KR940704085A - 모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor) - Google Patents

모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor)

Info

Publication number
KR940704085A
KR940704085A KR1019940702196A KR19940702196A KR940704085A KR 940704085 A KR940704085 A KR 940704085A KR 1019940702196 A KR1019940702196 A KR 1019940702196A KR 19940702196 A KR19940702196 A KR 19940702196A KR 940704085 A KR940704085 A KR 940704085A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mosfet
transistor
auxiliary transistor
electrode
power transistor
Prior art date
Application number
KR1019940702196A
Other languages
English (en)
Inventor
토프 라이너
슈미트 롤란트
외르텔 다그마르
Original Assignee
랄프-홀거 베렌스,위르겐 프리드만
로베르트 보쉬 게엠베하
위르겐 프리드만
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 랄프-홀거 베렌스,위르겐 프리드만, 로베르트 보쉬 게엠베하, 위르겐 프리드만 filed Critical 랄프-홀거 베렌스,위르겐 프리드만
Publication of KR940704085A publication Critical patent/KR940704085A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
    • Y10S323/908—Inrush current limiters

Landscapes

  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 구동 회로의 가변 입력 임피던스의 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)를 보호하는 회로이며, 전압 경사가 증가되어 스위칭 시간이 감축되는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로에 관한 것이다.
이를 위해 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)는 그 제2MOSFET 보조 트랜지스터의 총합 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되고, MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 소스 전극은 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 게이트 전극과 제2MOSFET 전력용 트랜지스터의 다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 입력 단자(G)에 접속되고, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 한편으로는 MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극에 접속되며 다른 한편으로는 MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 소스 전극에 접속되고, 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 그리고 MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의의 총합 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속된다.

Description

모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 보호 회로를 갖는 MOSFET 보조 트랜지스터를 도시한다, 제2도는 다른 보호 회로를 갖는 MOSFET 보조 트랜지스터를 도시한다, 제4도는 또다른 보호 회로에 대한 블럭도를 도시한다.

Claims (7)

  1. 상호 병렬로 접속되어 있는 복수의 부분 트랜지스터들을 구비하고, 소스 접속 단자(5), 드레인 접속 단자(1)를 구비하여, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 하나의 입력 단자(G)는 제1옴저항(R1)을 경유하여 그 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되고, 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)는 그 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되어 그 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 드레인 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되고, 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 다결정 실리콘 게이트는 한편으로는 제2옴저항(R21)을 경유하여 입력 단자(G)에 접속되며 다른 한편으로는 제3저항(R22)과 보호 회로(D1)의 직렬 회로를 경유하여 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의드레인 접속 단자(D)에 접속되고, 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 다결정 실리콘 게이트는 캐패시터(C1)의 플레이트들중 한 플레이트에 접속되며 그 플레이트들중 다른 플레이트는 MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 접속되는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로에 있어서, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)는 그 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 총합 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되고, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 소스 전극은 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 게이트 전극과 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 입력단자(G)에 접속되고 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 한편으로는 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극에 접속되며 다른 한편으로는 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 소스 전극에 접속되고, 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 그리고 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 총합 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  2. 제1항에 있어서, 제5MOSFET 보조 트랜지스터(T5)의 드레인 전극과 게이트 전극은, 한편으로는 옴저항(R21)을 경유하여 입력 단자에 접속되고 다른 한편으로는 옴저항(R22)의 직렬 회로를 경유하여 보호용 다이오드(D1)와, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 드레인 접속 단자(D)에 접속되며, MOSFET 보조 트랜지스터(T5)의 소스 전극은 입력 단자(G)에 접속되고, MOSFET 보조 트랜지스터(T5)의 총합 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 접속 단자(S)에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  3. 선행항중 한 항에 있어서, MOSFET 보조 트랜지스터(T3,T4,T5)은 자유롭게 선택될 수 있는 입의의 조합들로 배치되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  4. 제1항에 있어서, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트와 입력 단자(G) 사이에, 옴저항(R2)과 다이오드의 직렬 회로.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 입력 단자(G)와, 저항(R22)과 다이오드(D1)의 직렬 회로 사이에, 옴저항(R4)과 다이오드(D4)의 직렬 회로와, 옴저항(R5)과 다이오드(D5)의 직렬 회로 각각의 병렬 회로가 배치되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  6. 선행항중 한 항에 있어서, 상기 회로가 단락 보호 회로 및/또는 초과 온도 보호 회로(12) 및/또는 초과 전류 보호 회로 및/또는 초과 전류 보호 회로(16)로서 사용되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  7. 선행항중 한 항에 있어서, 전체 회로 장치가, 제1 및 제2주계면을 나타내고 실리콘을 구비하며 다양한 회로 소자들과 보호 소자들이 각각 확산되어 있는 웨이퍼형 단결정 반도체칩(semiconductor body)에 단일체(monolithic)로 직접되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940702196A 1992-11-06 1993-10-28 모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor) KR940704085A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4237489A DE4237489A1 (de) 1992-11-06 1992-11-06 Schaltung zum Schutz eines MOSFET-Leistungstransistors
DEP4237489.8 1992-11-06
PCT/DE1993/001029 WO1994011947A1 (de) 1992-11-06 1993-10-28 Schaltung zum schutz eines mosfet-leistungstransistors

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940704085A true KR940704085A (ko) 1994-12-12

Family

ID=6472258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940702196A KR940704085A (ko) 1992-11-06 1993-10-28 모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor)

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5424892A (ko)
EP (1) EP0620957B1 (ko)
JP (1) JPH07502876A (ko)
KR (1) KR940704085A (ko)
DE (2) DE4237489A1 (ko)
WO (1) WO1994011947A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0617512A3 (de) * 1993-03-22 1995-06-28 Siemens Ag Aktiver Gate-Widerstand.
IE950365A1 (en) * 1994-09-27 1996-04-03 Armstrong Charles V Power cut-off device
US5745323A (en) * 1995-06-30 1998-04-28 Analog Devices, Inc. Electrostatic discharge protection circuit for protecting CMOS transistors on integrated circuit processes
US5751525A (en) * 1996-01-05 1998-05-12 Analog Devices, Inc. EOS/ESD Protection circuit for an integrated circuit with operating/test voltages exceeding power supply rail voltages
US5761020A (en) * 1996-01-29 1998-06-02 International Rectifier Corporation Fast switching smartfet
US5710689A (en) * 1996-06-24 1998-01-20 Xerox Corporation Overcurrent protection for an ink-jet printhead
US5917689A (en) * 1996-09-12 1999-06-29 Analog Devices, Inc. General purpose EOS/ESD protection circuit for bipolar-CMOS and CMOS integrated circuits
US5838146A (en) * 1996-11-12 1998-11-17 Analog Devices, Inc. Method and apparatus for providing ESD/EOS protection for IC power supply pins
WO2000033380A1 (de) * 1998-12-03 2000-06-08 Infineon Technologies Ag Steuerbares halbleiterbauelement mit einem gatevorwiderstand
JP4846106B2 (ja) * 2001-02-16 2011-12-28 三菱電機株式会社 電界効果型半導体装置及びその製造方法
DE10340603B4 (de) * 2003-09-01 2009-06-10 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung und Spannungsregeleinrichtung mit Schaltungsanordnung
US7119999B2 (en) * 2004-03-20 2006-10-10 Texas Instruments Incorporated Pre-regulator with reverse current blocking
JP4477952B2 (ja) * 2004-07-09 2010-06-09 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置、ｄｃ／ｄｃコンバータおよび電源システム
GB0416882D0 (en) * 2004-07-29 2004-09-01 Koninkl Philips Electronics Nv Mosfet device and related method of operation
JP5492518B2 (ja) * 2009-10-02 2014-05-14 株式会社日立製作所 半導体駆動回路、及びそれを用いた半導体装置
JP5383426B2 (ja) 2009-10-23 2014-01-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 異常検出時急速放電回路
US8339181B2 (en) * 2009-11-05 2012-12-25 Honeywell International Inc. Low-side driver high-voltage transient protection circuit
EP2522075B1 (en) * 2010-04-08 2017-09-13 Siemens Aktiengesellschaft Circuit and method for protecting a controllable power switch
US9344078B1 (en) * 2015-01-22 2016-05-17 Infineon Technologies Ag Inverse current protection circuit sensed with vertical source follower
US11146257B2 (en) * 2019-12-04 2021-10-12 Denso International America, Inc. Latching DC switch circuit with overcurrent protection using field effect transistors

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5151602A (en) * 1990-02-15 1992-09-29 Matsushita Electric Works, Ltd. Semiconductor relay circuit using photovoltaic diodes
US5179488A (en) * 1990-07-26 1993-01-12 Rosemount Inc. Process control instrument with loop overcurrent circuit
US5283707A (en) * 1992-11-27 1994-02-01 Northern Telecom Limited Inrush current limiting circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP0620957A1 (de) 1994-10-26
DE59305457D1 (de) 1997-03-27
WO1994011947A1 (de) 1994-05-26
DE4237489A1 (de) 1994-05-11
EP0620957B1 (de) 1997-02-12
US5424892A (en) 1995-06-13
JPH07502876A (ja) 1995-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940704085A (ko) 모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor)
KR860003664A (ko) 칩온칩(Chip-on-Chip)반도체 장치
SE9704149D0 (sv) A semiconductor device of SiC and a transistor of SiC having an insulated gate
KR890015407A (ko) 바이폴라 트랜지스터와 전계효과 트랜지스터를 가지는 반도체 집적회로장치
KR940017215A (ko) 과전압 보호기능을 지니는 저(low)전압 입력 및 출력회로
KR900004108A (ko) 파워 mos 트랜지스터가 구비된 모놀리딕 쌍방향 스위치
KR840008097A (ko) 기판 바이어스 전압제어회로 및 방법
KR970072397A (ko) 반도체 장치
KR880012008A (ko) 전원절환회로
KR840004835A (ko) 집적가능 반도체계 전기용 회로
KR890012398A (ko) Mos형 반도체장치의 입력보호회로
KR890005977A (ko) 증폭기 장치
KR870006721A (ko) 반도체 전자회로
KR870006571A (ko) 반도체 기억장치
KR940006258A (ko) 반도체장치 및 고체촬상장치의 수평레지스터
KR900005446A (ko) 반도체 디바이스
KR970024162A (ko) 풀업 또는 풀다운 저항을 갖는 반도체 장치(a semiconductor device having pull-up or pull-down resistance)
KR940020669A (ko) 바이어스 회로(bias circuit)
KR930006875A (ko) 집적회로
KR980006260A (ko) 반도체 장치의 보호 소자
KR960036330A (ko) 논리 게이트 회로 및 디지털 집적회로
KR880005743A (ko) 비교기
KR950034763A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR970030788A (ko) Cmos 반도체 장치
SU1497740A1 (ru) Инвертор

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee