KR950004568A - 고체촬상소자의 제조방법 및 고체촬상장치 - Google Patents

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KR950004568A
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solid
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가즈히데 후지가와
에이지 고마쓰
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

타이밍제너레이터를 포함하는 구동계로서 종래품을 그대로 사용할 수 있고, 또한 정상용(正像用)과 경상용(鏡像用)에 공통된 것을 사용할 수 있도록 한 고체촬상소자의 제조방법을 제공한다.
CCD 고체촬상소자(20)를 제조할 때에, 그 제조공정의 도중에 있어서, 정상용 고체촬상소자의 제조시와 경상용 고체촬상소자의 제조시에, 수평전하전송부(6)의 비트단위의 4개의 전극간의 2상 구동에 대응한 접속 관계를 패드(161)∼(164) 사이의 배선패턴(19a)∼(19d)을 변경함으로써 변환시키는 동시에, 제1, 제 2 의 OPB 영역(4), (5)의 수평방향의 화소수도 그 차광막을 변경함으로써 변화시켜서, 정상출력과 경상출력을 동일 포맷의 신호로서 도출할 수 있도록 한다.

Description

고체촬상소자의 제조방법 및 구체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 관한 고체촬상장치의 일실시예를 나타낸 구성도. 제 2 도는 수평전하전송부의 단면구조도. 제 3 도는 각 전극을 동전위로 했을 때의 수평전하전송부의 포텐셜프로파일. 제 4 도는 출력회로부의 회로구성의 일예를 나타낸 회로도. 제 5 도는 2상의 수평전송클럭 Hø1, Hø2의 파형도, 제 6 도는 정상(正像)출력시의 H1∼H4 전극의 배선도. 제 7 도는 정상출력시의 전송작동을 설명하는 포텐셜도. 제 8 도는 경상(鏡像)출력시의 H1∼H4의 전극의 배선도. 제 9 도는 경상출력시의 전송동작을 설명하는 포텐셜도.

Claims (2)

  1. 수평방향의 화소수가 다른 제1 및 제 2 의 광학적 흑영역을 수평방향 양측에 가진 촬상부와, 비트단위로 4개의 전극을 가지며 또한 상기 촬상부로부터 전송된 신호전하를 2상 구동에 의해 수평전송하는 수평전하전송부와, 상기 수평전하전송부의 양단에 배설되어 수평전송된 신호전하를 검출하여 정상(正像)출력 및 경상(鏡像)출력으로서 도출하는 제1 및 제 2 의 전하검출부를 구비한 고체촬상소자의 제조방법으로서, 그 제조공정의 도중에 있어서, 정상용(正像用) 고체촬상소자의 제조시와 경상용(鏡像用) 고체촬상소자의 제조시에, 상기 4개의 전극간의 2상 구동에 대응한 접속관계를 변화시키는 동시에, 상기 제1 및 제 2 의 광학적 흑 영역의 수평방향의 화소수를 변화시키는 것을 특징으로 하는 고체촬상소장의 제조방법.
  2. 제 1 항에 기재의 제조방법에 의해 제조된 고체촬상소자를 사용한 고체촬상장치로서, 2단 이상의 소스플로어회로에 의해 구성되어 상기 정상출력 및 상기 경상출력을 각각 증폭하는 제1 및 제 2 의 출력회로부를 가지고, 상기 제1 및 제 2 의 출력회로부 사이에 있어서 2단째 이후의 소스플로어회로를 공용한 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017354A 1993-07-23 1994-07-19 고체촬상소자의 제조방법 및 고체촬상장치 KR950004568A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100407162B1 (ko) * 2000-12-27 2003-11-28 롯데제과주식회사 2중 엔로빙 초콜릿 제품의 제조방법
KR102345862B1 (ko) * 2021-03-18 2022-01-03 김현진 팝핑 성분을 포함하는 고체 구강청결용 조성물

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69512863T2 (de) * 1994-11-11 2000-04-20 Sanyo Electric Co Festkörper-Bildaufnahmevorrichtung und Ansteuerverfahren dafür
US6072204A (en) * 1997-06-23 2000-06-06 Scientific Imaging Technologies, Inc. Thinned CCD
US6100552A (en) * 1998-01-14 2000-08-08 Dalsa, Inc. Multi-tapped bi-directional CCD readout register
JP3967500B2 (ja) * 1999-09-08 2007-08-29 富士フイルム株式会社 固体撮像装置および信号読出し方法
JP3560240B2 (ja) * 2002-01-18 2004-09-02 ソニー株式会社 Ccd撮像素子
JP4837239B2 (ja) * 2003-01-20 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像素子

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1501016A (en) * 1974-03-29 1978-02-15 Sony Corp Television cameras
US3932775A (en) * 1974-07-25 1976-01-13 Rca Corporation Interlaced readout of charge stored in a charge coupled image sensing array
US4280141A (en) * 1978-09-22 1981-07-21 Mccann David H Time delay and integration detectors using charge transfer devices
JPH0754973B2 (ja) * 1985-01-14 1995-06-07 株式会社東芝 固体撮像素子の駆動方法
US4603426A (en) * 1985-04-04 1986-07-29 Rca Corporation Floating-diffusion charge sensing for buried-channel CCD using a doubled clocking voltage
US4814648A (en) * 1987-09-24 1989-03-21 Texas Instruments Incorporated Low 1/f noise amplifier for CCD imagers
JPH02164184A (ja) * 1988-12-19 1990-06-25 Toshiba Corp X線診断装置
JPH03108884A (ja) * 1989-09-21 1991-05-09 Sony Corp Ccd撮像装置
JP2604905B2 (ja) * 1990-11-29 1997-04-30 宇宙開発事業団 固体撮像装置
JPH05316438A (ja) * 1992-05-11 1993-11-26 Sony Corp 固体撮像装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100407162B1 (ko) * 2000-12-27 2003-11-28 롯데제과주식회사 2중 엔로빙 초콜릿 제품의 제조방법
KR102345862B1 (ko) * 2021-03-18 2022-01-03 김현진 팝핑 성분을 포함하는 고체 구강청결용 조성물
KR20220130566A (ko) * 2021-03-18 2022-09-27 김현진 팝핑 성분을 포함하는 구강청결용 조성물

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