JP2000075328A - 音響光学偏向器 - Google Patents
音響光学偏向器Info
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- JP2000075328A JP2000075328A JP10248580A JP24858098A JP2000075328A JP 2000075328 A JP2000075328 A JP 2000075328A JP 10248580 A JP10248580 A JP 10248580A JP 24858098 A JP24858098 A JP 24858098A JP 2000075328 A JP2000075328 A JP 2000075328A
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- JP
- Japan
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- substrate
- film
- acousto
- waveguide layer
- optic deflector
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/33—Acousto-optical deflection devices
- G02F1/335—Acousto-optical deflection devices having an optical waveguide structure
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- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｉ基板を使用した光の利用効率の高い音響
光学偏向器を得る。 【解決手段】 表面にＳｉＯ2膜２を形成したＳｉ基板
１上に圧電性薄膜導波層としてＺｎＯ膜３を堆積し、Ｚ
ｎＯ膜３上にＩＤＴ５及びルチルプリズム７，８を設け
た音響光学偏向器。Ｓｉ基板１としては抵抗率が２０Ω
ｃｍ以下のものを使用し、ＩＤＴ５によってＺｎＯ膜３
にセザワ波ＳＡを励振し、ＺｎＯ膜３を伝搬するレーザ
ビームＬＢを偏向させる。
光学偏向器を得る。 【解決手段】 表面にＳｉＯ2膜２を形成したＳｉ基板
１上に圧電性薄膜導波層としてＺｎＯ膜３を堆積し、Ｚ
ｎＯ膜３上にＩＤＴ５及びルチルプリズム７，８を設け
た音響光学偏向器。Ｓｉ基板１としては抵抗率が２０Ω
ｃｍ以下のものを使用し、ＩＤＴ５によってＺｎＯ膜３
にセザワ波ＳＡを励振し、ＺｎＯ膜３を伝搬するレーザ
ビームＬＢを偏向させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、音響光学偏向器、
詳しくは、導波路に励振された表面弾性波によって導波
路を伝搬する光を偏向する音響光学偏向器に関する。
詳しくは、導波路に励振された表面弾性波によって導波
路を伝搬する光を偏向する音響光学偏向器に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、レーザビームを光源として使用
する画像形成装置にあっては、レーザビームをポリゴン
ミラーと称する多面体ミラーの回転によって偏向し、感
光体上を走査する方式が採用されている。しかし、近年
では、走査速度の高速化が求められ、その対策として導
波路型の音響光学偏向器が種々開発されている。
する画像形成装置にあっては、レーザビームをポリゴン
ミラーと称する多面体ミラーの回転によって偏向し、感
光体上を走査する方式が採用されている。しかし、近年
では、走査速度の高速化が求められ、その対策として導
波路型の音響光学偏向器が種々開発されている。
【０００３】この種の音響光学偏向器は、ガラス、サフ
ァイアや表面を熱酸化処理したＳｉ基板上にＺｎＯ等の
圧電性薄膜導波層を堆積した構造、ＬｉＮｂＯ3基板の
表面にＴｉを拡散したり、基板表面でプロトン交換を行
って導波層を形成した構造が知られている。これらの導
波層に表面弾性波を励振し、導波光（レーザビーム）と
相互作用させる。光の偏向は、導波光と弾性波がブラッ
グ条件を満たす角度で交差するとき、導波光がブラッグ
回折することで行われる。
ァイアや表面を熱酸化処理したＳｉ基板上にＺｎＯ等の
圧電性薄膜導波層を堆積した構造、ＬｉＮｂＯ3基板の
表面にＴｉを拡散したり、基板表面でプロトン交換を行
って導波層を形成した構造が知られている。これらの導
波層に表面弾性波を励振し、導波光（レーザビーム）と
相互作用させる。光の偏向は、導波光と弾性波がブラッ
グ条件を満たす角度で交差するとき、導波光がブラッグ
回折することで行われる。
【０００４】サファイアやＳｉを基板として用いると、
表面弾性波としては電気機械結合係数の大きいセザワ波
を発振することができ、その実用が期待されている。ま
た、Ｓｉ基板は安価で安定した材料でもある。ここで、
セザワ波とは、レーリー波の高次モードに相当する表面
弾性波である。
表面弾性波としては電気機械結合係数の大きいセザワ波
を発振することができ、その実用が期待されている。ま
た、Ｓｉ基板は安価で安定した材料でもある。ここで、
セザワ波とは、レーリー波の高次モードに相当する表面
弾性波である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｓｉ基
板を用いた光偏向器では、表面弾性波が導波層を伝搬す
る際にそのエネルギーを基板に奪われて減衰する。一
方、導波光も導波層を進行する際にそのエネルギーを基
板に奪われて減衰する。即ち、基板としてＳｉを用いれ
ば、安価であり、効率のよいセザワ波を励振できる利点
を有するものの、弾性波及び導波光の減衰が大きく、結
果的に光の利用効率が低下するという問題点を有してい
る。利用効率の低下を補償するためには、櫛歯状電極に
大きな電力を入力したり、光源の発光強度を大きくする
ことが考えられるが、これでは光偏向器のコストアップ
につながる。
板を用いた光偏向器では、表面弾性波が導波層を伝搬す
る際にそのエネルギーを基板に奪われて減衰する。一
方、導波光も導波層を進行する際にそのエネルギーを基
板に奪われて減衰する。即ち、基板としてＳｉを用いれ
ば、安価であり、効率のよいセザワ波を励振できる利点
を有するものの、弾性波及び導波光の減衰が大きく、結
果的に光の利用効率が低下するという問題点を有してい
る。利用効率の低下を補償するためには、櫛歯状電極に
大きな電力を入力したり、光源の発光強度を大きくする
ことが考えられるが、これでは光偏向器のコストアップ
につながる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、Ｓｉ基板を使用
した光の利用効率の高い、安価な音響光学偏向器を提供
することにある。
した光の利用効率の高い、安価な音響光学偏向器を提供
することにある。
【０００７】
【発明の構成、作用及び効果】以上の目的を達成するた
めに本発明者らが行った実験によれば、表面弾性波の減
衰量は、Ｓｉ基板の抵抗率やバッファ層の膜厚によって
変化すること、及び導波光の減衰量は専らバッファ層の
膜厚によって変化することが判明した。
めに本発明者らが行った実験によれば、表面弾性波の減
衰量は、Ｓｉ基板の抵抗率やバッファ層の膜厚によって
変化すること、及び導波光の減衰量は専らバッファ層の
膜厚によって変化することが判明した。
【０００８】このような知見に基づいて、本発明に係る
音響光学偏向器は、抵抗率が２０Ωｃｍ以下のＳｉ基板
上にバッファ層、圧電性薄膜導波層を形成すると共に、
導波層に接して櫛歯状電極を形成した。櫛歯状電極によ
って導波層にセザワ波を励振し、導波層を伝搬する光を
偏向する。
音響光学偏向器は、抵抗率が２０Ωｃｍ以下のＳｉ基板
上にバッファ層、圧電性薄膜導波層を形成すると共に、
導波層に接して櫛歯状電極を形成した。櫛歯状電極によ
って導波層にセザワ波を励振し、導波層を伝搬する光を
偏向する。
【０００９】本発明によれば、Ｓｉ基板として抵抗率が
２０Ωｃｍ以下のものを用いたため、表面弾性波（セザ
ワ波）の伝搬損失が小さくなり発振効率が向上する。セ
ザワ波はレーリー波の高次モード波であり、電気機械結
合係数が大きい。また、Ｓｉ基板は安価で特性が安定し
ている。本発明は、このような利点を有するＳｉ基板と
セザワ波を組み合わせたもので、セザワ波の発振効率が
高く、ひいては光の利用効率が向上する。さらに、基板
よりも屈折率が低いバッファ層を設けたため、基板より
も屈折率の低い圧電性薄膜を光導波層として機能させる
ことができる。
２０Ωｃｍ以下のものを用いたため、表面弾性波（セザ
ワ波）の伝搬損失が小さくなり発振効率が向上する。セ
ザワ波はレーリー波の高次モード波であり、電気機械結
合係数が大きい。また、Ｓｉ基板は安価で特性が安定し
ている。本発明は、このような利点を有するＳｉ基板と
セザワ波を組み合わせたもので、セザワ波の発振効率が
高く、ひいては光の利用効率が向上する。さらに、基板
よりも屈折率が低いバッファ層を設けたため、基板より
も屈折率の低い圧電性薄膜を光導波層として機能させる
ことができる。
【００１０】また、本発明に係る音響光学偏向器では、
導波層をＺｎＯ膜にて形成し、その膜厚ｈと表面弾性波
の波長λとの関係を、０．２＜ｈ／λ＜０．５の範囲内
に設定することが好ましい。この設定条件の下で、実験
的にみて、セザワ波の伝搬損失が小さくなり、ひいては
光の利用効率が向上する。
導波層をＺｎＯ膜にて形成し、その膜厚ｈと表面弾性波
の波長λとの関係を、０．２＜ｈ／λ＜０．５の範囲内
に設定することが好ましい。この設定条件の下で、実験
的にみて、セザワ波の伝搬損失が小さくなり、ひいては
光の利用効率が向上する。
【００１１】さらに、本発明に係る音響光学偏向器にお
いて、バッファ層はＳｉＯ2膜とすることが好ましい。
ＳｉＯ2膜はＳｉ基板の表面を酸化させるだけで容易に
成膜することができ、導波光の伝搬損失を抑えることが
できる。特に、ＳｉＯ2膜の膜厚を４０００オングスト
ローム以上とすることで、導波光の伝搬損失が小さくな
り、Ｓｉ基板の抵抗率を２０Ωｃｍ以下とすることとの
相剰的な効果として光の利用効率がより向上する。
いて、バッファ層はＳｉＯ2膜とすることが好ましい。
ＳｉＯ2膜はＳｉ基板の表面を酸化させるだけで容易に
成膜することができ、導波光の伝搬損失を抑えることが
できる。特に、ＳｉＯ2膜の膜厚を４０００オングスト
ローム以上とすることで、導波光の伝搬損失が小さくな
り、Ｓｉ基板の抵抗率を２０Ωｃｍ以下とすることとの
相剰的な効果として光の利用効率がより向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る音響光学偏向
器の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
器の実施形態について、添付図面を参照して説明する。
【００１３】（第１実施形態）本第１実施形態は、図１
に示すように、Ｓｉ基板１の表面にＳｉＯ2膜（バッフ
ァ層）２を形成し、その上にＺｎＯ膜（圧電性薄膜導波
層）３を設けたものである。さらに、ＺｎＯ膜３上にＩ
ＤＴ（inter−digital−transducer、櫛歯状電極）５を
形状し、かつ、光の入力／出力手段としてルチルプリズ
ム７，８を設置した。
に示すように、Ｓｉ基板１の表面にＳｉＯ2膜（バッフ
ァ層）２を形成し、その上にＺｎＯ膜（圧電性薄膜導波
層）３を設けたものである。さらに、ＺｎＯ膜３上にＩ
ＤＴ（inter−digital−transducer、櫛歯状電極）５を
形状し、かつ、光の入力／出力手段としてルチルプリズ
ム７，８を設置した。
【００１４】基板１は、抵抗率が８ΩｃｍのＰ（１０
０）方位のＳｉ基板を使用した。ＳｉＯ2膜２は、Ｓｉ
基板１の表面を熱酸化処理し、８０００オングストロー
ムの膜厚に形成した。導波層としては、スパッタリング
法によってｃ軸配向したＺｎＯ膜３を２．２μｍの膜厚
に堆積させた。ＩＤＴ５は、膜厚１０００オングストロ
ームのＡｌ膜をＺｎＯ膜３上に蒸着した後リフトオフ法
によるパターニングによって形成したもので、幅１．４
５μｍの電極指を２０対備えた正規型ＩＤＴ電極であ
る。
０）方位のＳｉ基板を使用した。ＳｉＯ2膜２は、Ｓｉ
基板１の表面を熱酸化処理し、８０００オングストロー
ムの膜厚に形成した。導波層としては、スパッタリング
法によってｃ軸配向したＺｎＯ膜３を２．２μｍの膜厚
に堆積させた。ＩＤＴ５は、膜厚１０００オングストロ
ームのＡｌ膜をＺｎＯ膜３上に蒸着した後リフトオフ法
によるパターニングによって形成したもので、幅１．４
５μｍの電極指を２０対備えた正規型ＩＤＴ電極であ
る。
【００１５】この光偏向器に対しては、半導体レーザを
光源とする図示しない光源ユニットからレーザビームＬ
Ｂが入射される。このレーザビームＬＢはルチルプリズ
ム７からＺｎＯ膜３に入力されて伝搬する。このとき、
ＩＤＴ５には電源６から高周波信号が印加され、ＺｎＯ
膜３に導波光に対して略直交方向に伝搬する表面弾性波
（セザワ波）ＳＡが励振される。この弾性波との相互作
用で導波光（レーザビームＬＢ）が偏向され、ルチルプ
リズム８から外部に出射する。
光源とする図示しない光源ユニットからレーザビームＬ
Ｂが入射される。このレーザビームＬＢはルチルプリズ
ム７からＺｎＯ膜３に入力されて伝搬する。このとき、
ＩＤＴ５には電源６から高周波信号が印加され、ＺｎＯ
膜３に導波光に対して略直交方向に伝搬する表面弾性波
（セザワ波）ＳＡが励振される。この弾性波との相互作
用で導波光（レーザビームＬＢ）が偏向され、ルチルプ
リズム８から外部に出射する。
【００１６】ところで、バッファ層は光を伝搬させるた
めに圧電性薄膜導波層よりも屈折率が低くなければなら
ない。ＳｉＯ2膜２をバッファ層として用いたのは、そ
の屈折率が１．４６であり、ＺｎＯ膜３の屈折率１．９
９よりも低く、また、Ｓｉ基板１を熱酸化することで容
易に形成できるからである。
めに圧電性薄膜導波層よりも屈折率が低くなければなら
ない。ＳｉＯ2膜２をバッファ層として用いたのは、そ
の屈折率が１．４６であり、ＺｎＯ膜３の屈折率１．９
９よりも低く、また、Ｓｉ基板１を熱酸化することで容
易に形成できるからである。
【００１７】また、Ｓｉ基板１の屈折率は４．０であ
り、ＺｎＯ膜３の１．９９に比べて大きい。このため、
ＳｉＯ2膜２の膜厚が薄い場合には、導波光のエネルギ
ーが基板１に漏洩し、導波損失が大きくなる。
り、ＺｎＯ膜３の１．９９に比べて大きい。このため、
ＳｉＯ2膜２の膜厚が薄い場合には、導波光のエネルギ
ーが基板１に漏洩し、導波損失が大きくなる。
【００１８】本第１実施形態においては、ＳｉＯ2膜２
の膜厚を８０００オングストロームとしており、波長６
３０ｎｍのレーザビームＬＢをルチルプリズム７から入
力した場合、ＺｎＯ膜３を伝搬するＴＥ０モードの導波
光の損失は約２ｄＢ／ｃｍであった。一方、ＳｉＯ2膜
２の膜厚を３０００オングストロームに変更し、他の構
成、条件は同じにして導波光の損失を測定したところ、
約５ｄＢ／ｃｍであった。このような実験によって、導
波光の減衰量を小さくするには、ＳｉＯ2膜（バッファ
層）２の膜厚が４０００オングストローム以上必要であ
ることが判明した。
の膜厚を８０００オングストロームとしており、波長６
３０ｎｍのレーザビームＬＢをルチルプリズム７から入
力した場合、ＺｎＯ膜３を伝搬するＴＥ０モードの導波
光の損失は約２ｄＢ／ｃｍであった。一方、ＳｉＯ2膜
２の膜厚を３０００オングストロームに変更し、他の構
成、条件は同じにして導波光の損失を測定したところ、
約５ｄＢ／ｃｍであった。このような実験によって、導
波光の減衰量を小さくするには、ＳｉＯ2膜（バッファ
層）２の膜厚が４０００オングストローム以上必要であ
ることが判明した。
【００１９】また、図１に示した構成の光偏向器におい
て、ＩＤＴ５で表面弾性波（セザワ波）を励振させる場
合、その効率である電気機械結合係数Ｋ2は、弾性波の
波長λとＺｎＯ膜３の膜厚ｈとの比であるｈ／λに依存
し、その特性を図２に示す。図２においては、セザワ波
の特性と共にレーリー波の特性を比較のために示してい
る。
て、ＩＤＴ５で表面弾性波（セザワ波）を励振させる場
合、その効率である電気機械結合係数Ｋ2は、弾性波の
波長λとＺｎＯ膜３の膜厚ｈとの比であるｈ／λに依存
し、その特性を図２に示す。図２においては、セザワ波
の特性と共にレーリー波の特性を比較のために示してい
る。
【００２０】本第１実施形態において、中心周波数８７
０ＭＨｚの電気信号をＩＤＴ５に入力したとき、波長
５．８μｍのセザワ波が励振された。ＺｎＯ膜３の膜厚
ｈは、ｈ／λ＝０．３８となるように構成されており、
電気機械結合係数Ｋ2は約４％である。セザワ波の伝搬
損失を測定したところ、６ｄＢ／ｃｍであった。一方、
基板１として抵抗率が１０００ΩｃｍのＰ（１００）方
位のＳｉ基板を用い、他の構成、条件は前記と同じにし
てセザワ波の伝搬損失を測定したところ、２６ｄＢ／ｃ
ｍであった。抵抗率８ΩｃｍのＳｉ基板を用いると伝搬
損失が大きく改善されることが明らかであり、Ｓｉ基板
の抵抗率は２０Ωｃｍ以下であることが好ましい。
０ＭＨｚの電気信号をＩＤＴ５に入力したとき、波長
５．８μｍのセザワ波が励振された。ＺｎＯ膜３の膜厚
ｈは、ｈ／λ＝０．３８となるように構成されており、
電気機械結合係数Ｋ2は約４％である。セザワ波の伝搬
損失を測定したところ、６ｄＢ／ｃｍであった。一方、
基板１として抵抗率が１０００ΩｃｍのＰ（１００）方
位のＳｉ基板を用い、他の構成、条件は前記と同じにし
てセザワ波の伝搬損失を測定したところ、２６ｄＢ／ｃ
ｍであった。抵抗率８ΩｃｍのＳｉ基板を用いると伝搬
損失が大きく改善されることが明らかであり、Ｓｉ基板
の抵抗率は２０Ωｃｍ以下であることが好ましい。
【００２１】以上の如く、導波光及びセザワ波の伝搬損
失を小さくしたところ、光の利用効率は抵抗率が１００
０ΩｃｍのＰ（１００）方位のＳｉ基板を用いた光偏向
器と比較して、約１．５８倍向上した。
失を小さくしたところ、光の利用効率は抵抗率が１００
０ΩｃｍのＰ（１００）方位のＳｉ基板を用いた光偏向
器と比較して、約１．５８倍向上した。
【００２２】（第２実施形態）本第２実施形態は、構成
としては図１に示したものと同様であり、基板１として
抵抗率が０．０２ΩｃｍのＰ（１００）方位のＳｉ基板
を用いた。他の数値は前記第１実施形態と同じとし、セ
ザワ波の伝搬損失を測定したところ、７ｄＢであった。
また、導波光の伝搬損失を測定したところ約２ｄＢ／ｃ
ｍであった。光の利用効率は抵抗率が１０００Ωｃｍの
Ｐ（１００）方位のＳｉ基板を用いた光偏向器と比較し
て、約１．５５倍向上した。
としては図１に示したものと同様であり、基板１として
抵抗率が０．０２ΩｃｍのＰ（１００）方位のＳｉ基板
を用いた。他の数値は前記第１実施形態と同じとし、セ
ザワ波の伝搬損失を測定したところ、７ｄＢであった。
また、導波光の伝搬損失を測定したところ約２ｄＢ／ｃ
ｍであった。光の利用効率は抵抗率が１０００Ωｃｍの
Ｐ（１００）方位のＳｉ基板を用いた光偏向器と比較し
て、約１．５５倍向上した。
【００２３】（他の実施形態）なお、本発明に係る音響
光学偏向器は前記実施形態に限定するものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、
Ｓｉ基板としては、ｐ型で（１００）方位のものに限ら
ず他の型、方位のものを用いてもよい。櫛歯状電極に関
しては、ＳｉＯ2膜と導波層との界面に形成してもよ
く、チャープ型あるいはチャープチルト型であってもよ
い。光の入力／出力手段としては、プリズム以外に、グ
レーティング等の結合手段を用いてもよい。
光学偏向器は前記実施形態に限定するものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々に変更することができる。特に、
Ｓｉ基板としては、ｐ型で（１００）方位のものに限ら
ず他の型、方位のものを用いてもよい。櫛歯状電極に関
しては、ＳｉＯ2膜と導波層との界面に形成してもよ
く、チャープ型あるいはチャープチルト型であってもよ
い。光の入力／出力手段としては、プリズム以外に、グ
レーティング等の結合手段を用いてもよい。
【図１】本発明に係る音響光学偏向器を示す斜視図。
【図２】前記音響光学偏向器における電気機械結合係数
を示すグラフ。
を示すグラフ。
１…Ｓｉ基板 ２…ＳｉＯ2膜（バッファ層） ３…ＺｎＯ膜（圧電性薄膜導波層） ５…櫛歯状電極 ７，８…ルチルプリズム ＬＢ…レーザビーム ＳＡ…セザワ波
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩本 剛志 大阪府大阪市中央区安土町二丁目３番13号 大阪国際ビル ミノルタ株式会社内 Ｆターム(参考） 2K002 AA06 AB03 AB07 BA12 CA02 CA22 CA25 DA05 EB07 FA07 GA07 HA10
Claims (4)
- 【請求項１】 抵抗率が２０Ωｃｍ以下のＳｉ基板と、 前記基板上に形成されたバッファ層と、 前記バッファ層上に形成された圧電性薄膜導波層と、 前記導波層に接して形成された櫛歯状電極と、を備え 前記櫛歯状電極によって前記導波層にセザワ波を励振
し、導波層を伝搬する光を偏向すること、 を特徴とする音響光学偏向器。 - 【請求項２】 前記導波層がＺｎＯ膜であり、その膜厚
ｈと表面弾性波の波長λとの関係が、０．２＜ｈ／λ＜
０．５の範囲内に設定されていることを特徴とする請求
項１記載の音響光学偏向器。 - 【請求項３】 前記バッファ層がＳｉＯ2膜であること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の音響光学偏向
器。 - 【請求項４】 前記ＳｉＯ2膜の膜厚が４０００オング
ストローム以上であることを特徴とする請求項３記載の
音響光学偏向器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248580A JP2000075328A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 音響光学偏向器 |
| US09/386,853 US6282357B1 (en) | 1998-09-02 | 1999-08-31 | Optical waveguide, acousto-optic deflector and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10248580A JP2000075328A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 音響光学偏向器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000075328A true JP2000075328A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17180250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10248580A Pending JP2000075328A (ja) | 1998-09-02 | 1998-09-02 | 音響光学偏向器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6282357B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000075328A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104246596A (zh) * | 2013-02-06 | 2014-12-24 | 松下电器产业株式会社 | 光偏向元件及光偏向装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6385355B1 (en) * | 1999-03-15 | 2002-05-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical deflection element |
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