KR940703938A - 저온 플라즈마 및 전착법을 이용한 금속의 피복방법(method of coating metal using low temperature plasma and electrodeposition) - Google Patents

저온 플라즈마 및 전착법을 이용한 금속의 피복방법(method of coating metal using low temperature plasma and electrodeposition)

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KR940703938A
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cathode
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알버트 안토넬리 조셉
린 티아우-진
주 양 덕
히로쯔구 야스다
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미리암 디.메코나헤이
이.아이.듀퐁 드 네모아 앤드 캄파니
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    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D13/00—Electrophoretic coating characterised by the process
    • C25D13/20—Pretreatment

Abstract

본 발명은 금속의 내부식성을 향상시키는데 유용한 저온 플라즈마법의 이용에 관한 것이다. 상기 플라즈마 과정은 기체 플라즈마로 금속 표면을 전처리하여 산소를 제거한 후, 상기 처리된 표면상에 중합체 박막을 플라즈마 전착시키고, 이어서, 하도제를 음극전착시키는 단계를 포함한다.

Description

저온 플라즈마 및 전착법을 이용한 금속의 피복방법(METHOD OF COATING METAL USING LOW TEMPERATURE PLASMA AND ELECTRODEPOSITION)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 방법에 따라 실시되는 플라즈마 전착 시스템의 하나의 실시태양을 나타내는 도식도이며, 제 2 도는 제 1 도의 플라즈마 전착 시스템에 사용된 양극의 정면도이며, 제2A도는 제 2 도의 양극의 확대 측면도이다.

Claims (10)

  1. (a) 금속 기재 표면의 산소 및 산화물을 제거하기 위해 상기 금속 기재를 기체 플라즈마로 플라즈마 전처리하는 단계, (b) 상기 전처리된 금속(이때, 상기 금속 기재는 음극이다) 기재상에 무산소 박막을 형성시키기 위해 유기 화합물을 중합시킴을 포함하며, DC 전력을사용하고, 음극 및 양극을 포함하는 진공 챔버에서 수행하는 플라즈마 전착 단계, 및 (c) 상기 중합체 박막상에 하도제를 적용하여 음극 전착시키는 단계를 포함하는, 금속 기재의 부식을 방지하기 위한 피복방법.
  2. (a) 금속 기재를 아르곤, 수소 또는 이들의 혼합물을 초함한 기체 플라즈마로 플라즈마 전처리하는 단계, (b) 상기 전처리된 금속(이때, 상기 금속 기재는 음극이다) 기재상에 박막을 형성시키기 위해 유리 화합물을 중합시킴을 포함하며, DC 전력을사용하고, 음극 및 양극을 포함하는 진공 챔버에서 수행하는 플라즈마 전착 단계, 및 (c) 상기 중합체 박막상에 하도체를 적용하여 음극 전착시키는 단계를 포함하는, 금속 기재의 부식을 방지하기 위한 피복방법.
  3. 제 1 항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 양극이 (a) 및/또는 (b) 단계에서 자기적으로 강화되는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 기체 플라즈마가 아르곤, 수소 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (b) 단계의 중합체 박막의 플라즈마 전착법에서 메틸실란, 트리메틸실란, 디메틸실란, 테트라메틸실란, 메탄 또는 이들의 혼합물로 이루어진 군중에서 선택된 화합물을 사용하는 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 가공되는 금속 기재가 아연으로 도금되지 않은 냉간압연되거나 피복되지 않은 강철인 방법.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 상기 금속 기재를 전처리하는데 사용된 기체 플라즈마가 아르곤과 수소의 혼합물인 방법.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 단일피복제, 기저피복제(basecoat), 또는 기저피복제와 투명 표면처리 피복제를 상기 하도제상에 도포시키는 (d) 단계를 포함하는 방법.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전처리에 사용된 기체 플라즈마가 20 내지 80몰%의 수소와 80 내지 20몰%의 아르곤을 포함하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계의 전처리에 사용된 기체 플라즈마가 아르곤, 수소, 질소, 크립톤, 헬륨, 네온, 크세논 또는 이들의 혼합물을 포함하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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