DE2160485A1 - Verfahren und messanordnung zur bestimmung der virtuellen sperrschichttemperatur von thyristoren - Google Patents

Verfahren und messanordnung zur bestimmung der virtuellen sperrschichttemperatur von thyristoren

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DE2160485A1
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Bodo Dipl Ing Hildebrandt
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/263Circuits therefor for testing thyristors

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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Description

  • Verfahren und Meßanordnung zur Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur von Thyristoren Die Erfindung betrifft ein Verfahren und zur durchführung des Verfahrens eine Meßanordnung zur Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur von Thyristoren mit geshortetem Emitter, insbesondere zur Berechnung des inneren Wärmewiderstandes.
  • Die Ermittlung des inneren Wärmewiderstandes ist mögliche wenn die virtuelle Sperrschichttemeratur und die Durchlaßverlustleistung vom Tilyristor bekannt sind.
  • Es ist üblich, die virtuelle Sperrschichttemperatur durch Messen der Durchlaß-, der Kipp-, oder der Abschaltspannung oder der Freiwerdezeit des Thyristors, die temperaturabhän.ige Größen sind und aus einer die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Größe aufzeigenden Eichkurve zu bestimmen.
  • Das Nutzen einer dieser Größen für die Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur ist jedoch mit Nachteilen verbunden.
  • Beim Messen der Durchlaßspannung treten in Abhängigkeit; von der Sperrschichttemperature und vom Durchlaßstrom Spannungs sprünge auf, die durch ein partielles Durchschal-ten des Thyristorelementes, die in der Folge als Multistabilitaten bezeichnet erden, bedingt sind.
  • Nach ciem Stand der Technik wird beim Auftreten von Spannungssprüngen der Durchlaßstrom bis zu deren Beseitigung, vorzugsweise durch Erhöhen, verändert. Auch durch diese Maßnahme kann nicht sicher gestellt werden, daL3 bei der Messung der virtuelle Sperrschichttemperatur der gleiche Teil des Thyristorelementes, wie bei der Aufnahme der Eichkurve, durchgezündet ist.
  • Auf Grund dieser Thyristoreigenschaft ist eine sichere Zuordnung der virtuellen Sperrschicht temperatur zur Durchlaßspannung mit Hilfe der Eichkurve nicht möglich und es treten exemplarbedingte größere Fehler bei der Temperaturbestimmung auf.
  • Außerdem ergibt die durch die Multistabilitäten notwendige iAnderung des Meßstromes eine Erhöhung der Meßzeit, die für Labormessung unbedeutend, jedoch für eine produl;tive Messung in der Thyristorfertigung untragbar ist.
  • Sofern die Kippspannung zur Ermittlung der virtuellen Sperrschichtttemperatur herangezogen wird, muß der Thyristor bis weit über die maximal zulässige Sperrschichttemperatur bei der Aufnahme der EicIiIurve von außen und belm Meßvorgang mittels Durchlaßbelastung von innen aufgeheizt werden. Erfolgt; die innere Aufheizung etwa von der Raumtemperatur aus, dann entspricht diese Durchlaßbelastung nicht mehr dem normalen Anwendungsfall. Wird dagegen der thyristor vor der Durchlaßbelastung von außen auf eine relativ hohe Ausgangstemperatur gebracllt und dann mit einer Durchlaßverlustleistung beaufschlagt, dann erhöht der zusätzliche Erwärmungsvorgang die Meßzeit wesentlich.
  • Wird die Abschaltspannung oder die Freiwerdezeit zur Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur benutzt, so hat diese Verfahrensweise zwei Nachteile Beide Größen können nicht kontinuierlich mit so geringem elek-tronischen Aufwand, wie z.B. bei der i)urchlaßspannung, in Abhängigkeit von der Zeit gemessen werden. Weiterhin werden beide Größen von der "Ja-Nein"-Aussage dt'r Thyristor ??leitet oder leitet nicht" abgelei-tet. Die genaue grenze dieser Aussage, d.h. der genaue Meßwert, ist jedoch in einfacher Weise nicht mit ausreichender Genauigkeit; zu erhalten. Bei Thyristoren, deren Abschaltspannung oder Freiwerdezeit nur eine geringe Temperaturabhängigkeit aufweist, wird die Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur zusätzlich in der Genauigkeit vermindert.
  • Zweck der Erfindung ist es, ein produktiveres, zuverlässiges Meßverfahren nebst Meßanordnung das auch in der Thyristorproduktion benutzt werden kann, zu entwickeln.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, ein Verfahren und eine Meßanordnung zur Durchfllhrung des Verfahrens zu schaffen, mit dem von Thyristoren mit geshortetem Emitter, auch bei multistabilen Durchlaßkennlinien, die virtuelle Sperrschichtw temperatur in einfacher Weise schnell und mit hoher Genauigkeit bestimmt werden kann.
  • Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß zur Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur mittels einer die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Größe aufzeigenden Eichkurve, die temperaturabhängige elektrische Größe des Widerstandes zwischen Steuerelektrode und Katode RGK im gelöschten Zustand des Thyristors ermittelt wird0 Dieser Widerstand- wird in einfacher Weise durch einspeisen eines definierten Stromes von einer Gleichstromquelle ermittelt, deren Minuspol an der Steuerelektrode und deren Pluspol an der Katode des Thyristors angelegt wird, Dabei ist zu beachten, daß durch den definierten Gleichstrom am Widerstand zwischen Steuerelektrode und Katode RGK ein kleinerer Spannungsabfall erzeugt wird als die Größe der Durchbruchspannung des pn-8berganges zwischen SteueielLtrode und Katode.
  • Eine günstige Leistungseinspeisung wird erreicht, wenn diese mit einem periodisch unterbrochenen Durchlaß strom beliebiger Porm, z,B. mit Sinushalbwellen oder Rechteckimpulsen, vorgenommen wird.
  • Zur Verringerung des Schaltungsaufwande-s und um eine von Exemplarstreuungen der Durchlaßkennlinien der Thyristoren annähernd unabhängige konstante Leistungseinspeisung zu erhalten, werden für die Leerlaufspitzenspannung der Durchlaßstromquelle und für die in der Hauptstrecke liegenden Widerstände Größen vorgesehen, durch die der Durchlaßstrom im Streubereich der Durchlaßkennlinie des belasteten Thyristors an den Widerständen und an der Anoden-Eatoden-Strecke des gezündeten Thyristors je etwa den halben Spannungsabfall von der Leerlaufspitzenspannung der Durchlaß stromquelle erzeugt.
  • Weiterhin wird die Aufgabe dadurch gelöst, daß in einer Meßanordnung, bei der in der Steuerelektroden-llatoden-Strecke des Thyristors ein Zündgenerator angeordnet ist, parallel zu diesem eine Meßstromquelle und eine Spannungsmeßeinrichtung geschaltet sind. Die Anoden-Katoden-Strecke des Thyristors, an der die Belastungsstromquelle anliegt, ist in bekannter Weise in Reihe mit einem Vorwiderstand und dem Strompfad eines Beistungsmessers geschaltet und parallel zu dieser ist der Spannungspfad des Beistungsmessers angeordnet.
  • Mit dieser Meßanordnung ist es möglich, das Verfahren in einfacher Weise schnell und mit hoher Genauigkeit durchzuführen0 Der Widerstand zwischen Steuerelektrode und Katode RGK wird am gelöschten Thyristor durch Messen der Spannung zwischen Steuerelektrode und Katode UGK und die virtuelle Sperrschichttemperatur mit Hilfe der die Temperaturabhängigkeit dieses Widerstandes aufzeigenden Eichkurve ermittelt.
  • Die Genauigkeit der Bestimmung der virtuellen Sperrsohichttemperatur wird höher, wenn die Eichkurve verfahrensgemäß mit Hilfe der Meßstromquelle und der Meßeinrichtung der erfindungsgemäßen Meßanordnung aufgestellt wird. Für die Messung der Spannung zwischen Steuerelektrode und Katode UGK wird die Schaltung einfach und zuverlässig, wenn die Meßstromquelle eine mit dem Minuspol auf die Steuerelektrode des Thyristors geschaltete Gleichstromquelle ist.
  • Damit der Momentanwert der Spannung zwischen Steuerelektrode und Katode UgK in einem definierten Zeitpunkt gemessen werden kann, ist die Spannungsmeßeinrichtung entweder ein Spitzenspannungsmesser mit einer vorgeschalteten Torschaltung oder ein Oszillograf mit einer zu- und abschaltbaren Vergleichsspannungsquelle4 Die Meßanordnung soll anhand der Zeichnung durch zwei Schaltungsbeispiele näher erlåut.ert werden: Es zeigen Fig. 1 die Meßanordnung mit einem Spitzenspannungsmesser Fig. 2 die Meßanordnung mit einem Oszillografen als Spannungsmeßeinrichtung.
  • Nach Fig. 1 sind in Reihe mit der Anoden-Katoden-Strecke des Thyristors 1 die Sekundärwicklung des an einer Wechselstrosquelle liegenden Hochstromtransformators 2, der Vorwiderstand 3 und der Strompfad des Beistungsmessers 4 geschaltet, Parallel zur Anoden-Katoden-Strecke des Thyristors 1 ist der Spannungspfad des 1eistungsmessers 4 angeordnet.
  • Zum Erhalt einer von Exemplarstreuungen der Durchlaßkennlinien annähernd unabhängigen Leistung seinsp ei sung in die Anoden-Eatoden-Strecke des Thyristors 1 sind der Vorwiderstand 3, der Widerstand des Strompfades des Beistungsmessers 4 und die leerlaufspitzenspannung des Hochstromtransformators 2 von der Große, die beim Durchsohalten des Thyristors 1 etwa die halbe 1eerlaufspitzen° spannung des Hochstromtransformators 2 am Thyristor 1 und an den vorgenannten Widerständen abfallen lassen Im Zündgenerator 5 ist ein Zeitgeber angeordnet, der für eine Belastungszeit eingestellt ist, die gerade ausreicht, um stationäre thermische Verhältnisse im Thyristor 1 herzustellen.
  • In der Steuerelektroden-Katoden-Strecke des Thyristors 1 , ist der Zündgenerator 5 und parallel zum Zündgenerator 5 sind die Meßstromquelle 6 und der Spitzenspannungsmess er 7, dem die Torschaltung 8 vorgeschaltet ist, angeordnet, Die Meßanordnung nach Fig. 2 unterscheidet sich von der Meßanordnung nach Fig. 1 dadurch, daß für den Spitzenspannungsmesser 7 mit Torschaltung 8 parallel zum Zündgenerator 5 der Oszillograf 9 angeordnet ist, dessen Eingang mittels des netzsynchronen Umschalters 10 auf die Steuerelektrode des Thyristors 1 oder auf die Vergleichsspannungsquelle 11 geschaltet ist.
  • Zur Bestimmung des genauen Wertes der virtuellen Sperrschichttemperatur wird zuerst von dem zu messenden Thyristor 1 eine Eichkurve aufgenommen, die die Abhängigkeit des Widerstandes zwischen Steuerelektrode und Katode R GK und der Sperrschichttemperatur j' die beim Eichvorgang gleich der Gehäusetemperatur 9 c ist, aufgenommen. Dazu wird der Thyristor 1 im unbelasteten Zustand von außen aufgeheizt und die Messungen werden mithilfe der Meßstromquelle 6 und dem Spitzenspannungsmesser 7 oder dem Oszillografen 9 vorgenommen.
  • Danach wird der Thyristor in eine Meßfassung, die gut wärmeleitend ist, gebracht und elektrisch an die Meßschaltung angeschlossen.
  • Der Zündgenerator 5 wird für die Dauer einer Belastungszeit, die im Thyristor stationäre thermische Verhältnisse einstellt und die die Gehausetemperatur /o kaun erhöht, eingeschaltet0 In den periodisch kurzzeitig auftretenden Belastungspausen wird am Ende der Belastungszeit mit dem Spltzenspannungsmesser 7 oder dem Oszillografen 9 die Spannung zwischen Steuerelektrode und Katode UGK gemessen. Aus der Eichkurve wird dann die zu dieser Spannung gehörende virtuelle Sperrschiohttemperatur j ermittelt.
  • it Hilfe der außerdem gemessenen Durchlaßverlustleistung P kann nun nach der bekannten Gleichung der innere Wärmewiderstand berechnet werden.
  • Eine für die Thyristorfertigung produktive Verfahrensweise wird erreicht, wenn anstelle der Bestimmung des genauen Wertes für die virtuelle Sperrschichttemperatur nur eine Gut - Schlecht" Aussage, die für diesen Zweck völlig ausreichend ist, angewendet wird. Hierzu wird die Messung eines Punktes der Eichkurve bei einer bestimmten Temperatur vorgenommen und der Thyristor wird dann in der-Iaeßschaltung mit der iurchlaßverlustleistung beaufschlagt, die seine Sperrschicht, sofern der Thyristor den maximal zulässigen Wärmewiderstand aufweist, bis auf die zum Eichpunkt gehörige Temperatur aufheizt. Das heißt, es wird nur noch die Einhaltung des vorgegebenen Punktes der Eichkurve durch das nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzielte Meßergebnis kontrolliert und die Meßzeit ist den Erfordernissen einer Thyristorfertigung angepaßt.

Claims (8)

  1. Patentansprüche:
  2. 9 Verfahren zur Bestimmung der virtuellen Sperrschichttemperatur von Thyristoren, bei den eine temperaturabhängige elektrische Größe des Thyristors und eine Leistungseinspeisung in dessen Anoden-Katoden-Strecke sowi-e eine die Temperaturabhängigkeit der elektrischen Größe aufzeigende Eichkurve angewendet werden, dadurch g e k e n n z e i e h n e t , daß die elektrische Größe des Widerstandes zwischen Steuerelektrode und Katode (RGK) im gelöschten Zustand des Thyristors ermittelt wird, 2; Verfahren nach Anspruch 1, dadurch g e k e n n z e 1 c h n e t s daß der Widerstand zwis¢hen Mteuerelektrode und Katode (RGK) durch Einspeisen e-ines definierten Stromes von einer mit dem Minuspol an der Steuerelektrode und mit dem Pluspol an der Katode des Thyristors (1) anliegenden Gleichstromquelle, der am Widerstand zwischen Steuerelektrode und Katode CRGK) einen kleineren Spannungsabfall erzeugt, als die Größe der Durchbruchspannung des pn-8berganges zwischen Steuerelektrode und Katode, ermittelt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch g e k e n n z e i c hn e t , daß die teistungseinspeisung in den Belastungspausen der Durchlaßbelastung mit einem periodisch unterbrochenen Durchlaßstrom vorgenommen wird.
  4. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e -k e n n z e i c h n e t 2 daß die Beistungseinspeisung mit Größen für die Leerlaufspitzenspannung der Dur¢hlaßstromquelle und für die in der Hauptstrecke liegenden Widerstände vorgenommen wird, durch die der Durchlaßstrom im Streubereich der Durchlaßkennlinie des belasteten Thyristors an den Widerständen und an der Anoden-Katoden-Strecke des gezündeten Thyristors je etwa den halben Spannungsabfall von der Leerlaufspitzenspannung erzeugt.
  5. 5. Meßanordnung zur Durchführung des Verfahrens, in der die ßnoden-Eatoden-Strecke de Thyristors in Reihe mit einem Vorwiderstand und dem Strompfad eines Leistungsmessers und parallel zu dieser Strecke der Spannungspfad des Beistungsmessers und in die steuerelektroden-Katoden-Strecke ein Zündgenerator angeordnet sinds dadurch g e k e n n z e i c h -n e t , daß parallel zum Zündgenerator (5) eine MeBstromquelle (6) und eine Spannungsmeßeinrichtung (7; 9) geschaltet sind.
  6. 6. Meßanordnung nach Anspruch 5, dadurch g e k e n n z e i ¢ h -n e t s daß die Meßstromquelle (6) eine mit dem Minuspol auf die Steuerelektrode des Thyristors (1) geschaltete Gleichstromquelle ist.
  7. 7. Meßanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch g e k-e n n -z e i c h n e t , daß die Spannungsmeßeinrichtung ein Spitzenspannungsmesser (7) mit einer vorgeschalteten Torschaltung (8) ist.
  8. 8. Meßanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch g e k e n-n -z e i c h n e t , daß die Spannungsmeßeinrichtung ein Oszillograf (9) mit einer in Reihe zu- und ab schaltbaren Vergleichsspannungsquelle (11) ist.
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DE4324982A1 (de) * 1993-07-26 1995-02-02 Abb Management Ag Verfahren und Schaltungsanordnung zur Messung der Sperrschichttemperatur eines GTO-Thyristors

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4324982A1 (de) * 1993-07-26 1995-02-02 Abb Management Ag Verfahren und Schaltungsanordnung zur Messung der Sperrschichttemperatur eines GTO-Thyristors
US5473260A (en) * 1993-07-26 1995-12-05 Abb Management Ag Method and circuit arrangement for measuring the depletion layer temperature of a GTO thyristor

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