KR950004554A - 초소형 모놀리식 가변 전기 소자 및 이를 포함하는 장치 - Google Patents

초소형 모놀리식 가변 전기 소자 및 이를 포함하는 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR950004554A
KR950004554A KR1019940018233A KR19940018233A KR950004554A KR 950004554 A KR950004554 A KR 950004554A KR 1019940018233 A KR1019940018233 A KR 1019940018233A KR 19940018233 A KR19940018233 A KR 19940018233A KR 950004554 A KR950004554 A KR 950004554A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capacitor
substrate
input signal
frequency
control electrode
Prior art date
Application number
KR1019940018233A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100344159B1 (ko
Inventor
엠. 카낙 브래들리
Original Assignee
윌리엄 이. 힐러
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 윌리엄 이. 힐러, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 윌리엄 이. 힐러
Publication of KR950004554A publication Critical patent/KR950004554A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100344159B1 publication Critical patent/KR100344159B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P9/00—Delay lines of the waveguide type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G5/00—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture
    • H01G5/16—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes
    • H01G5/18—Capacitors in which the capacitance is varied by mechanical means, e.g. by turning a shaft; Processes of their manufacture using variation of distance between electrodes due to change in inclination, e.g. by flexing, by spiral wrapping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/12—Auxiliary devices for switching or interrupting by mechanical chopper
    • H01P1/127—Strip line switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/18—Phase-shifters
    • H01P1/184—Strip line phase-shifters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/04—Coupling devices of the waveguide type with variable factor of coupling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/12—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage
    • H01H1/14—Contacts characterised by the manner in which co-operating contacts engage by abutting
    • H01H1/20—Bridging contacts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H01H2001/0042—Bistable switches, i.e. having two stable positions requiring only actuating energy for switching between them, e.g. with snap membrane or by permanent magnet
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H01H2001/0084—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS] with perpendicular movement of the movable contact relative to the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H01H2059/0018—Special provisions for avoiding charge trapping, e.g. insulation layer between actuating electrodes being permanently polarised by charge trapping so that actuating or release voltage is altered
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H59/00—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays
    • H01H59/0009—Electrostatic relays; Electro-adhesion relays making use of micromechanics
    • H01H2059/0036—Movable armature with higher resonant frequency for faster switching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H67/00—Electrically-operated selector switches
    • H01H67/22—Switches without multi-position wipers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

캐패시터(40a)와 같은 초소형 가변 전기 장치는 기판(43) 및 기판으로부터 분리되고 적절한 설비(42,44)에 의해 이동하기 위해 장착된 부재(145)를 포함하는 기본적인 DMD SLM(40′)를 포함한다. 제어 신호(102)는 가동 부재와 기판(43) 또는 연결된 제어 전극(43) 사이에 전계를 발생시키기 위해 가동 부재(145)에 인가된다. 전계는 이들 사이의 간격을 선택적으로 조정하기 위해 기판(43) 또는 연결된 출력 전극(46b)쪽으로 또는 그로부터 떨어지게 부재(145)를 이동시킨다. 전계는 기판(43)과 연결된 어드레싱 회로(45)에 의해 발생된다. 가동 부재(145) 및 기판(43) 또는 출력 전극(46b)는 캐패시터 플레이트로서 기능하고, 간격은 캐패시터의 캐패시턴스를 결정한다. 캐패시터(40a)는 가동 부재(145)에 인가되는 입력 신호(114)와 직렬(제 4 도) 또는 병렬(제 5 도)로 배치될 수 있다. 가동 부재(145), 기판(43), 제어 전극(46a), 출력 전극(46b), 어드레싱 회로(45) 및 캐패시터(40a)의 다른 소자들은 MOS, CMOS 또는 유사한 제조 기술의 사용으로부터 얻어진 모놀리식 구조로 구성된다. 다중 캐패시터는 어드레싱 회로(45)의 선택적 동작에 의한 디지탈 또는 아날로그 튜닝 또는 캐패시턴스 조정을 위해 전송 라인(제20도), 안테나(제22도), 커플러(제21도), 도파관(제25도) 및 다른 장치내에 포함될 수 있다.

Description

초소형 모놀리식 가변 전기 소자 및 이를 포함하는 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 원리에 따른 가변 전기 캐패시터의 일반화된 부분적인 측면도이고, 이 캐패시터는 탄성 중합체 형태의 DMD SLM으로 구성, 제 2 도는 본 발명의 원리에 따른 가변 전기 캐패시터의 2가지 형태의 일반화 된 부분적인 측면도이고, 이 캐패시터는 2개의 멤브레인 형태의 DMD SLM으로 구성, 제 3 도는 본 발명에 따라 가변 캐패시터로서 사용되어 단락(shunt) 또는 병렬 캐패시턴스로 동작하도록 전기적으로 접속된 DMD SLM의 개략적인 도면.

Claims (130)

  1. 입력 신호를 취하기 위한 초소형 모놀리식 가변 전기 캐패시터에 있어서, (i) 기판, (ii) 캐패시터의 각 플레이트가 부재와 기판이 되는 것으로서, 기판과 함께 모놀리식으로 형성되고 기판으로부터 분리된 도전성 부재, (iii) 저장된 에너지는 부재의 편향된 부분을 정상 위치로 복귀시키려는 것으로서, 기판을 향해 그리고 기판으로부터 떨어지게 부재의 일부를 편향시키도록 부재를 장착하고 기판의 부분이 정상 위치로 부터 편향할 때 에너지를 저장하기 위한 수단, (iv) 기판 및 부재와 모놀리식으로 형성되는 제어 전극, 이 전극은 정상 위치에서 부재의 일부의 편향 방향을 따라 부재로부터 분리되며, 제어 전극과 부재는 캐패시터의 캐패시턴스를 변화시키도록 정상 위치로부터 부재의 일부를 편향시키기 위한 필요를 그들 사이에 발생시키기에 충분한 제어 신호를 그들 사이에 제공할 수 있으며, (v) 입력 신호를 캐패시터에 인가하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  2. 제 1 항에 있어서, 장착 수단은 부재를 중심에 지지하는 적응가능한 설비를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  3. 제 2 항에 있어서, 적응가능한 설비는 멤브레인인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  4. 제 3 항에 있어서, 멤브레인은 탄성 중합체인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  5. 제 3 항에 있어서, 멤브레인은 도전성 금속인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  6. 제 1 항에 있어서, 장착 수단은 부재 및 입력 신호 인가 수단과 일체로 형성된 적응가능한 설비를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  7. 제 6 항에 있어서, 부재의 일부 편향이 부재에 관련하여 비대칭인 축에 대한 부재의 회전을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  8. 제 6 항에 있어서, 부재의 일부 편향이 부재에 관련하여 대칭인 축에 대한 부재의 회전을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  9. 제 6 항에 있어서, 부재의 일부 편향이 축에 대한 부재의 회전을 포함하고, 필드가 제어 전극 및 부재의 일부에 의해 경계 지워지고, 부재의 일부는 축으로부터 분리된 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  10. 제 9 항에 있어서, 축이 부재에 관련하여 대칭인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  11. 제 9 항에 있어서, 축이 부재에 관련하여 비대칭인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  12. 제 6 항에 있어서, 적응가능한 설비가 비틀림 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  13. 제 6 항에 있어서, 적응가능한 설비가 캔틸레버 스프링을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  14. 제 6 항에 있어서, 적응가능한 설비가 멤브레인을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  15. 제14항에 있어서, 멤브레인의 일부가 부재의 일부를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  16. 제15항에 있어서, 부재는 그 일부가 기판 쪽으로 그리고 기판으로부터 멀리 편향될 때 피스톤형 방식으로 움직이는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  17. 제16항에 있어서, 부재와 멤브레인은 일체로 되어 있고, 멤브레인은 높은 컴플라이언스를 가지고, 부재는 낮는 컴플라이언스를 가지는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  18. 제17항에 있어서, 부재는 멤브레인보다 작으며 멤브레인에 대하여 일반적으로 중심으로 배치되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  19. 제 6 항에 있어서, 적응가능한 설비가 복수의 캔틸레버-비틀림 스프링으로 이루어진 만곡 시스템을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  20. 제19항에 있어서, 부재는 그 일부가 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 멀리 떨어져 편향될 때 피스톤형 방식으로 움직이는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  21. 제 6 항에 있어서, 적응가능한 설비는 부재의 일부가 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 떨어져 편향될 때 피스톤형 방식으로 부재를 움직이게 하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  22. 제 6 항에 있어서, 장착 수단은 기판상에 있고 기판, 부재 및 제어 전극과 모놀리식으로 형성되고, 적응가능한 설비를 지지하는 절연 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  23. 제22항에 있어서, 절연 스페이서는 벽의 경계부를 정하며, 부재의 일부가 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 떨어져 편향될 때 부재의 일부가 벽의 경계부 내외로 이동하게 되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  24. 제23항에 있어서, 스페이서가 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  25. 제 6 항에 있어서, 장착 수단은 기판상에 있고 기판, 부재 및 제어 전극과 모놀리식으로 형성되고 적응가능한 설비를 지지하는 전기 도전성 포스트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  26. 제25항에 있어서, 포스트는 벽의 경계부를 정하며 부재의 일부가 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 떨어져 편향될 때 부재의 일부가 내외로 이동하게 되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  27. 제26항에 있어서, 부재와 적응가능한 설비는 전기적 도전성이고, 포스트는 적응가능한 설비를 통해 부재와 전기적으로 연속이며, 포스트는 기판으로부터 전기적으로 절연된 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  28. 제 1 항에 있어서, 제어 전극은 기판의 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  29. 제28항에 있어서, 기판 영역과 부재 사이에 제어 신호를 인가하기 위한 수단을 더 포함하고, 입력 신호 제어 수단을 입력 신호가 부재의 일부를 통해 통과하도록 부재와 둘다 전기적으로 연속인 도전성 입력 경로 및 도전성 출력 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  30. 제29항에 있어서, 제어 신호 인가 수단은 기판 영역, 및 부재와 전기적으로 연속인 도전성 경로중의 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  31. 제30항에 있어서, 기판 영역은 접지되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  32. 제31항에 있어서, 입력 신호는 시변(time-varying)이고, 제어 신호의 주파수는 입력 신호의 주파수보다 실질적으로 적은 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  33. 제32항에 있어서, 제어 신호는 시불변(non-time-varying)인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  34. 제33항에 있어서, 입력 신호의 주파수는 부재의 일부가 입력 신호에 응답하여 편향하지 않도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 높은 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  35. 제32항에의 캐패시터를 포함하고, 입력 신호의 주파수는 부재의 일부가 입력 신호에 응답하여 편향되지 않도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 높고, 제어 신호의 주파수는 부재의 일부가 이와 동기하여 실질적으로 편향하도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 낮은 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  36. 제30항에 있어서, 입력 신호와 제어 신호는 중첩되는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  37. 제 1 항에 있어서, 기판상에 제어 전극을 지지하며 제어 전극을 기판으로부터 절연시키기 위해 기판상에 있는 전기적 절연 유전 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  38. 제37항에 있어서, 제어 전극과 부재 사이에 제어 신호를 인가하기 위한 수단을 더 포함하고, 입력 신호 인가 수단은 부재와 전기적으로 연속인 도전성 입력 경로 및 부재의 일부 편향 방향을 따라 부재로부터 분리된 도전성 출력 경로를 포함하고, 경로의 출력은 입력 신호가 캐패시터의 한 플레이트로서 작용하는 부재의 부분에 의해 캐패시터의 다른 플레이트로서 작용하는 출력 경로에 인가되도록 기판상에 지지되고 기판으로부터 절연된 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  39. 제38항에 있어서, 제어 신호 인가 수단은 제어 전극, 및 도전성 입력 경로를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  40. 제39항에 있어서, 입력 신호는 시변이고, 제어 신호의 주파수는 입력 신호의 주파수보다 실질적으로 작은 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  41. 제40항에 있어서, 제어 신호는 실질적으로 시불변인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  42. 제41항에 있어서, 입력 신호의 주파수는 부재의 일부가 이에 응답하여 편향하지 않도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 높은 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  43. 제40항의 캐패시터를 포함하고, 입력 신호의 주파수는 부재의 일부가 이에 응답하여 편향하지 않도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 높고, 제어 신호의 주파수는 부재의 일부가 이와 동기하여 실질적으로 편향하도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 낮은 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  44. 제38항에 있어서, 입력 신호와 제어 신호는 중첩되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  45. 제 1 항에 있어서, 기판은 반도체, 세라믹, 알루미나, 다이아몬드 및 수정으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  46. 제37항에 있어서, 기판은 반도체이고, 유전층은 절연 산화물, 절연 질화물 및 중합체로 이루어진 그룹으로부터 선택된 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  47. 제46항에 있어서, 반도체는 실리콘 또는 갈륨 비소이고 절연 산화물은 실리콘 산화물이며, 절연 질화물은 실리콘 질화물이고, 중합체는 에폭시 또는 아크릴레이트인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  48. 제46항에 있어서, 출력 경로는 기판상에 지지되고 유전층에 의해 기판으로부터 절연된 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  49. 제 1 항에 있어서, 기판의 일부가 기판쪽으로 이동할 때 부재가 제어 전극과 접촉하는 것을 방지하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  50. 제 1 항에 있어서, 부재는 일반적으로 평면이고, 장치 수단은 거의 부재 전체의 동일 평면 병진 운동을 위해 장착하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  51. 제50항에 있어서, 한 부분은 장착 수단의 일부를 포함하고 다른 부분은 부재의 일부를 포함하는 멤브레인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  52. 제50항에 있어서, 부재는 실질적으로 견고한 평면이고, 장착 수단은 복수의 캔틸레버-비틀림 스프링으로 이루어진 만곡 시스템인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  53. 제 1 항에 있어서, 부재는 일반적으로 플래너이고, 장착 수단은 부재의 중심으로부터 떨어진 축에 대한 일반적인 회전 운동을 위한 부재를 장착하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  54. 제53항에 있어서, 장착 수단은 비틀림 스프링인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  55. 제53항에 있어서, 장착 수단은 캔틸레버 스프링인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  56. 제 1 항의 캐패시터를 포함하고, 입력 신호 인가 수단은 기판을 접지하기 위한 수단, 및 노드상의 접지에 대한 전압이 부재에 인가되도록 회로의 노드에 부재를 접속하기 위한 수단을 포함하여, 캐패시터가 노드와 병렬이 되는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
  57. 제 1 항의 캐패시터를 포함하고, 입력 신호 인가 수단은 제 1 노드로의 전류가 부재에 인가되도록 회로의 제 1 노드에 부재를 접속하기 위한 수단, 및 제 2 노드로부터의 전류가 기판으로부터 흐르도록 기판을 제 2 노드에 접속하기 위한 수단을 포함하며, 캐패시터가 노드들과 직렬로 되는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
  58. 제 1항의 캐패시터를 포함하고, 캐패시터 영향 입력 신호에 독립하여 제어 신호를 제어 전극에 인가하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
  59. 제 1 항의 캐패시터를 포함하고, 캐패시터 영향 입력 신호로부터 유도된 제어 신호를 제어 전극에 인가하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 회로.
  60. 제 1 항에 있어서, 적응가능한 설비의 선택된 특징을 선택된 제어 신호가 제어 전극에 인가됨에 의해 영향을 받는 부재의 일부 이동과 캐패시터의 캐패시턴스가 조정될 수 있도록 변경가능한 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  61. 제60항에 있어서, 적응가능한 설비의 특성 변경이 적응가능한 설비 일부의 선택적인 제어에 의해 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  62. 제61항에 있어서, 선택 재료 제거가 적응가능한 설비에 집중된 방사 에너지의 선택적인 인가에 의해 달성될 수 있는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  63. 제 1 항에 있어서, 제어 전극이 기판의 섹션인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  64. 제 1 항에 있어서, 제어 전극은 기판상에 형성된 도전성 영역인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  65. 제64항에 있어서, 도전성 전극은 기판으로부터 절연된 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  66. 임피던스를 변화시키기 위해 제 1 항에 따른 하나 또는 2 이상의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전송 라인.
  67. 제 66항에 있어서, 가변 임피던스, 마이크로스트립 형인 것을 특징으로 하는 전송 라인.
  68. 임피던스를 변화시키기 위해 제 1 항에 따른 하나 또는 그 이상의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 임피던스 정합 회로망.
  69. 임피던스를 변화시키기 위해 제 1항에 따른 하나 또는 그 이상의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 필터 회로망.
  70. 임피던스와 주파수 특성을 변화시키기 위해 제 1항에 따른 하나 또는 그 이상의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 안테나.
  71. 제70항에 있어서, 부재가 안테나의 방식 또는 수신 표면의 소자인 것을 특징으로 하는 안테나.
  72. 제71항에 있어서, 패치형인 것을 특징으로 하는 안테나.
  73. 제71항에 있어서, 나선형인 것을 특징으로 하는 안테나.
  74. 제71항에 있어서, 슬롯형인 것을 특징으로 하는 안테나.
  75. 임피던스를 변화시키기 위해 제 1 항에 따른 하나 또는 그 이상의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 커플러.
  76. 제75항에 있어서, 대칭형인 것을 특징으로 하는 커플러.
  77. 제75항에 있어서, 비대칭형인 것을 특징으로 하는 커플러.
  78. 제75항에 있어서, 레트 레이스 형인 것을 특징으로 하는 커플러.
  79. 임피던스를 변화시키기 위해 제 1 항에 따른 하나 또는 그 이상의 캐패시터를 포함하는 최소한 하나의 표면을 갖는 것을 특징으로 하는 도파관.
  80. 임피던스를 변화시키기 위해 제 1 항에 따른 하나 또는 2 이상의 캐패시터를 포함하는 것을 특징으로 하는 FIN라인.
  81. 제 1 항에 있어서, 부재의 정상 위치는 기판으로부터 떨어져 있고, 부재가 편향될 때 부재는 기판에 인접해지는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  82. 제 1 항에 있어서, 부재의 정상 위치는 기판쪽이고,부재가 편향될 때 부재는 기판으로부터 떨어지는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  83. 입력 신호를 취하기 위한 초소형 모놀리식 가변 전기 캐패시터에 있어서, (i) 기판, (ii) 기판의 영역과 부재의 부분은 캐패시터의 각 플레이트로서 작용하는 것으로서 기판과 함께 모놀리식으로 형성되고 기판으로부터 분리된 부재, (ii) 저장된 에너지는 부재의 편향된 부분을 정상 위치로 복귀시키는 것으로서, 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 떨어져 부재의 부분을 편향시키도록 부재를 장착하고, 부재의 일부가 정상위치에서 외부로 편향될 때 에너지를 저장하기 위한 수단, (iv) 캐패시터의 캐패시턴스를 변화시키기 위해 부재의 일부를 그것의 정상 위치에서 외부로 선택적으로 편향시키기 위한 수단, 및 (v) 입력 신호를 캐패시터에 인가하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  84. 제83항에 있어서, 선택적 편향 수단이 부재의 일부에 의해 부분적으로 경계지워진 전계를 발생시키기 위한 수단을 포함하며, 이 전계는 그 크기에 비례하는 양만큼 기판에 대해 부재의 부분을 편향시키는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  85. 제84항에 있어서, 전계는 부재의 부분이 이와 동기하여 실질적으로 편향하도록 하는 주파수를 갖는 전압에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  86. 제85항에 있어서, 전압은 시불변인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  87. 제84항에 있어서, 전계 발생 수단에 의해 발생된 편향 전계가 기판의 영역에 의해 부분적으로 경계 지워지는 것을 특징으로 하는 개패시터.
  88. 제87항에 있어서, 편향 전계는 부재의 일부가 이와 동기하여 실질적으로 편향하도록 하는 주파수를 갖는 전압에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  89. 제88항에 있어서, 전압은 실질적으로 시불변인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  90. 제89항에 있어서, 편향 전압은 기판과 부재 사이에 인가되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  91. 제90항에 있어서, 입력 신호는 부재의 일부가 이에 응답하여 편향하지 못하도록 부재의 공진 주파수에 대해 충분히 높은 주파수를 갖는 전압인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  92. 제91항에 있어서, 입력 전압은 편향 전압에 중첩되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  93. 제92항에 있어서, 전계 발생 수단이 기판 영역과 연결되고, 부재의 부분을 그 크기에 의해 결정되는 양만큼 편향시키는 전계를 부분적으로 경계짓는 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  94. 제93항에 있어서, 전계는 제어 전극에 인가되고 부재의 일부가 이와 동기하여 실질적으로 편향하도록 하는 주파수를 갖는 전압에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  95. 제94항에 있어서, 편향 전압은 실질적으로 시불변인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  96. 제95항에 있어서, 편향 전압은 제어 전극과 부재 사이에 인가되고 입력 전압은 부재에 인가되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  97. 제96항에 있어서, 제어 전극과 장착 수단은 기판 및 부재와 함께 모놀리식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  98. 제97항에 있어서, 장착 수단은 부재가 위에 위치하는 변형가능한 멤브레인, 및 멤브레인이 부착되는 기판상에 있는 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  99. 제98항에 있어서, 부재는 멤브레인 상에 위치하는 낮은 컴플라이언스의 일반적으로 견고한 소자를 포함하고, 멤브레인의 부분들은 높은 컴플라이언스를 갖는 부재를 둘러싸는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  100. 제99항에 있어서, 부재와 멤브레인은 전기적으로 도전성이며 일체로 되어 있고, 부재는 멤브레인 보다 실질적으로 두꺼운 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  101. 제100항에 있어서, 지지부는 기판상의 도전성 포스트이고 기판으로부터 절연되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  102. 제100항에 있어서, 지지부는 기판상에 있는 절연성 스페이서인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  103. 제83항에 기술된 것과 같은 형태이고, 선택적 편향 수단은 시간에 따라 부재의 부분을 편향시키고, 이러한 편향의 주파수는 입력 신호의 주파수에 독립된 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  104. 제103항에 있어서, 편향 주파수는 입력 신호의 주파수보다 적은 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  105. 제83항에 기술된 것과 같은 형태이고, 선택적 편향 수단은 시간에 따라 부재의 부분을 편향시키고, 이러한 편향의 주파수는 입력 신호의 주파수와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 비선형 캐패시터.
  106. 제105항에 있어서, 선택적 편향 수단은 입력 신호 인가 수단인 것을 특징으로 하는 비선형 캐패시터.
  107. 입력 신호를 취하기 위한 초소형 모놀리식 가변 전기 캐패시터에 있어서, (i) 기판, (ii) 기판과 함께 모놀리식으로 형성되고 기판으로 부터 분리된 초소형 재, (iii) 전기적 전도 영역과 부재의 일부는 평행 플레이트 캐패시터의 각각의 플레이트로서 작용하는 것으로서, 부재의 일부와 분리되어 있는 전기적 도전성 영역, (iv) 저장된 에너지는 부재의 편향된 부분을 정상 위치로 복귀시키는 것으로서, 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 떨어져 부재의 부분을 편향시키도록 부재를 장착하고 부재의 일부가 정상 위치에서 전기적 전도 영역쪽으로 편향할 때 에너지를 저장하기 위한 수단, (v)캐패시터의 캐패시턴스를 변환시키기 위해 부재의 일부를 그 정상 위치에서 영역쪽으로 선택적으로 편향시키기 위한 수단, 및 (vi) 입력 신호를 캐패시터에 인가하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  108. 제103항에 있어서, 편향 수단은 부재를 정상 위치에서 외부로 편향시키는 전계를 발생시키기 위한 전계 발생 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 케패시터.
  109. 제103항에 있어서, 전계 발생 수단은 부재의 일부를 그 크기에 비례하는 양만큼 기판쪽으로 편향시키는 전계를 부분적으로 경계짓는 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  110. 제105항에 있어서, 전계는 제어 전극에 인가되고 부재의 일부가 이와 동기하여 실질적으로 편향하도록 하는 주파수를 갖는 전압에 의해 발생되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  111. 제106항에 있어서, 편향 전압은 실질적으로 시불변인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  112. 제107항에 있어서, 편향 전압은 제어 전극과 부재 사이에 인가되고 입력 전압은 전기적 전도 영역과 부재 사이에 인가되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  113. 제108항에 있어서, 제어 전극과 전기적 전도 영역은 실질적으로 동일 평면인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  114. 제109항에 있어서, 제어 전극과 영역은 기판상에 형성되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  115. 제110항에 있어서, 제어 전극과 전기적 전도 영역은 모두 부재의 일부가 편향할 때 부재의 일부와 일반적으로 정렬되는 각각의 인터디지테이트드 세크멘트를 포함하는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  116. 제111항에 있어서, 세그멘트들도 서로 절연되어 있으며, 기판으로부터 절연되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  117. 제어 신호에 응답하여 입력 신호를 취하기 위한 초소형 모놀리식 장치에 있어서, 기판, 제 1 정상 위치에서 제 1 모드의 입력 신호를 취하고 제 1 위치에 있진 않을 때 제 2 모드의 입력 신호를 취하는 가동 부재, 저장된 에너지는 제 1 위치 쪽으로 부재를 바이어싱 하는 것으로서, 기판쪽으로 그리고 기판으로부터 부재를 이동시키기 위해 기판으로부터 분리된 위치에 부재를 장착하고 부재가 제 1 위치에서 외부로 이동할 때 에너지를 저장하기 위한 수단, 입력 신호를 장치에 인가하기 위한 수단, 제어 신호를 부재에 선택적으로 인가하기 위한 수단, 및 부재가 입력 신호를 취하는 모드를 선택적으로 변경하기 위해 부재를 정상 위치에서 외부로 선택적으로 이동시키기 위해 제어 신호에 응답하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  118. 제117항에 있어서, 부재는 전기적으로 도전성이고, 이 부재에 제어 신호가 인가되면 부재를 기판에 대한 제 1 위치에서 외부로 이동시키는 작용을 하는 정전계가 발생되는 것을 특징으로 하는 장치.
  119. 제118항에 따른 장치를 포함하고, 부재는 캐패시터의 한 플레이트이고, 정전계에 의한 부재의 이동은 캐패시터의 캐패시턴스를 변경하며, 입력 신호와 제어 신호는 둘다 부재에 인가되는 것을 특징으로 하는 가변 전기 캐패시터.
  120. 제119항에 있어서, 입력 신호에 의해 취해진 경로는 변경 가능한 캐패시턴스 캐패시터와 병렬로 되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  121. 제119항에 있어서, 입력 신호에 의해 취해진 경로는 변경 가능한 캐패시턴스의 캐패시터와 직렬로 되는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  122. 제118항에 있어서, 정전계는 부재를 기판쪽으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  123. 제117항에 따른 장치를 포함하고, 가동 부재는 제 1 위치에서 도파관의 내부 표면의 동일 평면 부분을 형성하고, 제 1 위치 외부로의 부재의 이동은 부재의 이동선에 일반적으로 평행인 선을 따르는 도파관의 단면적을 효과적으로 감소시키기 위해 벽으로부터 떨어진 것을 특징으로 하는 도파관.
  124. 제118항에 다른 장치를 포함하고, 부재는 캐패시터의 한 플레이트이고, 부재의 이동은 캐패시터의 캐패시턴스를 변경시키는 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  125. 제124항에 있어서, 캐패시터는 입력 신호에 병렬인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  126. 제124항에 있어서, 캐패시터는 입력 신호에 직렬인 것을 특징으로 하는 캐패시터.
  127. 시변 입력 신호에 사용하기 위한 118항에 기술된 것과 같은 형태이고, 선택적 이동 수단이 부재를 시간에 따라 이동시키고, 이러한 이동의 주파수는 입력 신호의 주파수와 독립인 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  128. 제127항에 있어서, 이동의 주파수는 입력 신호의 주파수보다 작은 것을 특징으로 하는 가변 캐패시터.
  129. 시변 입력 신호에 사용하기 위한 제118항에 기술된 것과 같은 형태이고, 선택적 이동 수단이 부재를 시간에 따라 이동시키고, 이러한 이동의 주파수는 입력 신호의 주파수와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 비선형 캐패시터.
  130. 제129항에 있어서, 선택적 이동 수단이 입력 신호 인가 수단인 것을 특징으로 하는 비선형 캐패시터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940018233A 1993-07-27 1994-07-27 초소형모놀리식가변전기소자및이를포함하는장치 KR100344159B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/097,824 US5526172A (en) 1993-07-27 1993-07-27 Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
US08/097.824 1993-07-27
US8/097.824 1993-07-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950004554A true KR950004554A (ko) 1995-02-18
KR100344159B1 KR100344159B1 (ko) 2002-10-25

Family

ID=22265309

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940018233A KR100344159B1 (ko) 1993-07-27 1994-07-27 초소형모놀리식가변전기소자및이를포함하는장치

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5526172A (ko)
EP (1) EP0637042B1 (ko)
JP (1) JPH0821967A (ko)
KR (1) KR100344159B1 (ko)
CN (1) CN1115067A (ko)
CA (1) CA2128769A1 (ko)
DE (1) DE69433173T2 (ko)
TW (1) TW266327B (ko)

Families Citing this family (312)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5729074A (en) * 1994-03-24 1998-03-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Micro mechanical component and production process thereof
US7297471B1 (en) * 2003-04-15 2007-11-20 Idc, Llc Method for manufacturing an array of interferometric modulators
US8014059B2 (en) 1994-05-05 2011-09-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for charge control in a MEMS device
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6680792B2 (en) 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7460291B2 (en) * 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7800809B2 (en) 1994-05-05 2010-09-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7852545B2 (en) * 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US8081369B2 (en) * 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7776631B2 (en) 1994-05-05 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and method of forming a MEMS device
US7839556B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US5737302A (en) * 1994-11-10 1998-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Galvanomirror and optical disk drive using the same
US5901031A (en) * 1995-02-01 1999-05-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Variable capacitor
US7898722B2 (en) 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US6969635B2 (en) 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
JP3106389B2 (ja) * 1995-08-18 2000-11-06 株式会社村田製作所 可変容量コンデンサ
US5696662A (en) * 1995-08-21 1997-12-09 Honeywell Inc. Electrostatically operated micromechanical capacitor
US5659418A (en) * 1996-02-05 1997-08-19 Lucent Technologies Inc. Structure for membrane damping in a micromechanical modulator
US5646772A (en) * 1996-05-10 1997-07-08 Lucent Technologies Inc. Methods and apparatus for a multi-electrode micromechanical optical modulator
CN1082237C (zh) * 1996-08-27 2002-04-03 欧姆龙株式会社 微型继电器及其制造方法
US5889541A (en) * 1996-10-09 1999-03-30 Xerox Corporation Two-dimensional print cell array apparatus and method for delivery of toner for printing images
US7929197B2 (en) * 1996-11-05 2011-04-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US7471444B2 (en) 1996-12-19 2008-12-30 Idc, Llc Interferometric modulation of radiation
US6116738A (en) * 1997-01-06 2000-09-12 Vismed, Inc. Corneal topographer with central and peripheral measurement capability
WO1998045746A1 (en) * 1997-04-10 1998-10-15 Song Micro Technology Ltd. An electromagnetic wave modulator
EP0887879A1 (en) * 1997-06-23 1998-12-30 Nec Corporation Phased-array antenna apparatus
US5774254A (en) * 1997-06-26 1998-06-30 Xerox Corporation Fault tolerant light modulator display system
US5790297A (en) * 1997-06-26 1998-08-04 Xerox Corporation Optical row displacement for a fault tolerant projective display
US6127908A (en) * 1997-11-17 2000-10-03 Massachusetts Institute Of Technology Microelectro-mechanical system actuator device and reconfigurable circuits utilizing same
KR100263891B1 (ko) * 1997-12-31 2000-08-16 윤종용 가동미러장치
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
ATE227882T1 (de) * 1998-06-04 2002-11-15 Cavendish Kinetics Ltd Mikro-mechanischer elementen
US6242989B1 (en) * 1998-09-12 2001-06-05 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a multi-port variable capacitor
CN1242560C (zh) 1998-09-25 2006-02-15 西门子公司 可编程的移动无线终端机
WO2000077804A1 (de) * 1999-06-10 2000-12-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrostatisch durchstimmbare mikromechanische kapazität mit grosser kapazitätsvariation
US6317013B1 (en) * 1999-08-16 2001-11-13 K & L Microwave Incorporated Delay line filter
US6741449B1 (en) * 1999-08-18 2004-05-25 Bridgewave Communications, Inc. Direct digitally tunable microwave oscillators and filters
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6307663B1 (en) * 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
US6355534B1 (en) * 2000-01-26 2002-03-12 Intel Corporation Variable tunable range MEMS capacitor
FI20000339A (fi) 2000-02-16 2001-08-16 Nokia Mobile Phones Ltd Mikromekaaninen säädettävä kondensaattori ja integroitu säädettävä resonaattori
US6396677B1 (en) * 2000-05-17 2002-05-28 Xerox Corporation Photolithographically-patterned variable capacitor structures and method of making
US7420659B1 (en) * 2000-06-02 2008-09-02 Honeywell Interantional Inc. Flow control system of a cartridge
US7167297B2 (en) * 2000-08-30 2007-01-23 Reflectivity, Inc Micromirror array
US6448604B1 (en) * 2000-09-12 2002-09-10 Robert Bosch Gmbh Integrated adjustable capacitor
US6756866B1 (en) * 2000-09-29 2004-06-29 Innovative Technology Licensing, Llc Phase shifting waveguide with alterable impedance walls and module utilizing the waveguides for beam phase shifting and steering
US6762661B1 (en) * 2000-09-29 2004-07-13 Rockwell Scientific Licensing, Llc Shutter switch for millimeter wave beams and method for switching
US6962771B1 (en) * 2000-10-13 2005-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual damascene process
FR2816934B1 (fr) * 2000-11-20 2003-01-24 Memscap Microcomposant incluant un composant capacitif
US6418006B1 (en) 2000-12-20 2002-07-09 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Wide tuning range variable MEMs capacitor
US6593672B2 (en) * 2000-12-22 2003-07-15 Intel Corporation MEMS-switched stepped variable capacitor and method of making same
JP4576058B2 (ja) * 2001-01-31 2010-11-04 オリンパス株式会社 変位検出機能を備えた可変形状鏡
WO2002073671A1 (en) * 2001-03-13 2002-09-19 Rochester Institute Of Technology A micro-electro-mechanical varactor and a method of making and using
WO2002073673A1 (en) * 2001-03-13 2002-09-19 Rochester Institute Of Technology A micro-electro-mechanical switch and a method of using and making thereof
FI20010917A (fi) * 2001-05-03 2002-11-04 Nokia Corp Sähköisesti uudelleen konfigurotuvia optisia laitteita ja menetelmä niiden muodostamiseksi
AU2002303933A1 (en) 2001-05-31 2002-12-09 Rochester Institute Of Technology Fluidic valves, agitators, and pumps and methods thereof
US6707355B1 (en) 2001-06-29 2004-03-16 Teravicta Technologies, Inc. Gradually-actuating micromechanical device
US6646215B1 (en) 2001-06-29 2003-11-11 Teravicin Technologies, Inc. Device adapted to pull a cantilever away from a contact structure
US7023606B2 (en) * 2001-08-03 2006-04-04 Reflectivity, Inc Micromirror array for projection TV
WO2003017653A2 (en) * 2001-08-17 2003-02-27 Cae Inc. Video projector and optical light valve therefor
JP2003087007A (ja) * 2001-09-13 2003-03-20 Sony Corp 高周波モジュール基板装置
US6787438B1 (en) * 2001-10-16 2004-09-07 Teravieta Technologies, Inc. Device having one or more contact structures interposed between a pair of electrodes
US20030075992A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Kouns Heath Elliot Utilizing feedback for control of switch actuators
US7211923B2 (en) * 2001-10-26 2007-05-01 Nth Tech Corporation Rotational motion based, electrostatic power source and methods thereof
US7378775B2 (en) 2001-10-26 2008-05-27 Nth Tech Corporation Motion based, electrostatic power source and methods thereof
JP3968232B2 (ja) * 2001-11-07 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
KR100982535B1 (ko) * 2002-02-26 2010-09-16 유니-픽셀 디스플레이스, 인코포레이티드 가시 및 비-가시 필드 순차 컬러
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US6785033B2 (en) * 2002-03-01 2004-08-31 Agere Systems Inc. Optical attenuating device and method of manufacture therefor
SE0200787D0 (sv) * 2002-03-15 2002-03-15 Micronic Laser Systems Ab Improved addressing method
US7781850B2 (en) 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
JP3805736B2 (ja) * 2002-10-10 2006-08-09 日本オプネクスト株式会社 伝送線路及びこれを用いた光モジュール
EP2096703B1 (en) 2002-12-13 2016-05-04 Wispry, Inc. Varactor apparatuses and methods
JP2004198626A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Olympus Corp 可変形状鏡システム及び反射面形状制御方法
US7187484B2 (en) * 2002-12-30 2007-03-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror device with simplified drive electronics for use as temporal light modulator
US7042622B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-09 Reflectivity, Inc Micromirror and post arrangements on substrates
FR2851368B1 (fr) * 2003-02-18 2008-03-07 Agence Spatiale Europeenne Composants electroniques comportant des condensateurs micro electromecaniques a capacite ajustable
US6930817B2 (en) * 2003-04-25 2005-08-16 Palo Alto Research Center Incorporated Configurable grating based on surface relief pattern for use as a variable optical attenuator
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7212359B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Texas Instruments Incorporated Color rendering of illumination light in display systems
US7131762B2 (en) * 2003-07-25 2006-11-07 Texas Instruments Incorporated Color rendering of illumination light in display systems
US7287328B2 (en) 2003-08-29 2007-10-30 Rochester Institute Of Technology Methods for distributed electrode injection
US7217582B2 (en) 2003-08-29 2007-05-15 Rochester Institute Of Technology Method for non-damaging charge injection and a system thereof
WO2005027257A1 (ja) * 2003-09-08 2005-03-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. 可変容量素子
JP4303545B2 (ja) * 2003-09-09 2009-07-29 富士通株式会社 可動エレメント装置
TW593126B (en) * 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US20070009899A1 (en) * 2003-10-02 2007-01-11 Mounts William M Nucleic acid arrays for detecting gene expression in animal models of inflammatory diseases
US6888521B1 (en) * 2003-10-30 2005-05-03 Reflectivity, Inc Integrated driver for use in display systems having micromirrors
US7161728B2 (en) 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7142346B2 (en) 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US8581308B2 (en) 2004-02-19 2013-11-12 Rochester Institute Of Technology High temperature embedded charge devices and methods thereof
US7706050B2 (en) 2004-03-05 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated modulator illumination
US7350292B2 (en) * 2004-03-19 2008-04-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method for affecting impedance of an electrical apparatus
CN1930892B (zh) * 2004-03-19 2012-04-18 汤姆森特许公司 视频处理器对准箝位弹簧
US7309842B1 (en) * 2004-03-19 2007-12-18 Verionix Incorporated Shielded monolithic microplasma source for prevention of continuous thin film formation
US7720148B2 (en) * 2004-03-26 2010-05-18 The Hong Kong University Of Science And Technology Efficient multi-frame motion estimation for video compression
US7060895B2 (en) * 2004-05-04 2006-06-13 Idc, Llc Modifying the electro-mechanical behavior of devices
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7164520B2 (en) 2004-05-12 2007-01-16 Idc, Llc Packaging for an interferometric modulator
JP2005340536A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
DE102004026019A1 (de) * 2004-05-27 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Programmierbare Reflexionsmaske und Belichtungsanlage mit einer solchen programmierbaren Reflexionsmaske
JP4571127B2 (ja) * 2004-05-31 2010-10-27 富士通株式会社 可変キャパシタ
US7119943B2 (en) * 2004-08-19 2006-10-10 Teravicta Technologies, Inc. Plate-based microelectromechanical switch having a three-fold relative arrangement of contact structures and support arms
US7499208B2 (en) 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
US7560299B2 (en) 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7551159B2 (en) 2004-08-27 2009-06-23 Idc, Llc System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator
US7889163B2 (en) 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US7515147B2 (en) 2004-08-27 2009-04-07 Idc, Llc Staggered column drive circuit systems and methods
US7602375B2 (en) 2004-09-27 2009-10-13 Idc, Llc Method and system for writing data to MEMS display elements
FR2875607B1 (fr) * 2004-09-20 2006-11-24 Cit Alcatel Miroir a deformation locale par variation d'epaisseur d'un materiau electro-actif controlee par effet electrique
US7843410B2 (en) 2004-09-27 2010-11-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for electrically programmable display
US7668415B2 (en) 2004-09-27 2010-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for providing electronic circuitry on a backplate
US7701631B2 (en) 2004-09-27 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having patterned spacers for backplates and method of making the same
US7813026B2 (en) 2004-09-27 2010-10-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of reducing color shift in a display
US7675669B2 (en) 2004-09-27 2010-03-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving interferometric modulators
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7920135B2 (en) * 2004-09-27 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving a bi-stable display
US8878825B2 (en) 2004-09-27 2014-11-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7446927B2 (en) 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc MEMS switch with set and latch electrodes
US7626581B2 (en) 2004-09-27 2009-12-01 Idc, Llc Device and method for display memory using manipulation of mechanical response
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7583429B2 (en) 2004-09-27 2009-09-01 Idc, Llc Ornamental display device
US7369296B2 (en) 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US8124434B2 (en) 2004-09-27 2012-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for packaging a display
US7692839B2 (en) 2004-09-27 2010-04-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of providing MEMS device with anti-stiction coating
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7916103B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with end-of-life phenomena
US7653371B2 (en) * 2004-09-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
US7310179B2 (en) 2004-09-27 2007-12-18 Idc, Llc Method and device for selective adjustment of hysteresis window
US7317568B2 (en) 2004-09-27 2008-01-08 Idc, Llc System and method of implementation of interferometric modulators for display mirrors
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7679627B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
CN100439967C (zh) 2004-09-27 2008-12-03 Idc公司 用于多状态干涉光调制的方法和设备
US7424198B2 (en) 2004-09-27 2008-09-09 Idc, Llc Method and device for packaging a substrate
US7808703B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for implementation of interferometric modulator displays
US7710629B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for display device with reinforcing substance
US7545550B2 (en) 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7724993B2 (en) 2004-09-27 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
US7446926B2 (en) * 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc System and method of providing a regenerating protective coating in a MEMS device
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7460246B2 (en) * 2004-09-27 2008-12-02 Idc, Llc Method and system for sensing light using interferometric elements
US20060076634A1 (en) 2004-09-27 2006-04-13 Lauren Palmateer Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter
US7355780B2 (en) 2004-09-27 2008-04-08 Idc, Llc System and method of illuminating interferometric modulators using backlighting
US7532195B2 (en) 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7612932B2 (en) * 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7136213B2 (en) 2004-09-27 2006-11-14 Idc, Llc Interferometric modulators having charge persistence
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7345805B2 (en) 2004-09-27 2008-03-18 Idc, Llc Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7657242B2 (en) * 2004-09-27 2010-02-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selectable capacitance circuit
JP2006165380A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Kyocera Corp 可変容量コンデンサ
KR100661349B1 (ko) 2004-12-17 2006-12-27 삼성전자주식회사 Ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
US7054054B1 (en) 2004-12-20 2006-05-30 Palo Alto Research Center Incorporated Optical modulator with a traveling surface relief pattern
US7222639B2 (en) * 2004-12-29 2007-05-29 Honeywell International Inc. Electrostatically actuated gas valve
US7328882B2 (en) * 2005-01-06 2008-02-12 Honeywell International Inc. Microfluidic modulating valve
US7445017B2 (en) * 2005-01-28 2008-11-04 Honeywell International Inc. Mesovalve modulator
JP2006210843A (ja) * 2005-01-31 2006-08-10 Fujitsu Ltd 可変キャパシタ及びその製造方法
EP1865570A4 (en) * 2005-03-29 2008-07-16 Mitsubishi Electric Corp SWITCHING NETWORK
US7948457B2 (en) 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7920136B2 (en) 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
KR20080027236A (ko) 2005-05-05 2008-03-26 콸콤 인코포레이티드 다이나믹 드라이버 ｉｃ 및 디스플레이 패널 구성
US7884989B2 (en) 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7517201B2 (en) * 2005-07-14 2009-04-14 Honeywell International Inc. Asymmetric dual diaphragm pump
EP1907316A1 (en) 2005-07-22 2008-04-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for mems device and methods therefor
EP2495212A3 (en) 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
CN101228093B (zh) * 2005-07-22 2012-11-28 高通Mems科技公司 具有支撑结构的mems装置及其制造方法
KR100696205B1 (ko) * 2005-08-26 2007-03-20 한국전자통신연구원 광 모듈 및 광 모듈 패키지
US7355779B2 (en) 2005-09-02 2008-04-08 Idc, Llc Method and system for driving MEMS display elements
US20070051415A1 (en) * 2005-09-07 2007-03-08 Honeywell International Inc. Microvalve switching array
US7630114B2 (en) * 2005-10-28 2009-12-08 Idc, Llc Diffusion barrier layer for MEMS devices
US7624755B2 (en) 2005-12-09 2009-12-01 Honeywell International Inc. Gas valve with overtravel
KR100713154B1 (ko) * 2005-12-15 2007-05-02 삼성전자주식회사 공압식 ｒｆ ｍｅｍｓ 스위치 및 그 제조 방법
US8391630B2 (en) 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US8711888B2 (en) * 2005-12-30 2014-04-29 Remec Broadband Wireless Llc Digital microwave radio link with adaptive data rate
US8731007B2 (en) * 2005-12-30 2014-05-20 Remec Broadband Wireless, Llc Digital microwave radio link with a variety of ports
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US8194056B2 (en) 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
EP1979890A1 (en) 2006-02-10 2008-10-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for updating of displays showing deterministic content
US7550810B2 (en) * 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7907033B2 (en) 2006-03-08 2011-03-15 Wispry, Inc. Tunable impedance matching networks and tunable diplexer matching systems
JP4756642B2 (ja) * 2006-03-16 2011-08-24 オリンパス株式会社 可変形状鏡
US7523762B2 (en) 2006-03-22 2009-04-28 Honeywell International Inc. Modulating gas valves and systems
US7903047B2 (en) 2006-04-17 2011-03-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mode indicator for interferometric modulator displays
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US8049713B2 (en) 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7649671B2 (en) 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7702192B2 (en) 2006-06-21 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods for driving MEMS display
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7777715B2 (en) 2006-06-29 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passive circuits for de-multiplexing display inputs
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
KR20130079603A (ko) * 2006-07-06 2013-07-10 가부시키가이샤 니콘 광학 디바이스, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
JP4327183B2 (ja) * 2006-07-31 2009-09-09 株式会社日立製作所 内燃機関の高圧燃料ポンプ制御装置
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7543604B2 (en) * 2006-09-11 2009-06-09 Honeywell International Inc. Control valve
US7629197B2 (en) 2006-10-18 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Spatial light modulator
US7545552B2 (en) 2006-10-19 2009-06-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Sacrificial spacer process and resultant structure for MEMS support structure
US7644731B2 (en) 2006-11-30 2010-01-12 Honeywell International Inc. Gas valve with resilient seat
US7724417B2 (en) * 2006-12-19 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
JP4611323B2 (ja) * 2007-01-26 2011-01-12 富士通株式会社 可変キャパシタ
US8115987B2 (en) 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
JP2008205793A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Toshiba Corp 高周波整合回路
US7742220B2 (en) * 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7715085B2 (en) * 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643202B2 (en) 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
US7643199B2 (en) * 2007-06-19 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays
US7782517B2 (en) 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US8068268B2 (en) 2007-07-03 2011-11-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices having improved uniformity and methods for making them
US7595926B2 (en) * 2007-07-05 2009-09-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Integrated IMODS and solar cells on a substrate
CN101809471B (zh) 2007-07-31 2013-12-25 高通Mems科技公司 用于增强干涉式调制器的色彩偏移的装置
US8072402B2 (en) 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US7773286B2 (en) 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
CN101828146B (zh) 2007-10-19 2013-05-01 高通Mems科技公司 具有集成光伏装置的显示器
KR20100103467A (ko) 2007-10-23 2010-09-27 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 조절가능하게 투과성인 ｍｅｍｓ―기반 장치
US8941631B2 (en) 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US7715079B2 (en) 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
EP2247977A2 (en) 2008-02-14 2010-11-10 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Device having power generating black mask and method of fabricating the same
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US8094358B2 (en) * 2008-03-27 2012-01-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dimming mirror
US7660028B2 (en) * 2008-03-28 2010-02-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method of dual-mode display
US8077326B1 (en) 2008-03-31 2011-12-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7787130B2 (en) 2008-03-31 2010-08-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7852491B2 (en) 2008-03-31 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7787171B2 (en) * 2008-03-31 2010-08-31 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Human-readable, bi-state environmental sensors based on micro-mechanical membranes
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US7860668B2 (en) * 2008-06-18 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pressure measurement using a MEMS device
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7746539B2 (en) 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US7859740B2 (en) 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7855826B2 (en) 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
IT1393008B1 (it) * 2009-03-16 2012-04-11 Milano Politecnico Compensatore di dispersione cromatica
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
US8736590B2 (en) 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US9121979B2 (en) 2009-05-29 2015-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
US8711361B2 (en) * 2009-11-05 2014-04-29 Qualcomm, Incorporated Methods and devices for detecting and measuring environmental conditions in high performance device packages
US20110176196A1 (en) * 2010-01-15 2011-07-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods and devices for pressure detection
WO2011103452A1 (en) * 2010-02-19 2011-08-25 Toray Plastics (America) , Inc. Multi-layer high moisture barrier polylactic acid film
US8525185B2 (en) 2010-04-07 2013-09-03 Uchicago Argonne, Llc RF-MEMS capacitive switches with high reliability
JP2013524287A (ja) 2010-04-09 2013-06-17 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 電気機械デバイスの機械層及びその形成方法
EP2400665B1 (en) * 2010-06-22 2016-01-13 Oticon A/S High voltage swing input/output enabled in a standard ic process using passive impedance transformation
US8390916B2 (en) 2010-06-29 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for false-color sensing and display
US8923359B1 (en) * 2010-08-06 2014-12-30 Lockheed Martin Corporation Long cavity laser sensor for large FOV auto-tracking
WO2012024238A1 (en) 2010-08-17 2012-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Actuation and calibration of a charge neutral electrode in an interferometric display device
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US8904867B2 (en) 2010-11-04 2014-12-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display-integrated optical accelerometer
US8714023B2 (en) 2011-03-10 2014-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for detecting surface perturbations
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
GB2490143B (en) * 2011-04-20 2013-03-13 Rolls Royce Plc Method of manufacturing a component
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
TW201243287A (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Laser range finder
DE102011075312A1 (de) * 2011-05-05 2012-11-08 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Quasi-breitbandiger Doherty-Verstärker und diesbezügliche Kondensatorschaltung
US9140897B2 (en) * 2011-05-10 2015-09-22 National Taiwan University Optical system, optical module and method of manufacture thereof
JP5884825B2 (ja) * 2011-08-10 2016-03-15 富士通株式会社 可変容量素子を有する電子機器とその製造方法
JP5821967B2 (ja) * 2011-10-19 2015-11-24 富士通株式会社 可動電極を有する電気機器
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
US8899264B2 (en) 2011-12-15 2014-12-02 Honeywell International Inc. Gas valve with electronic proof of closure system
US8905063B2 (en) 2011-12-15 2014-12-09 Honeywell International Inc. Gas valve with fuel rate monitor
US9835265B2 (en) 2011-12-15 2017-12-05 Honeywell International Inc. Valve with actuator diagnostics
US9074770B2 (en) 2011-12-15 2015-07-07 Honeywell International Inc. Gas valve with electronic valve proving system
US8839815B2 (en) 2011-12-15 2014-09-23 Honeywell International Inc. Gas valve with electronic cycle counter
US9846440B2 (en) 2011-12-15 2017-12-19 Honeywell International Inc. Valve controller configured to estimate fuel comsumption
US9557059B2 (en) 2011-12-15 2017-01-31 Honeywell International Inc Gas valve with communication link
US9851103B2 (en) 2011-12-15 2017-12-26 Honeywell International Inc. Gas valve with overpressure diagnostics
US8947242B2 (en) 2011-12-15 2015-02-03 Honeywell International Inc. Gas valve with valve leakage test
US9995486B2 (en) 2011-12-15 2018-06-12 Honeywell International Inc. Gas valve with high/low gas pressure detection
JP6097540B2 (ja) 2012-01-17 2017-03-15 ローム株式会社 チップコンデンサおよびその製造方法
US20130299328A1 (en) * 2012-05-14 2013-11-14 Raytheon Company Micro electro mechanical system (mems) microwave switch structures
ITTO20120477A1 (it) * 2012-05-31 2013-12-01 St Microelectronics Srl Rete di dispositivi elettronici fissati ad un supporto flessibile e relativo metodo di comunicazione
US10422531B2 (en) 2012-09-15 2019-09-24 Honeywell International Inc. System and approach for controlling a combustion chamber
US9234661B2 (en) 2012-09-15 2016-01-12 Honeywell International Inc. Burner control system
JP2014212159A (ja) * 2013-04-17 2014-11-13 アルプス電気株式会社 可変容量コンデンサ
EP2868970B1 (en) 2013-10-29 2020-04-22 Honeywell Technologies Sarl Regulating device
US10024439B2 (en) 2013-12-16 2018-07-17 Honeywell International Inc. Valve over-travel mechanism
US9841122B2 (en) 2014-09-09 2017-12-12 Honeywell International Inc. Gas valve with electronic valve proving system
US9645584B2 (en) 2014-09-17 2017-05-09 Honeywell International Inc. Gas valve with electronic health monitoring
US10503181B2 (en) 2016-01-13 2019-12-10 Honeywell International Inc. Pressure regulator
US10564062B2 (en) 2016-10-19 2020-02-18 Honeywell International Inc. Human-machine interface for gas valve
CN106932095A (zh) * 2016-12-23 2017-07-07 中国电子科技集团公司信息科学研究院 一种可调谐moems滤光片
US11073281B2 (en) 2017-12-29 2021-07-27 Honeywell International Inc. Closed-loop programming and control of a combustion appliance
US10697815B2 (en) 2018-06-09 2020-06-30 Honeywell International Inc. System and methods for mitigating condensation in a sensor module
CN111613862B (zh) * 2019-02-22 2023-01-10 德克萨斯仪器股份有限公司 基板和通信系统
CN111123416B (zh) * 2020-02-13 2021-02-02 北京理工大学 一种单驱动液体变焦透镜及其制作方法、变焦成像方法
DE102021202769A1 (de) * 2021-03-22 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung, Verfahren zur Deformation eines optischen Elements und Projektionsbelichtungsanlage
CN113488421B (zh) * 2021-06-30 2024-05-03 颀中科技（苏州）有限公司 一种用于芯片散热贴的取标头、散热粘贴装置及粘贴方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3746785A (en) * 1971-11-26 1973-07-17 Bendix Corp Deflectable membrane optical modulator
JPS5941169B2 (ja) * 1975-12-25 1984-10-05 シチズン時計株式会社 エラストマ−ヒヨウジソウチ
FR2368054A1 (fr) * 1976-10-13 1978-05-12 Comp Generale Electricite Procede pour augmenter l'eclairement produit par un faisceau laser
US4229732A (en) * 1978-12-11 1980-10-21 International Business Machines Corporation Micromechanical display logic and array
US4617608A (en) * 1984-12-28 1986-10-14 At&T Bell Laboratories Variable gap device and method of manufacture
US5172262A (en) * 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4805038A (en) * 1987-07-30 1989-02-14 Eastman Kodak Company Imaging apparatus which includes a light-valve array having electrostatically deflectable elements
US4878122A (en) * 1987-09-04 1989-10-31 New York Institute Of Technology Light modulator video display apparatus
US4954789A (en) * 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5124834A (en) * 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
EP0459571B1 (fr) * 1990-05-29 1995-09-20 Laboratoires D'electronique Philips Ligne de transmission en mode à ondes lentes, du type microruban et circuit incluant une telle ligne

Also Published As

Publication number Publication date
TW266327B (ko) 1995-12-21
KR100344159B1 (ko) 2002-10-25
US5526172A (en) 1996-06-11
EP0637042B1 (en) 2003-09-24
DE69433173D1 (de) 2003-10-30
CA2128769A1 (en) 1995-01-28
CN1115067A (zh) 1996-01-17
EP0637042A3 (en) 1998-05-27
JPH0821967A (ja) 1996-01-23
DE69433173T2 (de) 2004-06-03
EP0637042A2 (en) 1995-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950004554A (ko) 초소형 모놀리식 가변 전기 소자 및 이를 포함하는 장치
US6437965B1 (en) Electronic device including multiple capacitance value MEMS capacitor and associated methods
US7027284B2 (en) Variable capacitance element
US7212091B2 (en) Micro-electro-mechanical RF switch
US6713695B2 (en) RF microelectromechanical systems device
EP0725408B1 (en) Variable capacitor
US20050270128A1 (en) Switch
US7583169B1 (en) MEMS switches having non-metallic crossbeams
JP4555951B2 (ja) ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍ）素子のアレイの駆動
US8194386B2 (en) Arrangement of MEMS devices having series coupled capacitors
US7546677B2 (en) Method for fabricating a micro-electromechanical system switch
US20040113727A1 (en) RF-mems switch
JP2006128721A (ja) 静電的に動作するマイクロメカニカル・コンデンサ
US20030122640A1 (en) Lateral microelectromechanical system switch
WO2004047190A3 (en) Micro electro-mechanical system device with piezoelectric thin film actuator
GB2368655A (en) Optical wavelength tuning method and fabry-perot type optical tuner
CN110853985B (zh) 一种并联式电容开关
WO2009092605A1 (en) Microelectromechanical system tunable capacitor
US6798312B1 (en) Microelectromechanical system (MEMS) analog electrical isolator
EP2083431A1 (en) Microelectromechanical system tunable capacitor
KR100357164B1 (ko) 마이크로 가변 커패시터
US11615924B2 (en) MEMS switch
KR100520891B1 (ko) 잔류응력 및 압전구동력을 이용한 초소형 전기 기계시스템 고주파 스위치
KR100493532B1 (ko) 정전식 양방향 미세기전 액추에이터
TW202235360A (zh) 具有在輸入與輸出端子電極之間連續延伸之橫樑接觸部分之mems開關

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080414

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee