KR940020484A - 이시알 장비 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가운데에 조그마한 구멍을 갖고 있으며, 웨이퍼가 놓이는 가장자리 부위에 O-링이 형성되어 이 O-링상에 웨이퍼가 놓여지는 원형 웨이퍼 받침대(8), 상기 웨이퍼 받침대(8)의 가운데 구멍 밑 부분에 설치되어 웨이퍼를 올려주는 T자형의 웨이퍼 리프터(16), 상기 웨이퍼 리프터(16)와 일정 갭(gap)을 가지고 상기 웨이퍼 리프터(16)의 연장선 하단에 설치되어 헬륨 가스가 축내에 흐를 수 있는 긴 막대형의 중공측(15), 상기 웨이퍼 받침대(8)에 형성되는 냉각수 순환 부(25), 상기 냉각수 순환 부(25)에 순환하게되는 냉각수를 상기 중공 축(15)과 나란히 종방향으로 형성된 냉각수 관(23), 상기 중공측(15)과 냉각수 관(23)을 감싸는 지지하우징(17), 상기 중공축(15)과 연결되어 있어 이 중공축(15)이 상하 운동할 때 함께 움직여 웨이퍼 테두리를 압착하여 고정시키는 클램프 리프터(14), 상기 웨이퍼 받침대(8)와 공정챔버 하우징(28)의 상하 위치를 조정하게되는 스텝핑 모터(1)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조에 관한 것이다.

Description

이시알 장비
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 전극구조,
제2도는 본 발명에 따른 냉각수 흐름을 도시한 웨이퍼 받침대의 평면도,
제3도는 본 발명에 따른 웨이퍼 받침대의 평면도,
제4도는 제3도의 B-B′선을 따른 단면도.

Claims (13)

  1. 이시알(electron cyclotron resonance;ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조에 있어서, 가운데에 조그마한 구멍을 갖고 있으며 웨이퍼가 놓이는 가장 자리 부위에 O-링이 형성되어 이 O-링상에 웨이퍼가 놓여지는 원형 웨이퍼 받침대(8), 상기 웨이퍼 받침대(8)의 가운데 구멍 밑 부분에 설치되어 웨이퍼를 올려주는 T자형의 웨이퍼 리프터(16), 상기 웨이퍼 리프터(16)와 일정 갭(gap)을 가지고 상기 웨이퍼 리프터(16)의 연장선 하단에 설치되어 헬륨 가스가 축내에 흐를 수 있는 긴 막대형의 중공측(15), 상기 웨이퍼 받침대(8)에 형성되는 냉각수 순환 부(25), 상기 냉각수 순환 부(25)에 순환하게 되는 냉각수를 상기 중공축(15)과 나란히 종방향으로 형성된 냉각수 관(23), 상기 중공측(15)과 냉각수 관(23)을 감싸는 지지 하우징(17), 상기 중공축(15)과 연결되어 있어 이 중공축(15)이 상하 운동할 때 함께 움직여 웨이퍼 테두리를 압착하여 고정시키는 클램프 리프터(14), 상기 웨이퍼 받침대(8)와 공정챔버 하우징(28)의 상하 위치를 조정하게 되는 스텝핑 모터(1)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중공축(15)의 축내를 흐르는 열전달 가스는 가스입구(22)를 통해 유입되되 이 가스입구(2)는 가스 방전을 방지하기 위하여 상기 중공축(15)과 일정한 각도를 갖고 연결되며 이 연결 부위는 가스관 지지대(12)로 지지대는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  3. 제1항에 있어서, 상기 중공축(15)은 상기 클램프 리프터(14)와 일체로 형성되어 중공축(15) 이동시 함께 상하 이동하여 클램프(7)가 웨이퍼를 고정시키는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 받침대(8)는 웨이퍼와 최대한 밀착할 수 있도록 곡률반경을 가지는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  5. 제1항에 있어서, 상기 중공축(15)과 냉각수 관(23)은 리프팅 하우징(18)에 의해 감싸여져 RF(Radio Frequency)가 걸리는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  6. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼가 놓이는 웨이퍼 받침대는 웨이퍼 가공시 고진공 상태를 유지하기 위하여 공정 챔버 하우징(28)에 의해 둘러싸여 지며 이 공정챔버 하우징(28)은 웨이퍼를 가공한 플라즈마의 원활한 유출을 위해 진공채널(21)을 갖는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  7. 제1항에 있어서, 상기 중공축(15)내의 가스는 상기 웨이퍼 받침대(8)에 형성되어 있는 O-링과 웨이퍼 그리고 상기 웨이퍼 받침대(8) 사이를 웨이퍼 리프터(16)의 리프팅시 들어와 냉각수 관(23)을 흐르는 냉각수에 웨이퍼 온도를 전달하도록 하는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  8. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 받침대(8)는 플라즈마의 균일한 스트림을 형성하도록 표면에 일정홈을 형성하는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  9. 제1항에 있어서, 상기 중공축(15)이 대기압과 고진공 사이를 상하 이동함으로써 발생되어지는 부위에 대기압 차단을 위한 펌핑 진공관(26)을 형성하는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  10. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 받침대(8)는 중공축(15)과 웨이퍼 리프터(16)를 통해 RF가 걸리도록 형성되어 지는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  11. 제1항에 있어서, 상기 중공축(15)을 상하 이동시키는 동력은 2단 실린더(13)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  12. 제1항에 있어서, 웨이퍼에 일정한 압력을 가하는 상기 웨이퍼 클램프(14)는 중공축(15)을 따라 압축 스프링(11)에 의해 일정압력을 유지하는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
  13. 제13항에 있어서, 상기 압축 스피링(11)은 중공축(15)과 평행하게 형성되어 지는 것을 특징으로 하는 이시알(ECR) 반도체 식각 장치의 전극 구조.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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