DE2044225B2 - Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen - Google Patents

Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen

Info

Publication number
DE2044225B2
DE2044225B2 DE19702044225 DE2044225A DE2044225B2 DE 2044225 B2 DE2044225 B2 DE 2044225B2 DE 19702044225 DE19702044225 DE 19702044225 DE 2044225 A DE2044225 A DE 2044225A DE 2044225 B2 DE2044225 B2 DE 2044225B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semi
procedure
determining
same type
thermal resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19702044225
Other languages
English (en)
Other versions
DE2044225C3 (de
DE2044225A1 (de
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to DE19702044225 priority Critical patent/DE2044225B2/de
Priority to US00178189A priority patent/US3745460A/en
Publication of DE2044225A1 publication Critical patent/DE2044225A1/de
Publication of DE2044225B2 publication Critical patent/DE2044225B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2044225C3 publication Critical patent/DE2044225C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/2619—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring thermal properties thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
DE19702044225 1970-09-07 1970-09-07 Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen Granted DE2044225B2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702044225 DE2044225B2 (de) 1970-09-07 1970-09-07 Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen
US00178189A US3745460A (en) 1970-09-07 1971-09-07 Method and apparatus for determining the thermal internal resistance in semiconductors of the same type

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19702044225 DE2044225B2 (de) 1970-09-07 1970-09-07 Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2044225A1 DE2044225A1 (de) 1972-03-16
DE2044225B2 true DE2044225B2 (de) 1973-03-08
DE2044225C3 DE2044225C3 (de) 1973-09-20

Family

ID=5781777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702044225 Granted DE2044225B2 (de) 1970-09-07 1970-09-07 Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen

Country Status (2)

Country Link
US (1) US3745460A (de)
DE (1) DE2044225B2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3830299A1 (de) * 1988-09-07 1990-03-15 Asea Brown Boveri Verfahren und anordnung zur bestimmung von inneren waermewiderstaenden von scheibenfoermigen halbleiterbauelementen
DE4440167A1 (de) * 1994-11-10 1996-08-29 Max Planck Gesellschaft Verfahren und Anordnung zur Messung der lateralen Stromverteilung in Halbleiterbauelementen

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4469450A (en) * 1982-06-01 1984-09-04 The Firestone Tire & Rubber Company Electroacoustic method for nondestructively monitoring the internal temperature of objects
US4733175A (en) * 1984-06-04 1988-03-22 General Electric Company Varistor defect detection by incipient hot spot observation
FR2592489B1 (fr) * 1985-12-27 1988-02-12 Bull Sa Procede et dispositif de mesure de la resistance thermique d'un element tel qu'un equipement de circuits integres de haute densite.
US4713612A (en) * 1986-07-14 1987-12-15 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for determination of junction-to-case thermal resistance for a hybrid circuit element
US5106200A (en) * 1990-12-20 1992-04-21 Applied Materials, Inc. Apparatus for measuring temperature of wafer
US5361032A (en) * 1992-01-27 1994-11-01 Motorola, Inc. Method of troubleshooting electronic circuit board assemblies using temperature isolation
US5193909A (en) * 1992-05-12 1993-03-16 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Quantitative method for measuring heat flux emitted from a cryogenic object
DE4324982A1 (de) * 1993-07-26 1995-02-02 Abb Management Ag Verfahren und Schaltungsanordnung zur Messung der Sperrschichttemperatur eines GTO-Thyristors
BE1008808A3 (nl) * 1994-10-19 1996-08-06 Imec Inter Uni Micro Electr Inrichting en werkwijze voor het evalueren van de thermische weerstand van een halfgeleider-component.
US6092927A (en) * 1994-11-10 2000-07-25 International Rectifier Corp. Temperature detection of power semiconductors performed by a co-packaged analog integrated circuit
JP2002131257A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Nisshinbo Ind Inc 熱伝導率測定方法、測定装置及び断熱材の製造方法
JP2002343098A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の試験方法
US6491426B1 (en) * 2001-06-25 2002-12-10 Sbs Technologies Inc. Thermal bond verification
ATE429094T1 (de) * 2001-08-15 2009-05-15 Psytechnics Ltd Messung der genauigkeit eines kanals
JP3922142B2 (ja) * 2002-09-18 2007-05-30 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法およびバーンイン装置
US8328417B2 (en) * 2009-08-20 2012-12-11 Corning Incorporated Photoelastic method for absolute determination of zero CTE crossover in low expansion silica-titania glass samples

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3830299A1 (de) * 1988-09-07 1990-03-15 Asea Brown Boveri Verfahren und anordnung zur bestimmung von inneren waermewiderstaenden von scheibenfoermigen halbleiterbauelementen
DE4440167A1 (de) * 1994-11-10 1996-08-29 Max Planck Gesellschaft Verfahren und Anordnung zur Messung der lateralen Stromverteilung in Halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
US3745460A (en) 1973-07-10
DE2044225C3 (de) 1973-09-20
DE2044225A1 (de) 1972-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2044225B2 (de) Verfahren zur bestimmung und zur schnellerkennung des thermischen innenwiderstandes bei jeweils typengleichen halbleiterbauelementen
AT307762B (de) Verfahren und Einrichtung zur Entfernungsmessung
CH542513A (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
AT320145B (de) Testpäckchen zum Nachweis und zur Bestimmung von spezifischen Bindeproteinen bzw. der entsprechenden bindefähigen Substanz
IT1004608B (it) Procedimento e dispositivo per la determinazione di proprieta di materiali metallici
CH535493A (de) Scheibenförmiges Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
IT947923B (it) Procedimento e dispositivo per la prova di autenticita di campioni grafici
NO138009C (no) Fremgangsmaate og anordning for bestemmelse eller kontroll av en enkelpersons identitet
CH557166A (de) Diagnostisches mittel zur bestimmung der serologischen gruppe von beta-haemolytischen streptokokken und seine verwendung.
CH527422A (de) Gerät zur Bestimmung des thermischen Verhaltens von Filamentgarn
CH490676A (de) Fluidik-Messgerät zur Bestimmung der Zusammensetzung von Gasen
IT984607B (it) Procedimento e dispositivo di raffreddamento
CH483725A (de) Planare Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
CH514236A (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
FI51639C (fi) Reagenssi gamma-glutamyylitranspeptidaasin määrittämiseksi
CH491375A (de) Verfahren zur Messung der Wärmeleitfähigkeit von Gasen und Flüssigkeiten
CH556528A (de) Verfahren und anordnung zur abfrage und darstellung digitaler messwerte.
SE7504932L (sv) Halvledaranordning med multipel-pn-overgangar jemte forfarande for framstellning av densamma
CH542519A (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
CH522288A (de) Halbleitereinheit und Verfahren zur Herstellung derselben
CH515464A (de) Verfahren und Einrichtung zur Beeinflussung der Raumtemperatur
AT316894B (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
IT951291B (it) Procedimento e dispositivo per misura di resistenza elettrica
CH539324A (de) Thermistor und Verfahren zu seiner Herstellung
CH534342A (de) Verfahren zur Ausmessung kleiner Objekte

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)