KR940022852A - 반도체기억장치 - Google Patents

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KR940022852A
KR940022852A KR1019940005926A KR19940005926A KR940022852A KR 940022852 A KR940022852 A KR 940022852A KR 1019940005926 A KR1019940005926 A KR 1019940005926A KR 19940005926 A KR19940005926 A KR 19940005926A KR 940022852 A KR940022852 A KR 940022852A
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KR
South Korea
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column
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memory device
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Application number
KR1019940005926A
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English (en)
Inventor
마사요시 사사끼
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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    • G11C11/413—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction
    • G11C11/417—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing, timing or power reduction for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/419—Read-write [R-W] circuits
    • G—PHYSICS
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    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out

Abstract

비트선의 충방전(充放電)에 요하는 시간은 짧게 하여 동작속도를 빠르게 하고, 또한 신뢰성 및 수율을 높인다.
메모리셀어레이 MCA가 열방향에서 복수의 행섹션RSa,‥으로 분할되어 있고, 열끼리의 사이에는 1개의 주비트선 MD1‥이 배설되어 있다. 행섹션 RSa',‥중의 열마다 1쌍 씩의 부비트선 Ba1, Ba',‥이 배설되어 있고, 이들을 그 양측의 열에서 인접하고 있는 1개씩의 부비트선 Ba0', Ba2,‥과는 배타적으로 주비트선 MB1, MB2,‥에 접속한다. 그러므로, 주비트선 MB0,‥의 피치를 종래의 대략 2배로 할 수 있다.

Description

반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원의 발명의 일실시예에 있어서의 소메모리셀어레이의 모식적인 회로도.

Claims (4)

  1. 플립플롭을 사용하여 메모리셀이 구성되어 있고, 복수의 상기 메모리셀이 행 및 열방향으로 배열되어 있는 메모리셀어레이를 가진 반도체기억장치에 있어서, 상기 메모리셀어레이가 상기 열방향에서 복수의 소메모리셀어레이로 분할되어 있고, 상기 열끼리의 사이에는 상기 복수의 소메모리셀어레이에 걸쳐서 1개의 주비트선이 배설되어 있고, 상기 소메모리셀어레이중의 상기 열바다 1쌍씩의 부비트선이 배설되어 있고, 상기 1쌍씩의 부비트선을 그들 양측의 상기 열에 있어서 인접하고 있는 1개씩의 상기 부비트선과는 배타적으로 상기 주비트선에 접속하기 위한 서택트랜지스터가 배설되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주비트선에 접속되어 있는 상기 부비트선이 존재하고 있는 상기 열에 대응하는 센스증폭기에, 이 열의 양측의 1쌍의 상기 주비트선이 선택신호에 의해 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 선택트랜지스터를 통한 상기 주비트선과 상기 부비트선과의 상기 접속이 이 부비트선의 길이방향의 중앙부에서 행해지고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치
  4. 제1항에 있어서, 상기 주비트선은 A1을 주체로 하는 재료로 이루어져 있고, 상기 부비트선은 고융점 금속 또는 그 실리사이드를 주체로 하는 재료로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940005926A 1993-03-26 1994-03-24 반도체기억장치 KR940022852A (ko)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-92,546 1993-03-26
JP9254693 1993-03-26
JP5281988A JPH06334138A (ja) 1993-03-26 1993-10-15 半導体記憶装置
JP92-281,988 1993-10-15

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KR940022852A true KR940022852A (ko) 1994-10-21

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ID=26433952

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JPH06334138A (ja) 1994-12-02
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