 장치
KR930703726A (ko) 과전류 보호장치
US5561391A (en) Clamp circuit and method for detecting an activation of same
US5581432A (en) Clamp circuit and method for identifying a safe operating area
RU2282294C2 (ru) Ограничитель напряжения
KR900005513A (ko) 스위칭 매트릭스내의 입력동작 검출용 검출장치
KR970704157A (ko) 고정(Built-in) 테스트를 이용하는 전기 차량 추진 시스템 파워 브리지(ELECTRIC VEHICLE PROPULSION SYSTEM POWER BRIDGE WITH BUILT-IN TEST)
KR860007551A (ko) 반도체소자의 테스트방법 및 표시장치
CA2010240A1 (en) Circuit for measuring the resistance of test-pieces
Richardeau et al. Gate leakage-current, damaged gate and open-circuit failure-mode of recent SiC Power Mosfet: Overview and analysis of unique properties for converter protection and possible future safety management
KR880014379A (ko) 전압 검지 회로
KR900005446A (ko) 반도체 디바이스
US5027020A (en) Zero voltage switching AC relay circuit
KR940012840A (ko) 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 스위치 오프를 제어하기 위한 회로 장치
JPH07221261A (ja) 温度センサを有する電力用半導体デバイス
JPS6447077A (en) Protective circuit for power mos field-effect transistor
US3714005A (en) Percentage of maximum current and threshold voltage responsive electronic control circuit and method
KR880005808A (ko) 비디오 장치용 전원
KR840006894A (ko) 다이리스터형 또는 트라이액형 반도체장치의 제어회로

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee