KR900016491A - 작업편을 최소한 부분적으로 코팅하기 위한 스퍼터-시 브이 디 방법 - Google Patents

작업편을 최소한 부분적으로 코팅하기 위한 스퍼터-시 브이 디 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

작업편을 최소한 부분적으로 코팅하기 위한 스퍼터-시 브이 디 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 방법실시 및 작업편 제작에 사용되는 장치의 개략도.

Claims (33)

  1. 진공실에서 작업편의 최소한 한 표면을 코팅하기 위한 방법에 있어서, 음극 재료를 스퍼터하기 위하여 진공실의 음극 재료와 양극 재료 사이에 직류전압을 인가하고, 진공실에서 플라즈마 화학반응으로 인하여 최소한 한 성분과의 반응 및 침전할 수 있도록 반응가스를 공급하고, 플라즈마 화학반응으로 인한 반응가스로 부터 성분을 분해 및 침전시키기 위하여 진공실내에 플라즈마를 설치하고, 플라즈마의 직류 전압 전위보다 더 양전기인 직류전압 전위에서 스퍼터 반응 음극 재료로 코팅되는 작업편의 표면을 유지시키되, 고주파 전력의 사용없이 스퍼터 화학증착 방법에 의하여 코팅 되는 작업편의 표면위에 층을 중착시킴을 특징으로 하는 작업편의 최소한 한 표면을 코팅하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 플라즈마의 직류 전위보다 25-45볼트 만큼 더 양전기인 직류 전위에서 작업편 표면을 유지시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 작업편 및 음극 재료에 전류를 공급하되, 작업편에 공급되는 전류는 음극 재료에 공급되는 전류의 최소한 57%가 되게 공급함을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 작업편에 공급되는 전류는 음극재료에 공급되는 전류의 1-1.5배가 되게함을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 작업편에 공급되는 전류는 음극 재료에 공급되는 전류의 1.2배가 되게함을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 음극 재료는 붕소, 탄소, 실리콘, Ⅵa족 금속, Vb족 금속, Ⅵb족, Ⅷb족 금속, 그것들의 합금 중 하나로 구성하고, 그리고 Ⅳa, Va, Ⅳa족 비금속 중 최소한 하나를 섞어서 만든 화합물로 구성함을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 반응가스의 성분이 탄화수소임을 특징으로 하는 방법.
  8. 제1항에 있어서, 반응가스의 성분은 휘발성 실리콘 화합물로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1항에 있어서, 스퍼터 작용을 하는 음극 재료와 양극사이에 직류전압을 인가하기 전에, 이온화할수 있는 중성가스를 진공실에 공급하고, 진공실에 있어서 음전위를 작업편 표면에 인가하고, 진공실의 증발 도가니안에 있는 첨가재료를 증발하기 위하여 첨가재료 쪽으로 전자빔을 직접 주사하고, 증발되는 첨가재료를 이온화하고 이온 도금층인 작업편 표면위에 증발한 첨가재료를 침전시키기 위하여 진공실에 저전압 아크를 설치하고, 그리고, 이온도금층을 침전한 후에, 작업편 표면에 플로우트 전압을 허용하기 위하여 작업편 표면으로 부터 음전 위를 제거함을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에 있어서, 이온화 할 수 있는 중성가스는 아르곤을 함유하고 첨가재료는 티탄늄을 항유하며, 0.1-0.2마이크로미터의 두께로 된 이온도금층의 표면 정도로 긴 작업편 표면에 음전위를 인가함을 특징으로 하는 방법.
  11. 진공실에서 작업편의 최소한 표면을 코팅하기 위한 방법에 있어서, 음극 재료를 소퍼터하기 위하여 진공실의 음극 재료와 양극 사이에 직류 전압을 인가하고, 진공실에서 블라즈마 화학반응으로 인하여 최소한 한 성분과의 반응 및 침전할 수 있도록 반응가스를 공급하고, 플라즈마 화학반응으로 인한 반응가스로 부터 성분을 분해 및 침전시키기 위하여 진공실내에 플라즈마를 설치하고, 양극에 직류 전압 전위가 인가되는 것보다 더 양전기인 직류 전압 전위에서 음극 재료와 작업편 사이에 직류 전압을 인가함에 의하여 이루어진 음극 재료의 스퍼터가 코팅되는 작업편의 표면을 유지시키되, 고주파 전력의 사용없이 스퍼터 화학 증착 방법을 사용하여 작업편 표면 위에 층을 증착시킴을 특징으로 하는 작업편의 최소한 한 표면을 코팅하기 위한 방법.
  12. 제11항에 있어서, 양극의 직류 전위보다 20-47볼트 만큼 더 양전기인, 직류 전위에서 작업편 표면을 유지시키는 것을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 작업편 및 음극 재료에 전류를 공급하되, 작업편에 공급되는 전류는 음극 재료에 공급되는 전류의 최소한 50%가 되게 공급함을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서, 작업편에 공급되는 전류는 음극 재료에 공급되는 전류의 1-1.5배가 되게함을 특징으로 하는 방법.
  15. 제14항에 있어서, 작업편에 공급되는 전류는 음극 재료에 공급되는 전류의 1.2배가 되게함을 특징으로 하는 방법.
  16. 제11항에 있어서, 음극 재료는 붕소, 탄소, 실리콘 Ⅳb족 금속, Vb속 금속, Ⅵb속, Ⅶb족 금속, 그것들의 합금 중 하나로 구성하고, 그리고 Ⅳa, Va, Ⅵa족 비금속중 최소한 하나를 섞어서 만든 화합물로 구성함을 특징으로 하는 방법.
  17. 제11항에 있어서, 반응가스의 성분이 탄화수소임을 특징으로 하는 방법.
  18. 제11항에 있어서, 반응가스의 성분은 휘발성 실리콘 화합물로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
  19. 제11항에 있어서, 스퍼터 작용을 하는 음극 재료와 양극 사이에 직류 전압을 인가하기 전에, 이온화할 수 있는 중성가스를 진공실에 공급하고, 진공실에 있어서 음전위를 작업편 표면에 인가하고, 진공실의 증발 도가니 안에 있는 첨가재료를 증발하기 위하여 첨가재료 쪽으로 전자빔을 직접 주사하고, 증발되는 첨가 재료를 이온화하고 이온 도금층인 작업편 표면위에 증발한 첨가 재료를 침전시키기 위하여 진공실에 저전압 아크를 설치하고, 그리고, 이온 도금층을 침전한 후에, 작업편 표면으로 부터 음전위를 제거함을 포함함을 특징으로 하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 이온화할 수 있는 중성가스는 아르곤을 함유하고 첨가재료는 티탄늄을 함유하며, 0.1-0.2마이크로 미터의 두께로 된 이온 도금충의 표면 정도로 긴 작업된 표면에 음전위를 인가함을 특징으로 하는 방법.
  21. 제1항의 방법에 따라 제조된 코팅표면을 갖는 작업편.
  22. 제10항의 방법에 따라 도포된 코팅을 갖는 작업편에 있어서, 먼저 이온 도금층이 곧 바로 작업편 표면위에 포함되고, 이온도금층 위의 접합층은 이온도금층의 재료 및 스퍼터의 재료 및 반응음극 재료로 구성되고, 그리고 접합층 위의 스퍼터층은 스퍼터 재료 및 반응 음극 재료만으로 이루어짐을 특징으로 하는 작업편.
  23. 제22항에 있어서, 스퍼터충은 탄화 금속/탄소 층으로 구성됨을 특징으로 하는 작업편.
  24. 제22항에 있어서, 스퍼터층은 50-90아텀 퍼 센트의 유리 탄소로 이루어지고, 잔부는 불소 실리론 Ⅳd, Vb, Ⅵb, Ⅷ족의 원소 및 그것들의 혼합물 중 최소한 하나의 탄화물로 구성됨을 특징으로 하는 작업편.
  25. 제21항에 있어서, 작업편위의 층은 탄화 텅스텐/탄소를 포함함을 특징으로 하는 작업편.
  26. 제21항에 있어서, 작업편위의 층은 실리사이드/실리콘으로 구성함을 특징으로 하는 작업편.
  27. 제11항의 방법에 따라 제공된 코팅표면을 갖는 작업편.
  28. 제20항의 방법에 따라 제공된 코팅을 갖는 작업편에 있어서, 먼저 이온 도금층이 곧 바로 작업된 표면위에 포함되고, 이들 도긍층 위의 접합층은 이온도금층의 재료 및 스퍼터의 재료 및 반응 음극 재료로 구성되고, 그리고 접합층 위의 스퍼터층은 스퍼터 재료 및 반응 음극 재료만으로 이루어짐을 특징으로 하는 작업편.
  29. 제25항에 있어서, 스퍼터층은 탄화 금속/탄소 층으로 구성됨을 특징으로 하는 작업편.
  30. 제28항에 있어서, 스퍼터층은 57-90아텀 퍼 센트의 유리 탄소로 이루어지고, 잔부는 붕소, 실리론 Ⅳd, Vd, Ⅵd, Ⅷ족의 원소 및 그것들의 혼합물 중 최소한 하나의 탄화물로 구성됨을 특징으로 하는 작업편.
  31. 제27항에 있어서, 작업편위의 층은 탄화 텅스텐/탄소를 포함함을 특징으로 하는 작업편.
  32. 제27항에 있어서, 작업편위의 층은 실리사이드/실리콘으로 구성함을 특징으로 하는 작업편.
  33. 최소한 하나의 재료는 양극과 함께 작동하는 음극으로서 스퍼터되고, 반응가스의 히나의 성분은 쳄버내의 플라즈마 화학반응에 의해 분해 및 침전되는 진공실에서 화학 증착 스퍼터에 의해 작업편을 최소한 부분적으로 코팅하기 위한 방법에 있어서, 플라즈마 화학 반응 및 양극을 위한 플라즈마의 최소한의 직류 전압 전위보다 더 양전기인 직류 전압 전위에서 코팅 하고자 하는 작업편의 표면을 유지하고, 그리고 음극 재료와 양극 사이에 인가된 직류 전압을 이용하여 음극 재료를 스퍼 터하는 것을 특징으로 하는 작업편을 최소한 부분적으로 코팅하기 위한 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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