KR950004383A - 반도체 장치의 제조에 사용하는 재료 및 이것의 제조방법 - Google Patents

반도체 장치의 제조에 사용하는 재료 및 이것의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 쌍극성 반도체 장치의 제조에 사용되는 재료 및 이것의 제조에 이용되는 올 에피택셜(all epitaxial) 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 올-에피택셜 방법은 비저항이 높은 규소기판을 사용하는 것으로 시작된다. 규소와 규소-게르마늄의 층의 교대는 격자 정수의 차이로 인해 발생하는 전위를 초래하는 조건하게 기판상에 성장된다. 그 다음에는 비저항이 낮은 규소층을 상기 영역위에 성장시킨다. 비저항이 높은 층을 사용하여 장치의 베이스부를 형성할 수 있도록 재료를 역전시킨다. 비저항이 높은 층의 두께를 제조할 반도체 장치의 베이스부의 폭과 같아지도록 조절한다.

Description

반도체 장치의 제조에 사용하는 재료 및 이것의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 재료가 형성된 후 역전(inversion)시키기 전의 재료에 대한 개략적 단면도이다.

Claims (22)

  1. 주어진 폭의 베이스부를 구비한 반도체 장치의 제조에 유용한 재료의 제조방법으로서, 비교적 비저항이 높은 규소층의 표면을 제조하는 단계; 격자 정수의 차이로 인해 생겨나는 전위를 초래하는 조건에서, 제조된 표면의 인접부에 대한 증착방법에 의해 다층 규소영역을 성장시키는 단계; 다층영역 인접부에 비교적 비저항이 낮은 규소층을 성장시키는 단계; 재료를 역전시키는 단계; 그리고 비저항이 높은 규소층을 사용하여 재료에 장치의 일부가 형성되고, 충분한 부분이 장치의 기부로서 작용할 수 있게 남겨질 수 있도록, 비저항이 높은 층의 두께를 감소시키는 단계로 이루어지는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 표면의 제조단계가 비저항이 높은 규소를 슬라이싱 처리하고 표면을 다이아몬드로 연마시키는 단계인 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 표면의 제조단계에 연마된 표면의 에칭처리 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 다층영역의 형성단계가 게르마늄이 함유되어 있지 않은 제1규소층을 형성하고 규소/규소-게르마늄의 제1경계면을 형성할 수 있도록 적은 비율의 게르마늄을 함유하는 제1규소층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 다층영역을 형성하는 단계가 게르마늄이 함유되지 않은 제2규소층, 및 제2규소/규소-게르마늄 경계면을 형성할 수 있도록 적은 비율의 게르마늄을 함유하는 제2규소층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 다층영역을 형성하는 단계가 게르마늄이 함유되어 있지 않은 제3규소층을 형성시키고, 이것의 표면 일부를 제거하여 다층영역의 표면을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 다층영역 인접부에 규소 버퍼층을 형성시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 버퍼층 인접부에 비저항이 낮은 층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 비저항이 높은 층의 두께를 감소시키는 단계가 비저항이 높은 층의 표면을 다이아몬드로 연마하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 비저항이 높은 층의 연마된 표면을 에칭처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 비저항이 높은 규소층이 100Ω-cm의 N형 Float Zone 또는 Neutron Transmutation Doped 규소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  12. 제4항에 있어서, 적은 비율의 게르마늄이 함유된 규소층을 2㎛ 정도의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  13. 제5항에 있어서, 각각의 층을 약 2㎛정도의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  14. 제6항에 있어서, 제3층의 형성단계가 2㎛정도의 두께인 제1하위층을 성장시키고, 제2하위층을 성장시켜서 제3층의 표면을 형성시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 비저항이 낮은 층의 비저항이 0.005Ω-cm이하인 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  16. 제1항에 있어서, 비저항이 낮은 규소층을 100㎛ 두께까지 성장시키는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료의 제조방법.
  17. 폭이 주어진 베이스부를 구비한 유형의 반도체 장치의 제조에 유용한 재료로서, 격자 정수의 차이로 인해 생기는 전위를 초래하는 조건하에서 형성된 규소/규소-게르마늄 경계면으로 이루어진 영역위에 위치하고, 상기 주어진 폭과 동등한 두께를 가진 비교적 비저항이 높은 규소층, 그리고 비저항이 높은 층을 사용하여 반도체 장치의 베이스부를 형성할 수 있도록 상기 영역 아래에 위치하는 비저항이 낮은 층으로 이루어진 재료.
  18. 제17항에 있어서, 상기 영역에 격자 정수의 차이로 인해 생겨나는 전위를 초래하는 조건에서 형성된 제2의 규소/규소-게르마늄 경계면이 더 포함된 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료.
  19. 제17항에 있어서, 상기 영역에 게르마늄이 함유되지 않은 제1규소층 및 적은 비율의 게르마늄이 함유된 제1규소층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료.
  20. 제19항에 있어서, 상기 영역이 게르마늄을 함유하지 않은 제2규소층과 적은 비율의 게르마늄을 함유하는 제2규소층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료.
  21. 제20항에 있어서, 상기 영역에 게르마늄을 함유하지 않은 규소로 이루어진 제3의 층이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료.
  22. 제17항에 있어서, 상기 영역과 비저항이 낮은 규소층 사이에 버퍼층이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제조에 유용한 재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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