JPH09304798A

JPH09304798A - 光偏向器

Info

Publication number: JPH09304798A
Application number: JP11771096A
Authority: JP
Inventors: Tsuyoshi Iwamoto; 剛志岩本; Naoki Nishida; 直樹西田; Shunichi Hayamizu; 俊一速水
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1996-05-13
Filing date: 1996-05-13
Publication date: 1997-11-28

Abstract

(57)【要約】【課題】小さな入力電力で高い回折効率を得て、高い
精度で導波光を偏向することができる光偏向器を得る。【解決手段】光偏向器１は、概略、基板２と、この基
板２上にＳｉＯ₂薄膜等からなる光学的バッファ層３を
介して形成された圧電性薄膜光導波路４と、表面弾性波
を発生させるためのトランスジューサ５と、入射用グレ
ーティングカプラ１５及び出射用グレーティングカプラ
１６にて構成されている。トランスジューサ５によっ
て、表面弾性波として、レーリー波の２次モードである
セザワ波を発生させる。基板２としては、Ｓｉ基板ある
いはサファイア基板等が用いられる。圧電性薄膜光導波
路４としては、膜厚が３．２μｍのＺｎＯ薄膜等が用い
られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光偏向器、特に、
圧電性薄膜光導波路を用いた音響光学光偏向器であっ
て、光コンピュータの光スイッチや光変調器、光通信の
光スイッチや光分波器や光変調器、レーザビームプリン
タ・複写機・スキャナ等の光偏向部や光変調部等に用い
られる光偏向器に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜光導波路を進行する光は薄膜光導波
路を伝搬する表面弾性波と音響光学相互作用（ブラッグ
回折）することによって偏向させられるという周知の技
術を利用する光偏向器が種々提案されている。従来の光
偏向器は、基板と、圧電性材料からなる薄膜光導波路
と、表面弾性波を発生するためのトランスジューサと、
薄膜光導波路に光を入射するための光入射手段と、薄膜
光導波路を進行する光を外部に出射するための光出射手
段とを備えたものである。そして、トランスジューサに
印加する高周波入力電力の周波数を変化させて薄膜光導
波路を伝搬する表面弾性波の波長を変え、薄膜光導波路
を進行する光の偏向角度を高速かつ高精度で制御する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光偏向器は表面弾性波として、レーリー波を利用してい
たため、圧電性薄膜光導波路の電気機械結合係数ｋ²が
小さく、電気エネルギーから機械エネルギーへの変換効
率が悪かった。

【０００４】例えば、溶融石英基板上に光導波路として
ＺｎＯ薄膜を形成し、このＺｎＯ薄膜上にトランスジュ
ーサの櫛歯状電極を形成した構造の光偏向器において、
表面弾性波としてレーリー波を利用した場合、電気機械
結合係数ｋ²は最も高い数値でも約０．０１２であり、
この数値は十分満足のゆくものではなかった。このた
め、光導波路を進行する導波光の音響光学相互作用によ
る回折効率が悪かった。従って、所望の表面弾性波エネ
ルギーを得ようとすると、トランスジューサに印加する
高周波入力電力を大きくする必要がある。その場合、ト
ランスジューサでの発熱量が多くなり、その熱によって
光導波路の屈折率が変化する。

【０００５】ここで、以下の（１）式を満足する角度θ
（ブラッグ角）で、導波光が表面弾性波の波面に対して
入射したときにブラッグ回折が起き、偏向される。 θ＝ｓｉｎ^-1（λ／２Λ） ……（１） λ：導波光の波長 Λ：表面弾性波の波長

【０００６】ところが、トランスジューサの熱によって
光導波路の屈折率がｎからｎ’に変化すると、導波光の
波長λもλ’＝（ｎ／ｎ’）λに変化するので、（１）
式より、ブラッグ角もθ’＝ｓｉｎ^-1（λ’／２Λ）と
なる。一方、回折効率（＝回折光強度／入射光強度）
は、導波光がブラッグ角で表面弾性波と交差する場合に
最も高い値となり、導波光の入射角度がブラッグ角から
ずれるにつれて回折効率が悪くなる。従って、トランス
ジューサでの熱の発生は、導波光の入射角度をブラッグ
角からずらして回折効率の低下を引き起こし、光偏向器
から出射する光の強度低下をもたらすことになる。

【０００７】また、トランスジューサでの発熱は、表面
弾性波の伝搬速度を変化させる。例えばトランスジュー
サが傾斜指チャープ型櫛歯状電極で、その櫛歯状電極に
時間的に周波数が変化する高周波電気信号を印加する場
合、周波数ｆの信号を印加して波長Λの表面弾性波を発
生させるとする。このときの表面弾性波の伝搬速度をｖ
とすると、以下の（２）式の関係がある。ｖ＝ｆΛ ……（２）

【０００８】ところが、トランスジューサの熱によって
表面弾性波の伝搬速度がｖからｖ’に変化すると、周波
数ｆは変化しないので、（２）式より表面弾性波の波長
はΛ’＝（ｖ’／ｖ）Λとなる。従って、（１）式より
導波光の偏向角は、θ₁からθ₁’＝ｓｉｎ^-1（λ／（２
（ｖ’／ｖ）Λ））に変化する。つまり、トランスジュ
ーサでの熱の発生は、導波光の偏向角を変化させる。そ
の結果、光偏向器から出射する光の出射角が変動する。

【０００９】以上のことから、トランスジューサの発熱
が無視できない場合は、光偏向器の最も重要な性能の一
つである出射光の強度安定性と出射角精度を著しく低下
させることになる。

【００１０】また、大きな電力をトランスジューサに入
力するため、トランスジューサの耐久性が低下する。さ
らに、大きな電力を入力するということは、周辺に対し
て大きな電磁波を発生させることを意味しており、光偏
向器の周辺の回路や機器等の誤動作を招いたり、人体等
にも悪影響を及ぼす心配がある。このような悪影響を周
辺に及ぼさないようにするためには、光偏向器を金属板
等にてシールドする必要がある。しかし、このような処
置は製造コストのアップや部品サイズのアップを招くと
いう問題があった。

【００１１】そこで、本発明の目的は、小さな入力電力
で高い回折効率を得て、高い精度で導波光を偏向するこ
とができる光偏向器を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る光偏向器は、（ａ）基板と
（ｂ）前記基板上の圧電性薄膜光導波路と、（ｃ）電気
信号を変換して表面弾性波を発生させるためのトランス
ジューサと、（ｄ）前記圧電性薄膜光導波路に光を入射
するための光入射手段と（ｅ）前記圧電性薄膜光導波路
を進行する光を外部に出射するための光出射手段とを備
え、（ｆ）前記表面弾性波がセザワ波であること、を特
徴とする。具体的には、例えば、基板としてはＳｉ基板
やサファイア基板等が用いられ、圧電性薄膜光導波路と
してはＺｎＯ薄膜等が用いられる。

【００１３】以上の構成により、表面弾性波として、レ
ーリー波の２次モードであるセザワ波を利用しているた
め、電気機械結合係数ｋ²が大きくなる。

【００１４】さらに、屈折率が圧電性薄膜光導波路より
低い光学的バッファ層を、基板と圧電性薄膜光導波路と
の間に設けたため、基板より屈折率の低い圧電性薄膜を
用いても、圧電性薄膜を光導波路として機能させること
ができる。光学的バッファ層としては、例えば、ＳｉＯ
₂薄膜等が用いられる。

【００１５】また、圧電性薄膜光導波路を間に挟んでト
ランスジューサに対向する導電膜を設けることによっ
て、さらに、電気機械結合係数ｋ²の数値がアップす
る。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光偏向器の実
施形態について添付図面を参照して説明する。

【００１７】［第１実施形態、図１〜図５］図１に示す
ように、光偏向器１は、概略、基板２と、この基板２上
に形成された圧電性薄膜光導波路４と、トランスジュー
サ５と、入射用グレーティングカプラ１５及び出射用グ
レーティングカプラ１６にて構成されている。

【００１８】基板２には、Ｓｉ基板あるいはサファィア
基板等が用いられる。第１実施形態では（００１）面の
Ｓｉ基板を用いた。Ｓｉ基板２の屈折率は約３．５であ
り、光導波路４の屈折率（例えば光導波路としてＺｎＯ
薄膜を用いた場合は約２．０）より高いので、Ｓｉ基板
２上に直接に光導波路４を形成しても、光導波路４は導
波路として利用することができない。光が光導波路４か
らＳｉ基板２側に透過するからである。そのため、屈折
率が光導波路４より低い光学的バッファ層３を設けて導
波光Ｌを光導波路４内に閉じ込めている。光学的バッフ
ァ層３は、第１実施形態の場合、屈折率が約１．５のＳ
ｉＯ₂薄膜からなり、Ｓｉ基板２上に熱酸化法等の方法
により形成される。ただし、バッファ層３はスパッタリ
ング法、ＣＶＤ法等の方法により形成してもよい。

【００１９】導波光Ｌの導波損失は、光学的バッファ層
３の膜厚が所定の膜厚より薄くなると急激に増大する
が、その膜厚は導波光Ｌの波長及びモード、光導波路４
の膜厚、基板２と光導波路４と光学的バッファ層３のそ
れぞれの屈折率に依存している。例えば、導波光Ｌの波
長を６３２．８ｎｍ、導波光ＬのモードをＴＭ₀モー
ド、光導波路４として膜厚が３．２μｍのＺｎＯ薄膜を
用いた場合、導波光Ｌの伝搬損失を２ｄＢ／ｃｍ以下に
するためには、ＳｉＯ₂薄膜の膜厚は０．２５μｍ以上
に設定する必要がある。

【００２０】この光学的バッファ層３上に、例えばレー
ザアブレーション法、スパッタリング法、真空蒸着法、
ＣＶＤ法、ゾル−ゲル法等の方法により光導波路４が形
成される。光導波路４の材料としては、例えばＺｎＯ等
の圧電性を有する材料を用いる。第１実施形態の場合、
光導波路４として（０００１）ＺｎＯ薄膜を用いた。

【００２１】光導波路４上には、中央部手前寄りにトラ
ンスジューサの櫛歯状電極５が、フォトリソグラフィ法
やリフトオフ法やエッチング法等の方法によりＡｌ等に
て形成されている。櫛歯状電極５は、高周波信号発生器
８で発生した高周波電気信号を表面弾性波に変換するた
めのものであり、光導波路４に表面弾性波９を励起す
る。図２に示すように、櫛歯状電極５は、正規型電極と
称されるもので、電極指の幅と間隙が一定の寸法ｄに設
定されている。この正規型電極は、波長４ｄの表面弾性
波を最も効率良く励起することができる。図２では電極
指を１．５対有した電極を図示している。高周波信号発
生器８は、例えばＶＣＯ（電圧制御発振器）等が用いら
れる。

【００２２】さらに、光導波路４上の左右両側部に入射
用グレーティングカプラ１５及び出射用グレーティング
カプラ１６が配設されている。入射用グレーティングカ
プラ１５は光源から放射された光ビームＬを光導波路４
に入射させるためのものである。出射用グレーティング
カプラ１６は光導波路４を進行する導波光Ｌを外部に出
射するためのものである。これらグレーティングカプラ
１５，１６は、それぞれ一定のピッチで設けられてお
り、その材料としては例えば光導波路４と同様の材料が
使用される。グレーティングカプラ１５，１６は電子線
描画法、フォトリソグラフィ法、二光束干渉法等の方法
により形成される。

【００２３】以上の構成からなる光偏向器１において、
表面弾性波９は、Ｓｉ基板２の＜１１０＞方向、具体的
には図中矢印ａ方向に光導波路４を伝搬する。ここで、
光導波路４のＺｎＯ薄膜の膜厚ｈを、レーリー波の２次
モードであるセザワ波が励起されるように、３．２μｍ
に設定しておく。櫛歯状電極５の電極指の幅及び間隔を
それぞれ２μｍすなわち表面弾性波の波長Λを８μｍと
し、Ｋ＝２π／Λとすると、ｈＫ＝２．５となる。表面
弾性波としてはレーリー波の２次モードであるセザワ波
が伝搬され、このときのセザワ波の電気機械結合係数ｋ
²は最も高い数値（約０．０４）となる。電気機械結合
係数ｋ²は、基板２の種類、並びに光導波路４の種類と
膜厚で決まる。

【００２４】図３は、電気機械結合係数ｋ²と光導波路
４であるＺｎＯ薄膜の膜厚ｈの関係を示すグラフであ
る。図３より、セザワ波の電気機械結合係数ｋ²が０．
０１７以上で励起される条件は、ＺｎＯ薄膜４の膜厚ｈ
が関係式１．０＜ｈＫ＜５．０を満たす範囲である。また、セザワ波の電気機械結合係
数ｋ²が０．０３８以上で励起される条件は、ＺｎＯ薄
膜４の膜厚ｈが関係式２．０＜ｈＫ＜２．９を満たす範囲である。このように、表面弾性波としてセ
ザワ波を利用することによって、電気機械結合係数ｋ²
が大きい光偏向器１が得られる。従って、高効率で表面
弾性波９を励起することができる。

【００２５】なお、図３には比較のため、従来のレーリ
ー波を利用した光偏向器の電気機械結合係数ｋ²を一点
鎖線２０にて表示している。この光偏向器は、溶融石英
基板上に光導波路としてＺｎＯ薄膜を形成し、さらに、
そのＺｎＯ薄膜上にトランスジューサとして正規型櫛歯
状電極を設けたものである。このトランスジューサに高
周波信号が印加されると、表面弾性波としてレーリー波
が励起される。例えば、このＺｎＯ薄膜の膜厚を３μｍ
に設定し、上記トランスジューサとして正規型櫛歯状電
極の電極指の幅と間隙をそれぞれ２μｍとしたものを用
いたとき、ｈＫ＝２．３となり、電気機械結合係数ｋ²
は最も高い数値（約０．０１２）となるが、セザワ波の
電気機械結合係数ｋ²と比較してその数値は小さく、効
率が悪い。

【００２６】一方、図示しない光源からの入射光Ｌは、
入射用グレーティングカプラ１５によって光導波路４に
入射された後、光導波路を進行する。そして、図４に示
すように、光導波路４を進行する導波光Ｌは、矢印ａ方
向に進行する１周期毎の波面を表示した波長Λの表面弾
性波９と交差する。その交差角をθ、導波光Ｌの波長を
λとすると、 θ＝ｓｉｎ^-1（λ／２Λ）の条件を満足するとき、音響光学効果によるブラッグ回
折現象が起き、導波光Ｌは回折され、偏向される。偏向
された導波光Ｌは、出射用グレーティングカプラ１６に
よって外部へ出射される。

【００２７】図５は、光偏向器１のトランスジューサ５
に入力された高周波電気信号の電力と回折効率の関係を
評価した結果を示すグラフである（実線２５参照）。評
価に用いた光源は波長６３２．８ｎｍのＨｅ−Ｎｅレー
ザで、偏向板を用いてＴＥ₀モードで光導波路４を進行
するようにした。そして、回折光の強度と未回折光の強
度をそれぞれ光パワーメータを用いて測定し、その測定
値に基づいて回折効率を算出した。なお、図５には、比
較のため、前記図３において用いた従来のレーリー波を
利用した偏向器の測定結果も合わせて表示している（点
線２６参照）。図５より、光偏向器１が小さな入力電力
の領域で高い回折効率を得ていることがわかる。

【００２８】以上のように、光偏向器１は、表面弾性波
としてレーリー波の２次モードであるセザワ波を利用す
るので、大きな電気機械結合係数ｋ²で表面弾性波を励
起することができ、小さな入力電力で回折効率の高いも
のとなる。そして、小さな入力電力ですむので、トラン
スジューサ５の耐久性が向上する。しかも、トランスジ
ューサ５での発熱も少なくなり、熱の影響による光導波
路４の屈折率変動が減少し、出射光の出射角や強度の変
動も小さくなり、高精度の偏向が得られる。また、小さ
な入力電力ですむので、周辺の回路、機器及び人体等に
与える電磁波の影響を低減でき、電磁シールドも簡単な
ものですみ、光偏向器全体のコストを低く、かつサイズ
ダウンを図ることができる。

【００２９】［第２実施形態、図６〜図８］図６及び図
７に示すように、光偏向器３１は、カウンタ電極３２を
残して、前記第１実施形態の光偏向器１と同様のもので
ある。カウンタ電極３２は、光学的バッファ層３と光導
波路４の間に配設され、光導波路４を間に挟んでトラン
スジューサ５に対向している。カウンタ電極３２はフォ
トリソグラフィ法やリフトオフ法やエッチング法等の方
法によりＡｌ等にて形成されている。

【００３０】トランスジューサ５に高周波電気信号が印
加されると、表面弾性波としてレーリー波の２次モード
であるセザワ波が励起され、光導波路４をセザワ波が伝
搬する。図８に示すように、このときのセザワ波の電気
機械結合係数ｋ²は、ｈＫ＝１．６５のとき最も高い数
値（約０．０５６）となる。図８より、セザワ波の電気
機械結合係数ｋ²が０．０１７以上で励起される条件
は、ＺｎＯ薄膜４の膜厚ｈが関係式１．０＜ｈＫ＜５．０を満たす範囲である（実線３５参照）。なお、ｈＫが
０．９でも、電気機械結合係数ｋ²は０．０１７以上と
なるが、この領域はｋ²の変化が急峻であるため、ｈＫ
の僅かな差によってｋ²が大きく変化することとなる。
そこで、安定性を考慮してｈＫの範囲を狭く設定してい
る。また、セザワ波の電気機械結合係数ｋ²が０．０５
３以上で励起される条件は、ＺｎＯ薄膜４の膜厚ｈが関
係式１．２＜ｈＫ＜２．１を満たす範囲である。このように、カウンタ電極３２を
設けることによって電気機械結合係数ｋ²を、前記第１
実施形態の光偏向器１の電気機械結合係数ｋ²（一点鎖
線３６参照）より大きくすることができる。

【００３１】［他の実施形態］なお、本発明に係る光偏
向器は前記実施形態に限定するものではなく、その要旨
の範囲内で種々に偏向することができる。導波光は、Ｔ
Ｍ₀モードやＴＥ₀モードの他に、例えばＴＭ₁モード、
あるいはＴＥ₁モード等であってもよい。また、圧電性
薄膜光導波路は、基板上に必ずしも一様の膜厚で設ける
必要はなく、例えばトランスジューサが設けられている
領域の膜厚を３．２μｍとし、残りの領域の膜厚を１．
０μｍとしてもよい。

【００３２】また、トランスジューサは、正規型櫛歯状
電極に限るものではなく、図９に示すように、電極指の
幅と間隙が徐々に変化（ｄ₁＜ｄ₂＜…＜ｄ_n-1＜ｄ_n）
し、波長が４ｄ₁〜４ｄ_nに渡る広帯域の表面弾性波を励
振することができるチャープ型櫛歯状電極４１であって
もよい。図９では、電極指をｎ対有した電極を図示して
いる。

【００３３】さらに、トランスジューサは、図１０、図
１１、図１２及び図１３に示した傾斜指チャープ型櫛歯
状電極４２，４３，４４や湾曲指型櫛歯状電極４５であ
ってもよい。特に、櫛歯状電極４３，４４は外部高周波
信号発生器とインピーダンスマッチングさせ易いように
ドッグレッグ構造が採用されている。これらの櫛歯状電
極４２〜４５は、電極指の角度を異ならせて各波長の表
面弾性波の伝搬方向を異ならせることにより、各波長で
のブラッグ角の違いを考慮している。また、櫛歯状電極
の電極指は前記実施形態のようにシングル電極に限るも
のではなく、表面弾性波の内部反射や一方向性を考慮し
たダブル電極や一方向性電極等であってもよい。

【００３４】さらに、トランスジューサは、図１４に示
した多段傾斜アレイ型櫛歯状電極４６であってもよい。
これによって、薄膜光導波路を進行する導波光が、４個
の櫛歯状電極４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのそれぞ
れによって発生した表面弾性波とそれぞれ音響光学相互
作用し、多段回折（具体的には４回のブラッグ回折）を
行うことができる。

【００３５】また、前記実施形態は、（００１）面のＳ
ｉ基板を用い、表面弾性波の伝搬方向をＳｉ基板の＜１
１０＞方向に設定しているが、それぞれ異なる面や方向
を採用してもよい。例えば、（１１１）面のＳｉ基板を
用い、表面弾性波の伝搬方向をＳｉ基板の＜１１−２＞
方向に設定してもよい。そのとき、ＺｎＯ薄膜の膜厚を
ｈＫ＝２．７となるようにすれば、電気機械結合係数ｋ
²は約０．０３５となり、同様の効果を得ることができ
る。

【００３６】さらに、光入射手段や光出射手段として、
プリズムカプラ等を用いたり、光導波路の端面を導波光
の入出射面とする光入出射手段等であってもよい。ある
いは、光導波路に集光レンズ部、発散レンズ部、コリメ
ートレンズ部等を設けたものであってもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、表面弾性波としてレーリー波の２次モードであ
るセザワ波を利用するので、大きな電気機械結合係数ｋ
²で表面弾性波を励起することができ、小さな入力電力
で回折効率の高い光偏向器を得ることができる。そし
て、小さな入力電力ですむので、トランスジューサの耐
久性が向上する。しかも、トランスジューサでの発熱も
少なくなり、熱の影響による光導波路の屈折率変動が減
少し、出射光の出射角や強度の変動も小さくなり、高精
度の偏向が得られる。また、小さな入力電力ですむの
で、周辺の回路、機器及び人体等に与える電磁波の影響
を低減でき、電磁シールドも簡単なものですみ、光偏向
器全体のコストを低く、かつサイズダウンを図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光偏向器の第１実施形態を示す斜
視図。

【図２】図１に示したトランスジューサの平面図。

【図３】図１に示した光偏向器の電気機械結合係数ｋ²
とＺｎＯ薄膜の膜厚との関係を示すグラフ。

【図４】ブラッグ回折現象を示す説明図。

【図５】図１に示した光偏向器の回折効率と入力電力と
の関係を示すグラフ。

【図６】本発明に係る光偏向器の第２実施形態を示す斜
視図。

【図７】図６のVII−VII断面図。

【図８】図６に示した光偏向器の電気機械結合係数ｋ²
とＺｎＯ薄膜の膜厚との関係を示すグラフ。

【図９】トランスジューサの変形例を示す平面図。

【図１０】トランスジューサの別の変形例を示す平面
図。

【図１１】トランスジューサのさらに別の変形例を示す
平面図。

【図１２】トランスジューサのさらに別の変形例を示す
平面図。

【図１３】トランスジューサのさらに別の変形例を示す
平面図。

【図１４】トランスジューサのさらに別の変形例を示す
平面図。

【符号の説明】

１…光偏向器２…基板３…光学的バッファ層４…圧電性薄膜光導波路５…トランスジューサ９…表面弾性波１５…入射用グレーティングカプラ１６…出射用グレーティングカプラ３１…光偏向器３２…カウンタ電極４１，４２，４３，４４，４５，４６…トランスジュー
サＬ…光

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と前記基板上の圧電性薄膜光導波路
と、電気信号を変換して表面弾性波を発生させるためのトラ
ンスジューサと、前記圧電性薄膜光導波路に光を入射するための光入射手
段と前記圧電性薄膜光導波路を進行する光を外部に出射
するための光出射手段とを備え、前記表面弾性波がセザワ波であること、を特徴とする光偏向器。
【請求項２】屈折率が前記圧電性薄膜光導波路より低
い光学的バッファ層を、前記基板と前記圧電性薄膜光導
波路との間に設けたことを特徴とする請求項１記載の光
偏向器。
【請求項３】前記圧電性薄膜光導波路がＺｎＯ薄膜で
あることを特徴とする請求項２記載の光偏向器。
【請求項４】前記ＺｎＯ薄膜の厚みをｈ、前記セザワ
波の波長をΛとすると、１．０＜ｈＫ＜５．０Ｋ＝２π／Λ の関係を満足していることを特徴とする請求項３記載の
光偏向器。
【請求項５】前記ＺｎＯ薄膜の厚みをｈ、前記セザワ
波の波長をΛとすると、２．０＜ｈＫ＜２．９Ｋ＝２π／Λ の関係を満足していることを特徴とする請求項３記載の
光偏向器。
【請求項６】前記基板がＳｉ基板であることを特徴と
する請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求
項５記載の光偏向器。
【請求項７】前記光学的バッファ層がＳｉＯ₂薄膜で
あることを特徴とする請求項２、請求項３、請求項４、
請求項５又は請求項６記載の光偏向器。
【請求項８】前記圧電性薄膜光導波路を間に挟んで前
記トランスジューサに対向する導電膜を設けたことを特
徴とする請求項１記載の光偏向器。
【請求項９】屈折率が前記圧電性薄膜光導波路より低
い光学的バッファ層を、前記基板と前記圧電性薄膜光導
波路との間に設けたことを特徴とする請求項８記載の光
偏向器。
【請求項１０】前記圧電性薄膜光導波路がＺｎＯ薄膜
であることを特徴とする請求項９記載の光偏向器。
【請求項１１】前記ＺｎＯ薄膜の厚みをｈ、前記セザ
ワ波の波長をΛとすると、１．０＜ｈＫ＜５．０Ｋ＝２π／Λ の関係を満足していることを特徴とする請求項１０記載
の光偏向器。
【請求項１２】前記ＺｎＯ薄膜の厚みをｈ、前記セザ
ワ波の波長をΛとすると、１．２＜ｈＫ＜２．１Ｋ＝２π／Λ の関係を満足していることを特徴とする請求項１０記載
の光偏向器。
【請求項１３】前記光学的バッファ層がＳｉＯ₂薄膜
であることを特徴とする請求項９、請求項１０、請求項
１１又は請求項１２記載の光偏向器。