KR940704085A - 모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor) - Google Patents

모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor)

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KR940704085A
KR940704085A KR1019940702196A KR19940702196A KR940704085A KR 940704085 A KR940704085 A KR 940704085A KR 1019940702196 A KR1019940702196 A KR 1019940702196A KR 19940702196 A KR19940702196 A KR 19940702196A KR 940704085 A KR940704085 A KR 940704085A
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KR
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mosfet
transistor
auxiliary transistor
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power transistor
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KR1019940702196A
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토프 라이너
슈미트 롤란트
외르텔 다그마르
Original Assignee
랄프-홀거 베렌스,위르겐 프리드만
로베르트 보쉬 게엠베하
위르겐 프리드만
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Abstract

본 발명은 구동 회로의 가변 입력 임피던스의 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)를 보호하는 회로이며, 전압 경사가 증가되어 스위칭 시간이 감축되는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로에 관한 것이다.
이를 위해 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)는 그 제2MOSFET 보조 트랜지스터의 총합 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되고, MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 소스 전극은 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 게이트 전극과 제2MOSFET 전력용 트랜지스터의 다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 입력 단자(G)에 접속되고, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 한편으로는 MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극에 접속되며 다른 한편으로는 MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 소스 전극에 접속되고, 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 그리고 MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의의 총합 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속된다.

Description

모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 보호 회로를 갖는 MOSFET 보조 트랜지스터를 도시한다, 제2도는 다른 보호 회로를 갖는 MOSFET 보조 트랜지스터를 도시한다, 제4도는 또다른 보호 회로에 대한 블럭도를 도시한다.

Claims (7)

  1. 상호 병렬로 접속되어 있는 복수의 부분 트랜지스터들을 구비하고, 소스 접속 단자(5), 드레인 접속 단자(1)를 구비하여, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 하나의 입력 단자(G)는 제1옴저항(R1)을 경유하여 그 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되고, 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)는 그 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되어 그 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 드레인 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되고, 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 다결정 실리콘 게이트는 한편으로는 제2옴저항(R21)을 경유하여 입력 단자(G)에 접속되며 다른 한편으로는 제3저항(R22)과 보호 회로(D1)의 직렬 회로를 경유하여 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의드레인 접속 단자(D)에 접속되고, 제1MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 다결정 실리콘 게이트는 캐패시터(C1)의 플레이트들중 한 플레이트에 접속되며 그 플레이트들중 다른 플레이트는 MOSFET 보조 트랜지스터(T2)의 소스 전극에 접속되는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로에 있어서, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)는 그 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 총합 전극에 의해서 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되고, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 소스 전극은 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 게이트 전극과 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 입력단자(G)에 접속되고 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 게이트 전극은 한편으로는 제2MOSFET 보조 트랜지스터(T3)의 드레인 전극에 접속되며 다른 한편으로는 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 소스 전극에 접속되고, 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 드레인 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)다결정 실리콘 게이트에 접속되며, 그리고 제3MOSFET 보조 트랜지스터(T4)의 총합 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 전극에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  2. 제1항에 있어서, 제5MOSFET 보조 트랜지스터(T5)의 드레인 전극과 게이트 전극은, 한편으로는 옴저항(R21)을 경유하여 입력 단자에 접속되고 다른 한편으로는 옴저항(R22)의 직렬 회로를 경유하여 보호용 다이오드(D1)와, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 드레인 접속 단자(D)에 접속되며, MOSFET 보조 트랜지스터(T5)의 소스 전극은 입력 단자(G)에 접속되고, MOSFET 보조 트랜지스터(T5)의 총합 전극은 MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 소스 접속 단자(S)에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  3. 선행항중 한 항에 있어서, MOSFET 보조 트랜지스터(T3,T4,T5)은 자유롭게 선택될 수 있는 입의의 조합들로 배치되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  4. 제1항에 있어서, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 다결정 실리콘 게이트와 입력 단자(G) 사이에, 옴저항(R2)과 다이오드의 직렬 회로.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, MOSFET 전력용 트랜지스터(T1)의 입력 단자(G)와, 저항(R22)과 다이오드(D1)의 직렬 회로 사이에, 옴저항(R4)과 다이오드(D4)의 직렬 회로와, 옴저항(R5)과 다이오드(D5)의 직렬 회로 각각의 병렬 회로가 배치되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  6. 선행항중 한 항에 있어서, 상기 회로가 단락 보호 회로 및/또는 초과 온도 보호 회로(12) 및/또는 초과 전류 보호 회로 및/또는 초과 전류 보호 회로(16)로서 사용되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
  7. 선행항중 한 항에 있어서, 전체 회로 장치가, 제1 및 제2주계면을 나타내고 실리콘을 구비하며 다양한 회로 소자들과 보호 소자들이 각각 확산되어 있는 웨이퍼형 단결정 반도체칩(semiconductor body)에 단일체(monolithic)로 직접되는 것을 특징으로 하는 MOSFET 전력용 트랜지스터 보호 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940702196A 1992-11-06 1993-10-28 모스펫(MOSFET) 전력용 트랜지스터 보호회로(Circuit for protecting a MOSFET power transistor) KR940704085A (ko)

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PCT/DE1993/001029 WO1994011947A1 (de) 1992-11-06 1993-10-28 Schaltung zum schutz eines mosfet-leistungstransistors

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